Latchup最易产生在易受外部干扰的I/O电路处,也偶尔发生在内部电路。Latchup是指cmos晶片中,在电源powerVDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路,它的存在会使VDD和GND之间产生大电流。Latch-up发生的条件：(i)当两个BJT都导通，在VDD和GND之间产生低阻抗通路;(ii)两个晶体管反馈回路（feedbackl

【总是单纯将闩锁效应看成是形成pnp二极管正偏带来大的漏电流烧坏衬底，还是想着写详细点，也希望自己记得详细点的】定义当然还是这样：闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻通路

版图的艺术模拟版图和数字版图的首要目标首先考虑的三个问题匹配3.1匹配中心思想3.2匹配问题3.3如何匹配3.4MOS管3.5电阻3.6电容3.7匹配规则寄生效应4.1寄生的产生4.2寄生电容4.3寄生电阻4.4天线效应4.5闩锁效应噪声布局规划

提示：文章写完后，目录可以自动生成，如何生成可参考右边的帮助文档文章目录一、闩锁效应的概念及产生原因二、闩锁效应的等效电路和工作过程三、闩锁效应的解决办法总结一、闩锁效应的概念及产生原因闩锁效应指的是在

Latch-up  latchup是指cmos晶片中,在电源powerVDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT(BipolarJunctionTransistors)相互影响而产生的一低阻抗通路,它的存在会使VDD和GND之间产生大电流，损坏MOS管。  Inthesimplestway,thelatch-upissuecanbedefinedasaformationo

Welltap是一种反相器，在N基地防止击穿；防止闩锁效应。MetalFiller是物理填充物，保证金属密度，避免断线的情况出现。

以下为一个反相器，左边为nmos，右边为pmos。pmos是做在N-well中的，在N-well中会形成PNP三极管。NPN的发射极：nmos的N+注入层，基极：p-sub，集电极：pmos的n-wellnmos连接p-sub衬底，会形成NPN三极管。NPN的发射极：pmos的P+注入层，基极：n-well，集电极：p-sub在p-sub和n-well中分别存在两个电阻，衬底电阻Rs和n-well

WellTapCells我们在学习CMOS电路的时候都知道闩锁效应（latch-up），这种效应可以在短时间内烧毁CMOS器件。

latchup(闩锁效应)，在CMOS工艺中，由于npn和

主要防止CMOS器件的寄生闩锁效应（latch-up）一般tapcell的作用范围是30~40um,即每隔60um左右放置一个tapcell，具体的数据要参考工艺商给的documentwelltapce

1.latch-up闩锁效应是指在CMOS晶片中，在电源VDD和GND之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT互相影响而产生一低阻抗通路，它的存在会使VDD和GND之间产生大电流。

lathch-up的一般叫法是闩锁效应，wiki的英文解释是：a term us