MOSFET

工艺仿真+器件仿真助力SiC基Trench MOSFET模型的开发与机理研究

SiC基MOSFET可广泛地应用于并网逆变器、双有源桥双向直流变换器、电动汽车充电器、三相电机驱动器、固态断路器等领域；通过减小无源元件体积，可降低损耗和散热器体积，并极大程度上提高变换器的功率密度和工作频率
Simucal·2023-10-07 14:47

MS31703H 桥栅极驱动控制器，可P2P替代TI的DRV8703

它使用四个外部N通道MOSFET，驱动一个双向刷式直流电机。PH/EN、独立半桥或PWM允许轻松连接到控制器电路。内部传感放大器提供可调的电流控制。
Yyq13020869682·2023-10-07 12:41

一文看懂功率MOSFET FCP190N60 N沟道 基础知识

什么是MOSFET的原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体），FET（FieldEffectTransistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（
Hailey深力科·2023-10-06 12:30

ETA9640-中文资料-1A线性充电器的5V/1A同步升压电源组

这不仅消除了对外部MOSFET及其控制电路断开输入和输出
国兴顺电子·2023-10-06 11:06

CN3302中文资料-PFM 升压型双节锂电池充电控制集成电路

当接通输入电源后，CN3302进入充电状态，控制片外N沟道MOSFET导通，电感电流上升，当上升到外部电流检测
国兴顺电子·2023-10-06 11:36

DW02A DW02 SOT23-5封装 二合一锂电池保护IC芯片IC

DW02包含内部电源MOSFET、高精度电压检测电路和延迟电路。DW02具有电池应用中所需的所有保护功能，包括过充电、过放电、过电流和负载短路保护等。准确的过充电检测电压保证安全充分充电。
深圳恒森宇电子·2023-10-06 03:30

XC1336 高侧过压保护器 30V过压保护IC 可做OVP、高压开关

XC1336由一个电荷泵、一个可配置的功率MOSFET、一个电压参考、一个栅极驱动器和一些逻辑和保护模块组成。XC1336可以对输入浪涌做出反应，并在小于0.1u的时间内关闭开关。
深圳恒森宇电子·2023-10-06 03:30

Multisim14.0仿真（二十七）基于UC3842的反激式开关电源的设计及仿真

内部实现的电路包括用于精确占空比控制的修剪振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和理想适合于驱动功率MOSFET的高电流温度极输出。保护电路包括已建立的欠压锁定和电流限制。
corlin工作室·2023-09-29 10:05

SCT52A40，对标UCC27200、UCC27201半桥驱动IGBT/MOSFET栅极驱动器

特点：•8-24V宽供电电压•驱动高侧和低侧N通道MOSFET•4A峰值输出源电流和汇电流•升压电源电压范围可达120V•集成阴极负载二极管•TTL兼容输入，-10V输入•45ns传输延迟•1000pF
Yyq13020869682·2023-09-29 10:09

国产化SCT52241双通道下管IGBT/MOSFET栅极驱动器，可替代UCC27525A、ISL89165等

可替代UCC27525A、ISL89165的SCT52241SCT52241是是一款宽供电电压、双通道、高速、低测栅极驱动器，包括功率MOSFET，IGBT。
Yyq13020869682·2023-09-29 10:09

数明SLM27517能驱动MOSFET和IGBT功率开关 低侧栅极驱动器兼容UCC27517

SLM27517单通道，高速，低侧栅极驱动器器件可以有效地驱动MOSFET和IGBT功率开关。
Hailey深力科·2023-09-29 10:39

国产SCT52A40，对标UCC27200、UCC27201，半桥驱动IGBT/MOSFET栅极驱动器

SCT52A40是一种宽电源，高频栅极驱动器，包括高压侧和低压侧驱动器，用于半桥、全桥和降压电路和驱动离散N型MOSFET的转换器。4A峰值电流和汇电流能力可提高功率转换器的功率效率。
Yyq13020869682·2023-09-29 10:09

可替代UCC27200和UCC27201的半桥驱动IGBT/MOSFET栅极驱动器SCT52A40

SCT52A40是一种宽电源，高频栅极驱动器，包括高压侧和低压侧驱动器，用于半桥、全桥和降压电路和驱动离散N型MOSFET的转换器。4A峰值电流和汇电流能力可提高功率转换器的功率效率。
Yyq13020869682·2023-09-29 10:38

