通信原理教程chapter4感冒+繁忙著教材用的是《通信原理教程》(第三版)--樊昌信著第四章模拟信号的数字化@[toc]模拟信号的数字化(AD转换)模电里面也说过,AD转换包括三个基本步骤:抽样,量化

学习计划路径：>Multisim电路仿真软件熟练掌握>数字电路基础课程>逻辑电路设计与应用>熟练掌握存储器、脉冲波形发生器、D/A和A/D转换器原理>基本元器件熟练掌握>晶体管放大电路及负反馈放大电路>集成运算放大器设计>电压变电流电路设计>绝对值电路设计>压力传感器电路设计>STM32最小系统设计一。Multisim仿真初步了解1.主页功能布置二。数字电路设计基础1.正逻辑与负逻辑1.数字信号是

客观题是数电模电+单片机基础知识的选择题，这里包括

三试题形式3.1客观题（30%）选择，填空（数模电&c语言&单片机）3.2硬件程序设计（70%）使用特定的硬件平台，用c语言，完成程序开发和调试任务。

51单片机介绍所需基础知识基础数模电知识，简单的C语言。PS：如果有不懂的直接通义千问。。。什么是单片机在一片集成电路芯片上集成微处理器、存储器、I/O接口电路，从而构成了单芯片微型计算机，即单片机。

没有叫我起床的不是闹钟是梦想年度目标及关键点：考研本月重要成果：努力学习中今日三只青蛙/番茄钟300分钟成功日志-记录三五件有收获的事务努力学习，坚持打卡财务检视支出200左右人际的投入没有开卷有益-学习/读书/听书今天学习了电路，模电

转自：https://mp.weixin.qq.com/s/qp_DSBGKdjNo2-lO2s5v7Q引言在开关电源中，EMI滤波器对共模和差模传导噪声的抑制起着显著的作用。在研究滤波器原理的基础上，探讨了一种对共模、差模信号进行独立分析，分别建模的方法，最后基于此提出了一种EMI滤波器的设计程序。高频开关电源由于其在体积、重量、功率密度、效率等方面的诸多优点，已经被广泛地应用于工业、国防、家电

-01-“你在干嘛？”男人在不在乎你，就看他会不会微信上主动找你。在开始异地恋后，晓雅明显发现了男友的变化：男友从不主动找她，甚至她发的消息，一整天都不会有任何回应。晓雅安慰自己，他刚找到新工作，一定是太忙了。有一天，晓雅突发阑尾炎，被送去医院手术，她给男朋友打电话，电话那头要么是关机，要么是长长的忙音。整整两天过去，杳无音讯。直到晓雅借同学的手机给男友打电话，男友秒接了。那一刻，晓雅才意识到，他

爱就大声说出来！今天和先生在聊引流管的液体时，先生说：“不要让我看，我晕血”。我忽然愣住，先生晕血，我怎么没有发现？我问：“你一直这么照顾我，还晕血，你是什么感觉？”先生说，很难受。我忽然想起，从生大宝、小宝先生都一直在身边照顾生活的方方面面，特别是住院的时候有恶露，估计当时把先生吓得不轻。这次先生竟然告诉我，他晕血！先生都那么难受了，还总这么的照顾我，我能说什么？除了说爱你，还是说爱你！也许作为

1.设计要求使用指定元件，用模电、数电等有关知识，设计并制作一个易拉罐饮料计数自动化的模拟装置。

A.WeGotEverythingCovered!题意：有任意由前k个字母组成的长度为n的字符串s1，你需要构建一个字符串s2，使s1恒为s2的子串（注意是子串，不是连续子串）分析：我们可以构造n组字符串，每组都包含前k个字母，把这n组字符串拼接起来就是答案。这题很重要，等会做C题会参考这题的思路inta[N];voidsolve(){intn,k;cin>>n>>k;while(n--){for

寻找一段长为m的序列当中不存在的子序列Problem-C-Codeforcesvoidsolve(){intn,k,m;std::cin>>n>>k>>m; std::strings;std::cin>>s; std::stringt;intj=0;boolok=true;//长为nfor(inti=0;iocc(k);//计k个，在m个字符中找while(cnt>n>>k>>m;std::str

