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晶体
外延炉及其相关的小知识
硅外延生长,是在具有一定晶向的硅单晶衬底上,生长一层具有和衬底相同晶向的电阻率且厚度不同的晶格结构完整性好的
晶体
。
阿拉伯梳子
·
2024-01-08 21:47
半导体工艺
#
晶圆制造
经验分享
制造
IPB120N04S4-02-VB场效应管一款N沟道TO263封装的
晶体
管
**IPB120N04S4-02-VB****丝印:**VBL1402**品牌:**VBsemi**参数:**TO263;N—Channel沟道,40V;180A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V**封装:**TO263**详细参数说明:**-**沟道类型:**N—Channel-**最大承受电压:**40V-**最大电流:**180A-**导通电阻:**2
VBsemi_MOS
·
2024-01-08 18:05
mosfet参数解析
IPB120N04S4-02
嵌入式硬件
MOSFET
MOS管
AP9435GM-VB场效应管一款P沟道SOP8封装的
晶体
管
**详细参数说明:**-**型号:**AP9435GM-VB-**丝印:**VBA2333-**品牌:**VBsemi-**封装:**SOP8-**沟道类型:**P-Channel-**额定电压(Vds):**-30V-**额定电流(Id):**-6A-**导通电阻(RDS(ON)):**40mΩ@VGS=10V,VGS=20V-**阈值电压(Vth):**-1.5V**应用简介:**适用于中功率
VBsemi_MOS
·
2024-01-08 18:05
mosfet参数解析
5G
AP9435GM-VB
嵌入式硬件
MOS管
MOSFET
AOD414-VB场效应管一款N沟道TO252封装的
晶体
管
VBsemiAOD414-VBMOSFET参数:-封装:TO252-沟道类型:N—Channel-最大电压:30V-最大电流:100A-RDS(ON):2mΩ@VGS=10V,VGS=20V-阈值电压:1.9V应用简介:该MOSFET适用于高电流、低电压的应用,常用于电源开关、电机驱动和功率管理电路。N—Channel沟道类型使其在负载开关和电源管理中表现出色。使用领域模块:1.电源开关:作为高电
VBsemi_MOS
·
2024-01-08 18:04
mosfet参数解析
单片机
嵌入式硬件
AOD414-VB
MOSFET
MOS管
IRF9520NPBF-VB一款P沟道TO220封装MOSFET应用分析
P—Channel沟道-额定电压:-100V-额定电流:-18A-RDS(ON):167mΩ@VGS=10V,20V-阈值电压:-1.6V-**应用简介:**-IRF9520NPBF-VB是一款P沟道场效应
晶体
管
VBsemi_MOS
·
2024-01-08 18:04
mosfet参数解析
IRF9520NPBF-VB
嵌入式硬件
MOS管
MOSFET
IRFR13N15DTRPBF-VB场效应管一款N沟道TO252封装的
晶体
管
150V-最大电流:25A-开态电阻:RDS(ON)=70mΩ@VGS=10V,VGS=20V-阈值电压:Vth=2V应用简介:IRFR13N15DTRPBF-VB是一款N—Channel沟道的功率场效应
晶体
管
VBsemi_MOS
·
2024-01-08 18:04
mosfet参数解析
单片机
嵌入式硬件
IRFR13N15DTRPBF
MOS管
MOSFET
FDN360P-NL-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
:P—Channel沟道-额定电压:-30V-额定电流:-5.6A-RDS(ON):47mΩ@VGS=10V,20V-阈值电压:-1V-**应用简介:**-FDN360P-NL-VB是一款P沟道场效应
晶体
管
VBsemi_MOS
·
2024-01-08 18:33
mosfet参数解析
FDN360P-NL-VB
嵌入式硬件
MOSFET
MOS管
RA8803SA 车载用实时时钟模块
内置32.768kHz
晶体
单元(频率精度调整完毕)和DTCXO1/100s精度的时间寄存器接口类型:I2C-Bus接口(400kHz)工作电压范围:1.6Vto5.5V温度补偿电压:2.2Vto5.5V
Epson样品中心
·
2024-01-08 09:02
晶体
晶振
晶体振荡器
新媒体运营
RA8900CE汽车用c总线接口实时时钟模块
汽车用c总线接口实时时钟模块内置调频32.768kHz
晶体
单元和DTCXO,高稳定性和电源切换。
Epson样品中心
·
2024-01-08 09:00
晶体
晶振
晶体振荡器
新媒体运营
剖析全加器的一次尝试
在现代工艺中,主要使用
晶体
管进行制造。后文将会详述,全加器实际上只是逻辑门的组合,所以实际上任何可以构成逻辑门的原件(哪怕是非
zydmayday
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2024-01-08 07:24
国科大计算机体系结构期末考试——更新中
题型一、第二章的画图给一个逻辑表达式,画出
晶体
管级别的电路图cmos电路的基本电路:与非门的功能是对多个输入信号进行逻辑与操作,然后对结果进行取反。
起床学FPGA
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2024-01-08 07:06
国科大作业
硬件工程
《认知觉醒》07
只有关联才能将孤立的知识聚沙成塔,形成稳固的知识
晶体
,最终构建自己的认知体系。4.知识的获取不在于多少,而在于是否与自己有关联,以
和弦夜光杯
·
2024-01-08 01:16
大学物理实验重点——偏振光与双折射
单轴
晶体
中,若其o光折射率大于e光折射率,也即o光传播速度小于e光传播速度,称之为负
晶体
,反之为正
晶体
。o光和e光都是线偏振光,但其振动方向不同,其两束光的光矢量近于垂直。
Sanchez·J
·
2024-01-07 21:07
大学物理
学习
其他
365天范范幸福感恩人生day46
赞美的语言那一批水,它的水晶结
晶体
非常的漂亮,有规则。而各种不好语言的那一批水,它的水结
晶体
是非常的不好看以及没有规则,这就告诉我们文字的力量!发现父母他们那个年代的人,遇到事情的时候就喜欢责备
范范_xy
·
2024-01-07 20:04
关于放大器失真的原因你了解多少呢?