从零开始之了解电机及其控制（7）半桥驱动方式

定义以下三种分析中的每一种，都使电流从左向右流过负载硬开关强制阶段，控制电流从左向右流过负载，左上和右下MOSFET闭合。非强制阶段，高、低MOSFET均打开。由于电机的电感效
一只小白啊·2023-09-27 23:45

三极管和MOS管抗静电？|深圳比创达EMC

MOSFET的栅极源极之间是绝缘的，其GS之间有一个电容。根据U=Q/
szbcdEMC·2023-09-26 02:02

简单理解MOS管

说明：1、本文仅针对增强型MOS管（增强型绝缘栅场效应管MOSFET）。2、结型场效应管JFET和耗尽型绝缘栅场效应管管应用比较少，这里不做说明。
小智5287·2023-09-25 12:03

基本电子电路系列——MOS管

基本电子电路系列——MOS管北京寰方科技有限公司硬件工程师赵勇儒于2011年08月22日MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，英文：MOSFET（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
Innerpeace_yu·2023-09-24 11:25

手机芯片如何制作出来的

制程工艺：将硅晶棒切割成薄片，然后在这些薄片上制作电路图案，主要通过光刻、掺杂、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件。封装测试：将制作好的芯片进行封装和测试，以保护芯片的稳定性和可靠性。
嵌入式新手小张·2023-09-24 08:54

【C51开发应用】基于C51单片机开发的循迹灭火机器人

基于C51单片机开发的循迹灭火机器人一、作品摘要二、系统设计步骤三、方案设计3.1小车主体设计3.1.1购买玩具小车进行改装3.1.2自己设计小车主体结构3.2电机驱动模块3.2.1使用MOSFET构成
Leuanghing·2023-09-23 19:53

低噪声 256 细分微步进电机驱动MS35774/MS35774A(汽车应用级别）

MS35774/MS35774A是一款高精度、低噪声的两相步进电机驱动芯片，芯片内置功率MOSFET，长时间工作的平均电流可以达到1.4A，峰值电流2A。
Yyq13020869682·2023-09-23 04:24

5.5V-65V Vin同步降压控制器，具有线路前馈SCT82630DHKR

40ns受控高压侧MOSFET的最小导通时间支持高转换比，实现从48V输入到低压轨的直接降压转换，降低了系统复杂性和解决方案成本。如果需要，在低至6V的输入电压下降期间，以接近100%的占空比运行。
Yyq13020869682·2023-09-23 04:23

AP8660 DC-DC升压恒压芯片 PWM模式 内置24W

内部的软识启动功能可以降压涌入电流AP8660SOT23-6封装，可以为PCB提供节省空间特点可调输出，最高达到24W内部固定PWM频率：1.0MHZ反馈电压：0.6V内置0.25Ω,2A,26V功率MOSFET
世微 如初·2023-09-23 03:53

【开关稳压器】LMR16030SDDA、LMR38010FDDAR，汽车类LMR43610MSC5RPERQ1低 EMI 同步降压稳压器

一、LMR16030SDDA开关稳压器ICREGBUCKADJ3A8SOPWRLMR16030是一款带有集成型高侧MOSFET的60V、3ASIMPLESWITCHER降压稳压器。
Summer-明佳达电子·2023-09-22 22:41

氮化镓（GaN）FET GAN041-650WSBQ、GAN063-650WSAQ，MK22FN512VFX12R配备32位ARM® Cortex®-M4内核，具有120MHz频率 MCU。

GAN041采用TO-247封装，是一款常关型器件，将高压GaNHEMTH2技术和低压硅MOSFET
Summer-明佳达电子·2023-09-22 22:41

PCB布局的关键：开关节点波形？|深圳比创达EMC（1）

该电路节点将一个或多个功率半导体开关（例如MOSFET或二极管）连接到磁能存储设备（例如电感或变压器绕组），其开关信号包含了快速切换的dV/dt电压和dI/dt电流，它们很容易耦合到周围的电路上并产生噪声问题
szbcdEMC·2023-09-22 08:37

