栅极电荷

存储器简介

动态存储器(DRAM)动态存储器需要使用一个小容量的电容来保存信息，用电容中有无电荷来表示1和0。由于电容会漏电，所以DRAM需要定期刷新。只读存储器(ROM)与RAM不同，ROM存储器
xiaoju233·2020-08-16 17:51

echarts3生成关系网络关系力向图

echarts3生成关系网络关系力向图力引导布局是模拟弹簧电荷模型在每两个节点之间添加一个斥力，每条边的两个节点之间添加一个引力，每次迭代节点会在各个斥力和引力的作用下移动位置，多次迭代后节点会静止在一个受力平衡的位置
续汉冕·2020-08-16 08:28

数据流

camera->raw10->yuv420->mjpeg->yuv420p->RGB------cameraCCD和CMOSCCD(chargecoupleddevice电荷耦合元件)1.AD转换电路在
liguzai·2020-08-16 06:45

SDRAM初始化过程

SDRAM存储数据是利用电容能够保持电荷以及其充放电特性，对于一位数据的存取，首先需要打开行地址，然后打开列地址，电容的电平状态就可以呈现在数据线上。
xxgyh·2020-08-16 03:06

MOS管及其外围电路设计

全文框架1.栅极驱动部分常用的mos管驱动电路结构如图1所示，驱动信号经过图腾柱放大后，经过一个驱动电阻Rg给mos管驱动。其中Lk是驱动回路的感抗，一般包含mos管引脚的感抗，PCB走线的感抗等。
WillChan_·2020-08-16 03:21

扇形微带偏置线的分析与作用

原文：硬件之家，http://www.allchipdata.com/archives/3101例如，在设计功率放大器时，会涉及到功放管的栅极偏置电压Vg与源极偏置电压Vd。
电子飓风eStorm·2020-08-15 22:54

首款男性避孕针通过临床实验成功率为97.3%打避孕一针可管13年？

该药物的基本原理是将带正电的聚合物注入输精管，以抵消精子中的正电荷，从而使精子失去活性。与口服避孕药不同，这种聚合物不会影响使用者自身的
爱吃田鼠的茶叶蛋·2020-08-15 14:22

android 系统广播大全

Intent.ACTION_AIRPLANE_MODE_CHANGED;//关闭或打开飞行模式时的广播Intent.ACTION_BATTERY_CHANGED;//充电状态，或者电池的电量发生变化//电池的充电状态、电荷级别改变
许富波·2020-08-15 12:23

几个很难解答的中学物理题

问题一：众所周知：原子是组成所有物质的基本单位，体积极其微小，原子核为正电荷，核外电子为负电荷。正负电荷相互吸引，由于原子体积极其微小，所以这种电荷引力表现得极其巨大；同时还承
翁志远追梦·2020-08-15 10:42

半导体物理复习总结（六）——pn结

边界附近的电离施主和受主的存在区域称为空间电荷区。在pn结的空间电荷区中能带发生弯曲，这
何南_·2020-08-14 19:58

数码相机如何工作（二）

大多数数码相机使用的图像传感器是电荷耦合器件(CCD)，有些数码相机也会使用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术，以上两种技术原理都是将光能转换为电能。
shuxiang1990·2020-08-14 11:13

数码相机各参数详解

目前数码相机的核心成像部件有两种：一种是广泛使用的CCD（电荷藕合）元件；另一种是CMO
zhoucy163·2020-08-14 05:37

逻辑门电路的延时分析

关于MOS管NMOS:PMOS:NMOS是栅极高电平（VGS>Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
weixin_30888413·2020-08-14 03:33

硬件调试

复位后NRESET应该为高电平PLL电路，晶振是否为2MHZ正弦波二.复位电路单片机RST也有分为高电平与低电平复位，ADSTAR-L为低电平复位以下根据电路图分析上电过程，当3V3未接入时，电路中无电荷流动
Hao_Zhen·2020-08-14 02:32

电源

发电机能把机械能转换成电能，干电池能把化学能转换成电能.发电机.电池本身并不带电,它的两极分别有正负电荷,由正负电荷产生电压(电流是电荷在电压的作用下定向移动而形成的),电荷导体里本来就有,要产生电流只需要加上电压即可
conggu5348·2020-08-14 00:50

FRAM具有无限的续航能力和即时写入能力

每个转换都会产生“开关电荷”（Qs），可
英尚微电子·2020-08-14 00:16

揭秘MOS管前世今生的发展历程

因此，不难理解，n型的如图在栅极加正压会导致导通，而p型的相反。3、增强型相对于耗尽型，增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，如图。
weixin_43747182·2020-08-13 22:17

使用lev00生成电荷密度等高图

以graphene为例：INCAR：SYSTEM=grapheneISTART=0ICHARG=2#Startparameterforthisrun:PREC=A#ElectronicRelaxationENCUT=500NELM=200EDIFF=1E-6LREAL=FALGO=Normal#DOSrelatedvaluesISMEAR=0SIGMA=0.05#WriteflagsLWAVE=F
懒散的鱼与消失的猫·2020-08-13 18:12

