电路设计_MOS管在电源控制中的应用

最近要设计一个控制通信模块上下电的电路，网络上查了很多文章，终于总结出一些门道，今天先总结一下，明天开始画电路板，然后做性能测试。

先放上我的电路图，其实是从一位老工程师的设计文件里抄来的。

图中有两个型号的MOS管，Q1是N沟道MOS管（型号是FDN335N），Q2是P沟道MOS管（型号是AO3401）。MOS是通过控制栅极和源极之间的电压差（Vgs）来实现导通和截止的。

下图是N沟道MOS管。Vgs大于一定的值时，MOS管导通。通常来说，NMOS管的源极要接GND，电流方向由漏极指向源极，寄生二极管的方向与电流方向相反。

下图是P沟道MOS管。Vgs小于一定值时，MOS管导通。通常来说，PMOS管的源极要接VCC，电流方向由源极指向漏极，寄生二极管的方向与电流方向相反。

上面的“一定值”怎么确定是必须要去查看管子的规格书的。

NMOS管选择了FDN335N这个型号，因为它的偏置电压较低，适合GPIO的3.3V输出。

两个管子的漏极和源极之间连接一个电阻，是为了在断开时快速消耗掉G和S之间的存储的电荷，起到保护管子的作用。

至于信号输入端串联电阻的大小，需要实际测试来确定。

当然还剩下很多需要查询和做实验的地方，实验结果会在后续文章中发布。

最后贴上一个非常实用的链接，讲的很清楚：https://wenku.baidu.com/view/e17082de5727a5e9846a611b.html?rec_flag=default&sxts=1547906091930