分立半导体 CTS521二极管、AONS62922(N)场效应管、PJQ4401P(P)增强型MOSFET、AZ5A25-01F.R7G(ESD)瞬态电压抑制器件
1、CTS521二极管30V200mA表面贴装型SOD-882CTS521小信号肖特基势垒二极管采用SOD-882封装、电压和额定电流,可满足各种设计要求。电压范围为30V,平均电流为200mA。该小信号肖特基势垒二极管具有高速开关和低漏电流特性。技术:肖特基电压-DC反向(Vr)(最大值):30V电流-平均整流(Io):200mA不同If时电压-正向(Vf):500mV@200mA速度:小信号=