1、数电（必须掌握的基础），然后进阶学模电，2、掌握HDL（verilog或VHDL）一般建议先学verilog，然后可以学SystemVerilog和VHDL。

早起：921天，坚持清晨日记55天，坚持运动36天，开启日更49天，八段锦练习day2天人生十大关注：1、健康运动：有（八段锦练习10分钟，跳绳2分钟，拳击5分钟，拉伸2分钟）饮食：有情绪：开心喝水：有早睡

可以关注微信公众号【精灵哥】去回个书號【921】，即可免费阅读【少夫人携带小祖宗虐翻财阀家族】小说全文！唐心冷笑了一下，她怎么会不知道唐思思的心里打的是什么注意呢？她无非就是想看自己的笑话吧？

开关电源：RMC板：（24V电压，10A电流）SMBJ30CA：静电和浪涌保护(TVS/ESD)一般使用NMOS管，因为PMOS管导通电阻与NMOS管比较会较大模电非基础01——从一种常见的防反接，上电缓启动

栈880.索引处的解码字符串895.最大频率栈901.股票价格跨度907.子数组的最小值之和921.使括号有效的最少添加946.验证栈序列962.最大宽度坡*1003.检查替换后的词是否有效1006.笨阶乘

1.设计要求使用指定的元件，用模电、数电等有关知识，设计并制作带有触摸电极的电路，当电路得电，便能以“1-4-7-2-5-8-3-6-9”的顺序循环显示数字，几秒钟后就停显、消隐。

1.设计要求使用指定元器件，用模电、数电等有关知识，设计并制作一个至少有三级变速的简单的电扇调速器。

在实际Layout过程中，差分对上往往串接有电阻，电容或共模电感。这时候就需要创建Xnet。那么Allegro如何创建Xnet呢？

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今日复盘：每天三件事回顾、反思、探究、提升一、今天完成了哪些工作1、健步走+跑步+拉伸+跳绳56-未进行2、读书今天继续学习《教育就是培养习惯》这本书上篇的第5—9节内容。上篇养成教育的理论和内容第五节养成教育的关键期001小灰天鹅认“妈妈”小灰天鹅从蛋壳里爬出来，会把第一眼看到的动物认作“妈妈”，这样的一种无须强化的、在一定时期内形成的反应被称为“印刻现象”。002关键期如果错过某一特定时期或者

正常的顺序，高数(你要考研呢，线代就学一下，不考的话，线代不挂科就行了，除非你搞AI，那个得会矩阵运算)->电路分析->半导体物理（了解一些概念即可，为了能更好得学习模电)->模电->数电->计算机

AD8210抑制高共模电压(高达65V)，并提供接地参考缓冲输出，与模数转换器(ADC)接口。AD8210由两个主要模块组成，一个差分放大器和一个仪表放大器。

1.赛事介绍（第15届大纲）编程题：85%（编程涉及IIC、SPI、矩阵键盘、数码管等内容）客观题：15%（客观题主要是数电、C语言程序题，较少的51单片机基础知识与开发调试知识，极少出现模电题）省赛，

一方面帮助自己记住刷过的题另一方面也告诉各位如何从手中的资料中查找答案由于我手上也只有答案，做题都是我自己的思路，所以不保证解题思路的正确性，欢迎大佬指正2019年省赛真题-客观题部分（1）答案：B考察科目：模拟电路解题：模电基础

A.WeGotEverythingCovered!ProblemStatementYouaregiventwopositiveintegersnnnandkkk.YourtaskistofindastringssssuchthatallpossiblestringsoflengthnnnthatcanbeformedusingthefirstkkklowercaseEnglishalphabets

也就是掌握单片机的技能包含什么：1、熟悉单片机的原理，结构;2、学好数电，模电，为设计电路打好基础;3、熟练使用C语言，多学习别人的程序;4、对操作系统原理有一定的了解;5、Protel至少要有点基础;

也就是掌握单片机的技能包含什么：1、熟悉单片机的原理，结构;2、学好数电，模电，为设计电路打好基础;3、熟练使用C语言，多学习别人的程序;4、对操作系统原理有一定的了解;5、Protel至少要有点基础;

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并没有思考，为啥学计算机组成原理，模电数电，微机原理，单片机，操作系统啥的。现在作为个搜索算法工程师，觉得那些并没啥用。但是静下来时候，发现这些基础还是很有思考价值的。