PCB布局的关键：开关节点走线尺寸满足电流？|深圳比创达EMC（3）

该电路节点将一个或多个功率半导体开关（例如MOSFET或二极管）连接到磁能存储设备（例如电感或变压器绕组），其开关信号包含了快速切换的dV/dt电压和dI/dt电流，它们很容易耦合到周围的电路上并产
szbcdEMC·2023-09-22 08:37

PCB布局的关键：SW节点的电场和磁场？|深圳比创达EMC（4）

该电路节点将一个或多个功率半导体开关（例如MOSFET或二极管）连接到磁能存储设备（例如电感或变压器绕组），其开关信号包含了快速切换的dV/dt电压和dI/dt电流，它们很容易耦合到周围的电路上并产生噪
szbcdEMC·2023-09-22 08:37

国产理想二极管控制器SCT53600，可替代TI的LM74700

SCT53600是一个理想二极管控制器，与外部n通道MOSFET作为一个理想的二极管整流器，低损耗反向极性保护，以取代肖特基二极管。SCT53600在4V到65V的宽电源电压范围内工作。
Yyq13020869682·2023-09-16 16:36

FP6102 20V、3A降压开关调节器芯片

FP6102包括高电流P-MOSFET，用于将输出电压与反馈放大器进行比较的高精度参考（0.5V），内部死时间控制器和用于控制最大占空比和PWM频率的振荡器。
2301_79312358·2023-09-13 19:14

4V-28V Vin，6A同步降压DCDC变换器，集成3.3V和150mA LDO——SCT2361FPBR

该器件将高、低压侧功率mosfet集成，使导通损耗降到最低。集成3.3V输出LDO的电源VIN与DC-DC变换器之间的路径管理输出功率达到更低的损耗和更好的热性能。SCT2361采用恒定时间（COT）
Yyq13020869682·2023-09-12 22:31

DC/DC开关电源学习笔记（四）开关电源电路主要器件及技术动态

功率场效应管MOSFET由于采用单极性多子导电，使开关时间显著地减小，又因其很容易达
小幽余生不加糖·2023-09-11 02:22

CN3905规格书|CN3905完全替代MT3905|pin to pin替代MT3905芯片

CN3905是一款低EMI、异步、降压、开关模式转换器，带有内部功率MOSFET。它提供了一个非常紧凑的解决方案，在广泛的输入电源范围内提供3.5A的连续电流，具有出色的负载和线路调节。
QQ1176845380·2023-09-10 17:00

闪存芯片的冷知识

闪存芯片的核心部分是浮栅晶体管（FloatingGateTransistor），它是一种特殊的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），它有两个栅极（Gate），一个是控制栅（ControlGate
大囚长·2023-09-09 22:50

MT36291 2.5A，高效型1.2MHz电流模式升压转换器芯片

MT362912.5A，高效型1.2MHz电流模式升压转换器芯片特征●集成了80ms功率的MOSFET●2.2V到16V的输入电压●1.2MHz固定开关频率●可调过电流保护：0.5A~2.5A●内部2.5
2301_79312358·2023-09-08 19:21

MT9700 80mΩ，可调快速响应限流配电开关芯片

MT970080mΩ，可调快速响应限流配电开关芯片特征符合USB规范集成80mΩ电源MOSFET低电源电流15μA典型开启状态1μA典型关闭状态宽输入电压Range：2.4V到5.5V快速瞬态响应
2301_79312358·2023-09-08 19:51

1200V的SiC - Trench - MOSFET的性能和耐久性

标题：PerformanceandRuggednessof1200VSiC-Trench-MOSFET摘要本文介绍了一种新颖的SiC沟槽MOSFET概念。
幻象空间的十三楼·2023-09-06 05:25

半导体器件结构测试稳定性中的加氢效应是什么

以下是其中一些常见的效应：氢通道降阻效应：当氢气渗入到金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的介质层中时，氢原子可以与氧原子形成氢氧化物，从而减少界面态密度，改善载流子迁
幻象空间的十三楼·2023-09-06 05:55