偏置Q点设置将为我们提供“A类”放大配置,最常见的配置是双极
晶体
管的“共发射极”或单极FET
晶体
管的“共源”配置。放大器提供的功率,电压或电流增益(放大倍数)是峰值输出值与其峰值输入值的比值(输
纪客老白
·
2024-01-07 15:27
格密码的基础概念
三维空间的“格点”可以出现在一些
晶体
中,就像一堆整齐叠放的橘子。历史上,从18世纪末开始,拉格朗日、高斯以及后来
唠嗑!
·
2024-01-07 06:37
格密码
线性代数
机器学习
人工智能
同态加密
016功利学习法③:知识
晶体
-03联机学习《跃迁》
【关键词】知识
晶体
,萃取,提取【知识描述】我们常常会遇到这样的问题,读了很多书、学了很多知识但是没有办法表达出来。知识
晶体
知识之间行程稳定的架构就变成了知识
晶体
,不易磨损,容易整体提取。
默学森
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2024-01-07 04:57
2024年新出嵌入式必备模拟电路 数字电路 circuitJs1 Proteus系列教程(完整版)-IT营大地老师
电子元件包括电阻、电容、
晶体
管、集成电路等,它们可以组成各种不同的电路,如放大器、滤波器、振荡器、开关电路、存储器电路、模拟数字转换电路等。
yuanlaile
·
2024-01-06 14:49
proteus
FA2016AA (MHz范围
晶体
单元超小型低轮廓贴片) 汽车
而其中,频率范围在19.2MHz~54MHz的
晶体
单元超小型低轮廓贴片(FA2016AA)为汽车打造更智能、更舒适、更安全的出行体验。
Epson样品中心
·
2024-01-06 10:20
晶体
晶振
晶体振荡器
新媒体运营
Java 18正式推出;NGINX开源项目宣布禁俄;GNOME 42 发布|叨资讯
NGINX开源项目宣布禁俄;首个支持M1Mac的Linux发行版出现;美国最强大互联网攻击工具曝光;H100拥有800亿个
晶体
管;OpenCV中国镜像仓库正式启用;Oracle正式推出Java18;JumpServer
强哥叨逼叨
·
2024-01-06 05:12
固态继电器基础知识和工作原理
由于电气元件(即开关
晶体
管、可控硅等半导体元件)的开关特性,它可以实现无接触和无火花的开关。
腾恩科技
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2024-01-06 02:47
固态继电器
固态继电器
了解光耦合器的不同引脚:如何区分和识别每个引脚
光耦简介光耦合器由发光二极管(LED)和光电探测器(通常是光电
晶体
管或光电达林顿)组成。LED和光电探测器安装在不透光的外壳中,确保输入和输出信号保持电气隔离。识别四个引
腾恩科技
·
2024-01-06 02:16
光电耦合器
光耦合器
光耦
引脚区分
读的书很快会忘掉,那么读书的意义在哪里?