A.WeGotEverythingCovered!找出一个字符串S，满足条件：所有可能的长度为n，使用前k个小写字母的字符串P都是S的子串。其中字符串S的长度尽可能短。这种构造题，构造S的时候尽可能在原有的基础上去扩展，如果能扩展出来，那就是有规律。n=1，k=3S：abcn=1，k=4（+1）n=2（+1），k=3S：abcdS：abcabcn决定了每个字母最少出现的次数，所以上面的答案均是最短

WeGotEverythingCovered!（Problem-A-Codeforces）题目大意：要求找出一个长度最短的字符串，满足任意由前k个字母组成的长度为n的字符串都是它的子序列。输出字符串。思路：这道题我本来想的很简单，觉得只要在一个字母前，前k个字母都出现n-1次即可，所以我就让前k个字母按顺序排列作为一组，然后输出n遍，然后就过了。但是写到c题才发现，并不是简简单单的出现n-1次就行

A.WeGotEverythingCovered!Problem-A-Codeforces签到题，构造题意构造一个字符串s，让长度为n且使用字母表前k个小写字母的所有任意组合，都包含于s的所有子串内，即找出一个包含所有情况的s（难懂）打印n遍'a'开始的k个字母表字符即可t=int(input())for_inrange(t):   n,k=map(int,input().split())   s

A.WeGotEverythingCovered!Problem-A-Codeforces题目概述：给你正整数nnn和kkk,要你构造出一个字符串sss,使得所有可能的长度为nnn的由前kkk个字母组成的字符串都是字符串sss的子序列。注：如果从bbb中删除一些字符(可能为零)而不改变其余字符的顺序，就可以得到aaa，那么字符串aaa就被称为另一个字符串bbb的子序列（子串）。题目类型：构造解题思

A.WeGotEverythingCovered!#include#defineendl'\n'#defineintlonglongusingnamespacestd;intn,k;voidsolve(){cin>>n>>k;stringtmp;for(inti=0;i>t;while(t--){solve();}return0;}B.ABalancedProblemset?x=a+b+c+d假设

Problem-C-Codeforces题目大意：给出一个长度为m的字符串s，问所有长度为n且由字母表中前k个字母组成的字符串是否都是s的子序列，如果不是须给出反例1#includeusingnamespacestd;constintN=2e5+5;typedeflonglongll;lln;boolvis[N];voidinit(){for(inti=1;i>n;init();intk;cin>

题目链接思路:div.2的A题是本题的铺垫,A题的意思是将前k个字母循环出现m次即可,则将前k个字母看成一个循环节。本题则是在长为m的字符串中找循环节，注意循环节的意思是前k个字母出现至少一次，则可知当找到一个循环节的时候，这个循环节的最后一个字母一定是第一次出现且只出现一次。若能找到大于等于n个的循环节，则答案是yes。若小于n个循环节，则最后一个循环节中未出现的字母的若干个加上前面每个循环节的

第一站：豆蔻寺豆蔻寺(PrasatKravan)始建于公元921年，是一座印度教寺庙，如今只剩下五座排列整

•本征半导体可以导电：粒子热运动带来的本征激发•本征激发的速度复合的速度和什么有关•本征半导体导电是因为载流子的存在•本征半导体导电能力和什么有关：载流子浓度2.杂质半导体•可扩散性：在纯净的本征半导体扩散其他元素构成杂质半导体温度对n型半导体载流子子的影响•对n型半导体多子影响不大：本身自由电子多，热运动产生的自由电子不多•对n型半导体少子影响很大：少子浓度变化非常大，本身基数少••如果一个半导

Pn结的伏安特性•1.正向特性有个死区si：导通电压0.7v2.pn结两个击穿两种反向击穿：1.雪崩击穿；2.齐纳击穿•雪崩击穿：链式反应Pn结损坏：反向击穿后引起的二次击穿•Pn结坏：反向击穿引起的温度升高•为什么温度升高，电流乘以pn结电压就是pn结消耗的电功率，电功率就是发热用的。•Pn结可以工作在反向击穿工作状态下，温度没过高，还可以回来•要控制好不要进入热击穿状态也叫二次击穿•发生二次击