MOS场效应管

场效应管可以分成两大类，一类是结型场效应管（JFET），另一类是绝缘栅场效应管（MOSFET）。即使搜索“结型场效应管”，出来的也只有几种，你是不是怀疑结型场效应管已经
gd1984812·2023-09-03 02:07

AMEYA360报道：ROHM宣布推出新型MOSFET

然而，一般MOSFET的特点是导致功率损耗的两个主要参数：导通电阻（RDS（on）），与芯片尺寸成反比，以及栅极漏极电荷（Qgd）与芯片尺寸成比例增加，这使得实现两者具有挑战性。罗姆
ameya3600·2023-08-31 23:45

FQPF27P06 P沟道增强型MOS管电压、原理、导通条件！

关于P沟道增强型功率MOSFET？P沟道增强型功率MOSFET是一种常见的功率场效应晶体管，它主要用于功率放大和开关电路。与N沟道增强型MOSFET相比，P沟道增强型MOSFET的工作原理相反。
Hailey深力科·2023-08-30 21:11

Virtuoso: 工艺库、仿真模型

-知乎Pspice能支持哪些level的MOSFET模型？-知乎
Chipei Kung·2023-08-30 18:39

MOS管基础

  MOS管，是MOSFET的缩写。
温人之周.·2023-08-30 09:11

工业级芯片 | 拓尔微TMI8920/8940D集成化优势，替代分立器件

目前市面上的阀门驱动大部分还在使用传统P-MOSFET驱动电路。
拓尔微电子·2023-08-29 16:33

AP9234 9W升压恒流型 DCDC多串LED恒流驱动 2串3串 LED灯串

由于内置了低导通电阻的增强型N沟道功率MOSFET，因此适用于需要高效率、高输出电流的应用电路。另外，可通过在VSENSE端子连接电流检测电阻(RSENSE)来限制输出电流。
世微 如初·2023-08-29 09:21

世微AP9234 升压型DC/DC LED恒流驱动

由于内置了低导通电阻的增强型N沟道功率MOSFET，因此适用于需要高效率、高输出电流的应用电路。另外，可通过在VSENSE端子连接电流检测电阻(RSENSE)来限制输出电流。
sw18923706103·2023-08-29 09:18

一种基于异质结的SiC功率双沟道MOSFET，具有改进的开关性能和反向恢复。

Aheterojunction-basedSiCpowerdoubletrenchMOSFETwithimprovedswitchingperformanceandreverserecovery摘要在本文中，提出了一种基于异质结的SiC双沟道MOSFET
幻象空间的十三楼·2023-08-29 01:02

4H-SiC UMOSFET 结构中带有 p+-polySi/SiC 被屏蔽区的模拟研究

SimulationStudyof4H-SiCUMOSFETStructureWithp+-polySi/SiCShieldedRegion摘要在这篇论文中，我们提出了一种改进效率的4H-SiCU型沟槽栅MOSFET
幻象空间的十三楼·2023-08-29 01:32

具有优异导电性能且抑制了准饱和效应的1200V 4H-SiC沟槽MOSFET

1200V4H-SiCtrenchMOSFETwithsuperiorfigureofmeritandsuppressedquasi-saturationeffect摘要本文提出一种具有部分被埋层n区包围的p+屏蔽区的优异性能(FoM)1200V4H-SiC沟槽MOSFET
幻象空间的十三楼·2023-08-29 01:00

【ESD专题】电池包打ESD时的电流走向分析及防护指南

如下所示为高侧MOS电量计方案：在电量计（BMU）周边，有电芯、保护MOSFET、电流检测电阻、连接器等。在电量计左边的RC滤波电路是代表多个RC滤波电路，用于监控多节电芯的电压。
阳光宅男@李光熠·2023-08-27 15:06

简单易用的LMR33620CQ3RNXRQ1、LMR33620AQRNXRQ1、LMR33620AQ5RNXRQ1 汽车类 3.8V 至 36V、2A 同步降压转换器【Automotive】

125°C，TA•提供功能安全–可帮助进行功能安全系统设计的文档•专用于条件严苛的汽车应用–输入电压范围：3.8V至36V–输出电压范围：1V至24V–输出电流：2A–75mΩ/50mΩRDS-ON功率MOSFET
Summer-明佳达电子·2023-08-27 05:29
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