但如果你能把从你读的书里,吸收到的知识,凝练成知识
晶体
,并找到它们之间的联系,将其连接起来,搭建出一个
云骧
·
2024-01-05 18:02
三款红外接收二极管电路图
工作原理简介如下:光电二极管TPS604接收到被调制的红外线的微弱信号,先经场效应
晶体
管VT1的前级放大,再经
晶体
管VT2进行适当的放大,由UT2的集电极输出相应信号控制有关电路。
梓德原
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2024-01-05 16:07
单片机
嵌入式硬件
物联网
51单片机
(03)光刻——半导体电路的绘制
01、绘制精细电路的第一步金属-氧化物半导体场效应
晶体
管(MOSFET)的革命,让我们可以在相同面积的晶圆上同时制造出更多
晶体
管。
阿拉伯梳子
·
2024-01-05 16:53
半导体工艺
#
晶圆制造
经验分享
制造
(02)半导体前道制程工艺概览
01、半导体制程工艺概览在第一篇的最后,我们说到金属氧化物半导体场效应
晶体
管(MOSFET)的平面式结构让人们可以在晶圆上同时制造出好几个MOSFET。
阿拉伯梳子
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2024-01-05 16:49
半导体工艺
#
晶圆制造
制造
经验分享
线性与低压差(LDO)稳压器详解
一、基本工作原理线性和低压降(LDO)稳压器,如上图所示,它由一个工作在线性区的
晶体
管与负载串联构成,
晶体
管相当于一个可变电阻,首先,R1和R2组成的分压网络对输出电压采样,然后电压输入到误差放大器同参考电压进行比较
励磁电感
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2024-01-05 14:10
硬件工程
嵌入式硬件
TTL与CMOS电平
主要参考资料B站达尔闻《五大点讲清楚TTL与CMOS电平》目录概念电压标准电平判定两者区别按控制信号分延迟悬空兼容性概念TTL技术在1960年代初期由德州仪器开发,主要基于双极型
晶体
管。
弱冠少年
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2024-01-05 10:00
嵌入式硬件
嵌入式硬件
未来通缉
魔术师跳入洞穴后,出来时周围都是能量
晶体
。那随便一回扑克牌,发现4周都是纸墙。在纸条后面有一个高塔。他刚想登上高塔,尾随的隐客拦住了他,还有红晶星影魔帝。魔术师利用闪电将自己漂浮到了高塔上。
4c6ba8be5853
·
2024-01-05 05:30
模拟电路基础知识笔记,你想知道的都有,建议收藏!
文末可领全部文档1、PN结是
晶体
二极管的基本结构,也是一般半导体器件的核心。2、射极输出器没有电压放大能力,由于其输出电阻小,所以有较强的带负载能力。3、振荡器是一个具有选频网络的正反馈放大器。
IC修真院
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2024-01-05 04:46
笔记
模拟IC
模电
单片双向马达驱动芯片D6208的芯片描述
D6208采用SIP9和SOP8封装形式封装主要特点:●噪声低内设马达驱动功率
晶体
管(典型100mA)●可施加制动,强制马达停止(输入A和B都为高电平)●内
Jack15302768279
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2024-01-05 03:36
芯谷
人工智能
ACM32FP4
华为门锁
便携式储能
Linux安装
第二代计算机(1958~1964)
晶体
管为主要器件;软件上出现了操作系统和算法语言;运算速度每秒几万次至几十万次。第三代计算机(1964~1971)普遍采用集成电路;体积缩小;运算速度每秒几
KiKi_2005A
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2024-01-05 01:37
MMBT3906-ASEMI低压PNP型贴片三极管MMBT3906
MMBT3906品牌:ASEMI电流(Id):200mA电压(Vdss):40V功率(Pd):芯片个数:1封装:SOT-23安装方式:表面安装工作温度:-55°C~150°C引脚数量:3类型:低压低电流PNP型
晶体
管
SUNNYSPY001
·
2024-01-04 18:12
三极管
开关电源
单片机
嵌入式硬件
物联网
MMBT3904-ASEMI智能灯具三极管MMBT3904
智能灯具三极管MMBT3904型号:MMBT3904品牌:ASEMI封装:SOT-23集电极电流(Id):200mA发射极击穿电压(Vdss):40V芯片个数:1引脚数量:3类型:MOS管特性:NPN低电流
晶体
三极管封装尺寸
SUNNYSPY001
·
2024-01-04 18:11
开关电源
半导体
三极管
单片机
嵌入式硬件
物联网
学习者的差异与应对--《伍尔福克教育心理学》读书笔记(四)
流体智力和
晶体
智力在多数研究中被认为是两种广泛的能力。2、加德纳的多元智能理论加德纳认为智能是一种解决问题以及在特定文
守望者_a86d
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2024-01-04 15:16
RA4803SA (高稳定实时时钟模块)
汽车用RA4803SA,高稳定串行接口实时时钟模块内置频率可调32.768kHz
晶体
单元和DTCXO。
Epson样品中心
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2024-01-04 13:32
晶体
晶振
晶体振荡器
新媒体运营
RA4000CE (RTC模块)适用于汽车,工作温度范围宽,稳定性高
RA4000CE是一个集成了32.768kHz数字温度补偿
晶体
振荡器(DTCXO)的RTC模块,适用于汽车,工作温度范围宽,稳定性高。
Epson样品中心
·
2024-01-04 13:02
晶体
晶振
晶体振荡器
新媒体运营
GESP C++ 2023年9月二级真题卷
A.集成电路B.大规模集成电路C.