2.1载流子的漂移与扩散2.1.1漂移运动（前提：外电场）在外部电场作用下，载流子的运动称为漂移运动。载流子的平均漂移运动与电场矢量E成正比，且有如下公式:公式说明空穴在相同条件下比自由电子移动速度要快，因此在高频电路中电子导电器件要优于空穴导电器件。2.1.2扩散运动（前提：浓度差）载流子会从高浓度区域向低浓度区域扩散，并因此形成扩散电流。2.2PN结的形成在半导体两个不同的区域分别掺入三价和五

1.双极晶体管BJT空穴和自由电子都参与导电，所以称为双极晶体管，三极管1.1结构及类型一个半导体基材上做出三块不同的参杂区域，是一种三明治结构，夹心的，由于是一个是N一个是P一个是N，所以必然形成PN结，形成了两个PN结，一个叫发射区，基区，集电区，发射区是法师载流子的区域，，话句话说，类似于弹药库和源泉的这么一个地方，往外发射载流子集电区是收集在留存基区是一个控制区域三个的特点发射区要发射载流

场效应管，不费电，消耗的功率少。集成度越高，散热越难，功率消耗的问题，是变成了我们这种集成电路的一个瓶颈，而场效应管的出现，为这种瓶颈的解决起了一个很大的作用，场效应管FET它的基本原理是靠电场效应来控制这个管子，电场效应的好处几乎是没点电流的，没电流的话几乎是没有功率付出的，从控制的回路来说，我消耗的功率非常非常小，这是它非常打的好处，而且它的输入电阻非常高，因为它没电流，它还有一个好处是什么呢

半导体：介于导体跟绝缘体之间的材料本征半导体：纯净半导体硅锗四价元素本征半导体的晶体结构价电子不导电，导电靠自由电子，载流子本征激发因为温度变化所引起的热运动，让共价键里面的价电子挣脱变成自由电子，挣脱留下的位置叫空穴，这个过程就叫本征激发空穴带正电，空穴带正电，本征半导体有两种载流子：一个是空穴，一个是自由电子本征激发越多导电能力越好本征激发的对立面就复合运动自由电子跟空穴会在共价键里面相撞，然

总结前言此文章是为了共同进步，如有错误请联系更正开漏输出和推挽输出是模电中很基础的一部分，但很多做嵌入式软件的同学对此硬件基本原理不是很熟悉，所以写此文章，一方面自己巩固与一下。

我在网上找了一圈电流转电压的电路都没个简单好用的文章一气之下，重看了模电。。。我也是醉了。为什么电压转电流的那么多，电流转电压的这么少？下面的方法都是使用了运放。

这一节讲讲实际设计电路时，怎么选择运放，需要专注哪些参数。要注意的是，器件即使再简单，他们的参数也是很复杂的，找到芯片的datasheet，里面可能数十个参数，开始时我们只要关注最重要的几个参数，就能应对大多数的场合，至于更深层次的应用，需要长期的积累。上一节讲了运放的几个特别重要的特性：虚短、虚断、负反馈，以及一个重要的参数：开环放大倍数。分析的时候把虚短、虚断理想化了，把开环放大倍数视为无穷大

1、在未知放大电路具体形式时如何讨论放大电路？建立放大电路模型（端口等效模型）放大电路是一个双口网络，从端口特性来研究放大电路，可将其等效成具有某种端口特性的等效电路：）输入端口特性可以等效成一个输入电阻）输出端口可以等效为受控源形式得到电压放大模型：问题1：该模型在怎样的约束条件下才可实现线性放大？除了A必须是常数，由A衍生出来的Ri和Ro也必须是常数。即三个参数都必须是常数。问题2：Rsi和R

如图，为NPN三极管工作示意图。绿点代表自由电子，红圈代表空穴。我们都知道，三极管中发射极（E）是高浓度掺杂，基极（B）是轻掺杂，集电极（C）是普通浓度掺杂。B、E之间加电源，使得发射结正偏。电源负极向E极输入电子（并且E极本就是高浓度掺杂，有大量的自由电子），电子被正极吸引形成回路。B、C之间加电源，使得集电极反偏。这个电源再一次增加了自由电子数量，并且使耗尽层增大。过程中，从E极出来大量的自由