VASP - Bader Charge Analysis

Bader电荷分析，用于分析原子周围的电荷密度，从而得到原子价电子数。下载BaderChargeAnalysis工具包。
懒散的鱼与消失的猫·2020-08-13 18:41

vasp-Lev00编译

LEV00-ausefultoolforvariousDFTcodes(VASP,SIESTA,CASTEP,QUICKSTEP)Lev00虽然有很多不同的功能，但是我们一般只用它处理电荷密度，来生成更容易理解的科研绘图
懒散的鱼与消失的猫·2020-08-13 18:41

vasp-电荷局域密度图(ELF)

以Graphene为例：INCAR:添加LELF=.TRUE.SYSTEM=grapheneISTART=0ICHARG=2#Startparameterforthisrun:PREC=A#ElectronicRelaxationENCUT=500NELM=60NELMIN=6NELMDL=-12EDIFF=1E-6LREAL=FALGO=FastLELF=.TRUE.#DOSrelatedval
懒散的鱼与消失的猫·2020-08-13 18:41

MOS管开关时的米勒效应

一、MOSFET的开通过程MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程，当给栅极施加驱动电压后，MOSFET开通过程会分为4个阶段，其中
qlexcel·2020-08-13 16:17

揭秘MOS管开关时米勒效应的详情

MOS管的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOS管的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后，MOS管就会进入开通状态;当MOS管开通后，Vds开始下降，ld开始上升
weixin_43747182·2020-08-13 11:12

有原理有拆机！揭秘神奇的120瓦秒充技术

-98.5%转化率超高效电荷泵定制，还是两颗小米10至尊纪念版采用了全新的4：2大功率充电架构，通过将大电流分解为双路小电流充
小米手机·2020-08-13 00:00

Iphone多点触控知识和触控技术介绍

电容式触摸屏使用一层电容材料来存储电荷；您在触摸屏幕时改变了某一特定触点的电荷数量，从而达到判定触摸点的作用。电阻触摸屏上，手指的压力会造成电路的导电层和电阻层接触，从而改变电路的电阻。
moshou0000010·2020-08-12 15:06

Android Camera HAL浅析

电荷耦合器件(CCD)或互补金属氧化物半导
一叶知秋dong·2020-08-12 15:05

FRAM具有无限的续航能力和即时写入能力

每个转换都会产生“开关电荷”（Qs），可
英尚微电子·2020-08-12 14:03

The Leaky Integrate-and-Fire (LIF) Neuron Mode-LIF神经元模型

换句话说动作电位建模有三个阶段分别是：突触；树突；神经元胞体2.泄露电流：可以想象突触中的正电荷流入就像打开水一样，水会从漏水的花园软管（树突）中流下来。水可以采取
佩瑞·2020-08-11 13:26

常用存储器介绍

在计算机中易失性存储器最典型的代表是内存，非易失性存储器的代表则是硬盘二.RAMRAM可随读取其内部任意地址的数据，时间都是相同的1.动态随机存储器DRAM(DynamicRAM)动态随机存储器DRAM的存储单元以电容的电荷来表示数据
简单生活，简单爱·2020-08-11 13:16

模拟电子技术之场效应三极管及其放大电路

金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管MOSFET基本共源极放大电路图解分析法小信号模型分析法共漏极和共栅极放大电路1.金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管场效应管是一种具有放大作用的元件,它是构成放大电路的基本器件
Mr.郑先生_·2020-08-11 01:05

第一章 常用半导体器件-----------------本征半导体

导电性介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体纯净的具有晶体结构的半导体，称为本征半导体【本征半导体中的两种载流子】虽然共价键稳定，但是仍然会有极少数的价电子由于热运动获得足够的能量【空穴】：价电子挣脱共价键的束缚变成自由电子后留下来的空位置【载流子】运载电荷的粒子叫做载流子本征半导体有两种载
_CN_黄雷·2020-08-10 22:52

载流子笔记

载流子的组成：自由电子(N负电荷)和空穴(P正电荷)。N型半导体中的载流子是什么?
sunrier·2020-08-10 21:38

Verilog HDL简介

组成VerilogHDL代码的词法有以下11大类型：标识符空白符注释值集数文本宏操作符字符串关键字电荷强度
爱马拉松的东宫高兴·2020-08-10 20:03

MT6763芯片最新参考设计MT6763芯片datasheetMT6763芯片规格书

此外，电荷电流是被调节的通过集成传感电阻。mt6370还提供了usb在线支持
chouli6841·2020-08-10 15:43

科技概念/名词解释

研究表明，不但能量表现出这种不连续的分离化性质，其他物理量诸如角动量、自旋、电荷等也都表现出这种不连续的量子化现象。科学家们把在研究原子、分子、原子核、基本粒子时所观察到的关于微
Nie_Xun·2020-08-10 13:05