晶体
管D.电子管答案:D解析:计算机发展历史:第一代:真空管(电子管)计算机电脑的前身是一种叫"加法器"的东西,是由法国的一位数学家"布莱士·帕斯卡"所发明后来又渐渐改良
Tina聊编程
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2024-01-04 08:44
GESP
C++等级考试
c++20
开发语言
c++
青少年编程
闪存特性总结
其原因为,闪存的基本存储单元(Cell)是一种类似Mos的浮栅(FloatingGate)
晶体
管,该浮栅四周被绝缘层包围,存储其中的电子不会掉电丢失。
本道自然
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2024-01-04 07:14
Embed
System
mcu
数字IC设计——数字电路基本元器件
现代数字集成电路基本由CMOS
晶体
管构成,而CMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成,所谓“互补”,即利用互补型MOSFET,即pMOS和nMOS,二者成对出现构成互补电路
KGback
·
2024-01-03 23:03
#
数字IC设计
数字IC
proteus元器件搜索
晶体
管:Transistorsmos管:MOSFETled灯:LED灯:Lamp开关:Switch按键开关:Butto
码农-xq
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2024-01-03 18:22
软件使用-protues
proteus
STC进阶开发(二)独立按键、数码管
前言上一期我们介绍了PWM、ADC以及热敏电阻,这一期我们学习一下开发板上的独立按键以及介绍一下
晶体
管。话不多说,开整!
苗春辉
·
2024-01-03 15:21
单片机
stm32
嵌入式硬件
SIC产业链简述
同第一代硅半导体产业链类似,SiC产业链也分为以下几个环节:设备和材料环节,包括
晶体
生长炉、MOCVD、切割设备、碳粉/硅粉/SiC粉体、石墨件等耗材;SiC衬底合外延环节,包括导SiC
晶体
生长、衬底晶片
阿拉伯梳子
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2024-01-03 11:59
半导体工艺
#
拉晶
经验分享
制造
相场模拟——枝晶生长(COMSOL模拟雪花形成)
枝晶生长是一种生长的不稳定现象,常起因于过冷的液体,或
晶体
的生长速度受限于溶质原子向固体表面的扩散速度。造成以上条件的原因,可以是液相中负的温度梯度,也可以是负的浓度梯度。
csdnzzt
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2024-01-02 12:23
多物理场仿真
算法
机器学习
人工智能
PWM应用篇
一.什么是PWM用图话,如下图所示:PWM(脉冲宽度调制):这是一种模拟控制方式,可以根据载荷的变化来调制
晶体
管基极或MOS管栅极的偏置,实现
晶体
管或MOS管导通时间的改变,从而改变开关稳压电源的输出。
我来挖坑啦
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2024-01-01 23:02
c语言
开发语言
单片机
嵌入式硬件
信息与通信
传感器原理与应用复习--超声波、微波、红外及热电偶传感器
文章目录上一篇超声波传感器微波传感器红外传感器热电偶传感器下一篇上一篇传感器原理与应用复习–光电式与半导体式传感器超声波传感器超过2万赫兹以上的波称为超声波压电式超声波探头常用材料是压电
晶体
和压电陶瓷。
ˇasushiro
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2024-01-01 23:57
传感器原理与应用
信息与通信
笔记
《现代操作系统》第十二章习题答案
计算机硬件的改进主要归功于更小的
晶体
管。
yruluvme
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2024-01-01 21:25
《现代操作系统》习题答案
学习
笔记
linux
unix
c语言
液体/
晶体
智力
晶体
智力是指个体通过学习获得的技能,如语言文字、数学知识等,是不会随着年龄的增长而减弱的。
前方是什么
·
2024-01-01 16:54
IN4007和2N222控制led
一,准备需面包板,跳线(杜邦线也行),NPN
晶体
管,二极管,220欧姆电阻,1千欧姆电阻,arduino二,npn
晶体
管参数封装类型:TO-92
晶体
管类型:NPN最大集电极-发射极电压(Vceo):30v
Mm66f
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2024-01-01 10:18
硬件
ide
ASM-HEMT射频建模
关于ASM-HEMTRF模型ASM-HEMT是指用于氮化镓高迁移率电子
晶体
管的先进SPICE模型。该模型于2018年由紧凑模型委员会(CMC)进行了标准化。
幻象空间的十三楼
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2023-12-31 15:17
IC-CAP器件建模
IC-CAP软件学习
器件建模
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