PN节动图

P型半导体空穴多，容易吸引电子但原子核电荷不够，会形成负电荷。N型半导体电子多，电子容易逃跑且原子核电荷太多，会形成正电荷。
MarcusNeo·2020-08-10 10:40

使用AO3400MOS管的电机驱动电路

因为栅极下面的一层二氧化硅很薄，GS两端有等效电容，少量的静电就可以产生很高的电压，不把这些静电泄放容易把栅极击穿。IN1接
阿兰你在哪·2020-08-09 11:55

声发射传感器的工作原理是什么？

先说一下压电陶瓷，压电陶瓷在受力产生变形时，其表面出现电荷，这种现象称为压电效应。常用声发射传感器的工作原理，就是基于晶体元件的压电效应。应力波的传播实质是质点运动（横波、纵波、表面波等）。
yexian1991·2020-08-08 20:24

开漏Open Drain 和 推挽Push Pull 输出

栅极输入0时，NMOS的漏极和源极导通，输出0。栅极输入1时，NMOS不导通，漏极高阻，输出1（需要外部上拉电路，上升沿比较缓慢）。推挽PushPull推挽输出：可以输出高,低电平,连接数字器件。
硬件菜鸟备忘录·2020-08-08 16:17

Android Camera架构浅析

电荷耦合器件(CCD)或互补金属氧化物半导
BonderWu·2020-08-08 14:56

海思平台IPC图像调试经验总结

DRC：开启后,会提升暗处细节,同时也提升噪声，导致噪声强度相比DRC关闭时更大些,此时边缘增强,去噪功能都应该与DRC有关AE:1:曝光时间：sensor积累电荷的时间，是sensorpixel从开始曝光到电量被读出的这段时间
kimbeaur123·2020-08-08 13:46

库仑定律

在冬天，脱毛衣时经常可以看到电火花，梳头发时梳子可以吸附头发，与别人接触或者与金属接触会有触电的感觉······这些现象都是静电现象，发生了电荷转移。
不入流的IT宅男·2020-08-08 12:34

锁相环讲解及simulink仿真

锁相环讲解及simulink仿真分析一型锁相环二型锁相环（电荷泵锁相环）2.1二型锁相环基本结构2.2串联电阻锁相环结构2.3.1二阶环路滤波器2.3.2三阶二型锁相环参数设计三.锁相环simulink
virtuoso~晓晓·2020-08-08 10:39

纹波和噪声测试

这篇文章提供了一个简单可靠的电源纹波的测试方法，这种测试方法的可复现性很好，并且不需要带宽很高的示波器和探头这篇文章适合用于测量开关型DC/DC转换器的输入以及输出纹波，包括电荷泵，但是不
结界很厚·2020-08-08 00:37

51单片机-实验元器件

5，电容（Capacitor）在外加电场的作用下,能够存储电荷。长正短负，有常规电容，电解电容等。6，晶振（Crystal）在外加电场的作用下，会产生精确的时钟振荡信号。7，二极管（Dio
royalhonor·2020-08-07 22:44

讲讲简单的电源隔离和信号地，电源地的处理

我们常用10~20欧姆电阻来做个模拟电源和数字电源的隔离,可以从下图中看出,当然,使用分组的隔离电源是最好的选择,但是成本相对较高2,处理模拟地数字地时,最终使用1点接连的办法,这个连接点要选在PCB上的电荷平衡点
wtbcx2012·2020-08-07 21:51

5V转换3.3V电平的几种简单方法

1、用mos管搭建的转换电路栅极G连接低电源电压VCC3.3v源级S接"低电压"端总线线路SDA1漏级D接"高电压"端总线线路SDA2，R为上拉电阻。
Wrz。·2020-08-07 21:14

Android常用系统广播

7dbac1250101mt5h.html广播名说明备注Intent.ACTION_AIRPLANE_M关闭或打开飞行模式时的广播Intent.ACTION_BATTERY_CH充电状态，或者电池的电量发生变化电荷级别改变
R-Pursue·2020-08-07 19:45

压摆率和上下拉电阻

就看你们是不是特别关心功耗了输入阻抗极高,如果没有上/下拉电阻,悬空稍微有点感应电荷就会导致电平变化.在我理解，上拉电阻和下拉电阻有两个作用一是为某个信号端口提供一个默认电平。
bangbang170·2020-08-07 19:20

RAM、SRAM、SDRAM、DRAM，ROM、MASK ROM、OTPROM、EEPROM、内存、硬盘

易失性存储器-RAM（Randomaccessmemory）DRAM（Dynamic）以电容的电荷来表示数据0，1。SDRAMsychronous时钟同步。DDRSDRAMSRAM以锁存器来存储数据。
望那伊人·2020-08-07 19:04
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