MOSFET

硬件设计电源系列文章-DCDC转换器布局设计

整体架构流程提示：这里可以添加技术整体架构开关电源电路模型布线L的长度1mm等效1nH；MOSFET的上升时间(tr)和下降时间(tf)为几ns。开关节点的振铃频率与MOSFET的tr和tf相
第二层皮-合肥·2023-06-10 17:35

MT1619

MT1619是一款PD快充开关电源转换器芯片，其内部集成了一颗高集成度、高性能的电流模式PWM控制器和一颗功率MOSFET。它适用于小于30W的开关电源设备。
QQ2169636881·2023-06-10 03:08

MT6705B 同步整流器

MT6705B集成了一个40V功率MOSFET，可以取代肖特基二极管，提高效率。VSWVTH-OFF时，内部MOSFET关闭。MT6705B集成自供电功能，不需要外接电源，支持高边整流与低边整流。
QQ2169636881·2023-06-10 03:05

VNF1048F芯片深入介绍

目录0.简介1.eFuse功能2.自测2.1电流感知自测2.2外部场效应管VDS检测自测（有待商榷）2.3外部场效应管卡接检测3.保护3.1电池欠压关断3.2设备过温关断3.3外部MOSFET过温关断3.4
头发够用的程序员·2023-06-07 10:10

场效应管（MOS）基础知识

MOSFET管是常用的半导体器件，又称为开关管、场效应管、英文名称（MOSFET),简称MOS管按元件封装工艺可分为两大类:插件类、贴片类。
su165108515·2023-04-21 17:35

应用在充电器领域中的中高压MOS管

MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。mos管的工作原理是金属氧化物半导体场效应晶体管（简称mos管），它是利用
nanfeng775a·2023-04-20 18:01

65W-1A2C接口氮化镓/GaN充电头

业界认为，在未来数年间，氮化镓功率器件的成本可望压低到和硅MOSFET、IGBT及整流器同等价格。充电头的工作
nanfeng775a·2023-04-20 18:31

拆解AUKEY傲基65W 2C1A超级硅充电器PA-D9WAYON维安WMZ26N65C4

AUKEY傲基65W2C1A超级硅充电器PA-D9也是用的WAYON维安WMZ26N65C4，这是一颗超结MOSFET，耐压650V，导阻0.16Ω，DFN8*8封装。
SZKOYUELEC深圳光与电子·2023-04-20 18:58

MOSFET 有几种类型

场效应管的分类按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管（DMN62D0U-7）既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
Sofie_6804·2023-04-18 12:42

LM5164学习记录

具有集成的高侧和低侧功率MOSFET，是一种低成本
SKYWALKERS_2397·2023-04-17 14:41

40N120-ASEMI低功耗场效应管40A 1200V

：40A电压：1200V恢复时间：正向电压：引脚数量：3芯片个数：1芯片尺寸：漏电流：10uA特性：低功耗场效应管工作温度：-55~+150℃MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET
ASEMI99·2023-04-15 08:25

MOS管、三极管、IGBT之间的因果关系 区别与联系最全解析-KIA MOS管

但是很少有人详细地、系统地从这句话抽丝剥茧，一层一层地分析为什么定义里说IGBT是由BJT和MOS组成的，它们之间有什么区别和联系，在应用的时候，什么时候能选择IGBT、什么时候选择BJT、什么时候又选择MOSFET
嵌入式小龙·2023-04-13 02:32

MOS管和IGBT有什么区别？别傻傻分不清了

MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管
纪客老白·2023-04-13 02:01

MOS管和IGBT区别，一看就懂

MOS管即MOSFET，又叫绝缘栅场效应管，是场效应管的一种类型。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
成都亿佰特电子科技有限公司·2023-04-13 02:29

MPCS-314P-T1一款光电耦合器 适用于驱动功率IGBT和MOSFET 门驱动器光电耦合器

MPCS-314P-T1光电耦合器适用于驱动功率IGBT和MOSFET，用于电机控制逆变器应用以及电源系统中的逆变器。它包含与集成电路光学耦合的LED带有功率输出级。
Hailey深力科·2023-04-12 08:28

能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET FOD8342TR2 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器

FOD8342TR2是一款3.0A输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET的快速开关驱动。
Hailey深力科·2023-04-12 08:57

解决一款防止系统和负载出现过大电流 可提供完全保护电流限制负载开关驱动器 FPF2702MX

包含一个摆率控制的N沟道MOSFET，摆率控制开启功能可防止由于“热插拔”负载或瞬间过大负载要求导致的电源总线干扰。输入电压范围为2.8V至36V。负载可使用低电压逻辑兼容ON引脚进行激活或取消激活。
Hailey深力科·2023-04-12 08:57

功率放大器TDA7851L

TDA7851L是一种突破性的MOSFET技术，AB级音频功率放大器，采用flexiWatt25封装，专为大功率汽车收音机设计。
TEL15622383762·2023-04-12 06:54

灵动微SPIN系列工业级芯片将进行AEC-Q100认证

Allinone集成了MOSFET，LDO，电阻网络，运放，系统外部只需要一些电阻电容；专用MCU针对电机控制设计，多种方案搭配多种封装。灵动微的程序、方
EVERSPIN·2023-04-12 06:53

ASEMI代理ADI（亚德诺）ADN8834ACBZ-R7车规级芯片

ADN8834ACBZ-R7驱动器电源电压VPVIN：2.7-5.5V控制器电源电压VVDD：2.7-5.5V电源电流IVDD：3.3mA关机电流ISD：350uA最大源电流：1.5A最大吸收电流：1.5AP型MOSFET
qyx3868·2023-04-12 00:44

ASEMI代理艾赛斯IXTY02N50D-TRL车规级MOSFET

编辑-Z艾赛斯车规级MOS管IXTY02N50D-TRL参数：型号：IXTY02N50D-TRL漏极-源极电压（VDS）：500V连续漏电流（ID）：200mA功耗（PD）：25W工作结温度（TJ）：-55to+150℃零栅极电压漏极电流（IDSS）：10uA漏极源导通电阻RDS(ON)：20Ω输入电容（CISS）：120pF二极管正向电压（VSD）：0.7V反向恢复时间（trr）：1usIXTY
qyx3868·2023-04-12 00:14

ASEMI场效应管AO3400概述，AO3400参数，AO3400特性曲线

编辑-ZAO3400结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)，适用于负载开关或在PWM应用。
qyx3868·2023-04-12 00:43

TPS54331DDAR降压芯片详解，一位电子大学生的日常分享（莱洛三角形的DC-DC降压部分）

目录一.芯片特性二：引脚定义三：经典电路四：参数调整一.芯片特性1.3.5~28v输入电压范围2.可调输出电压低至0.8V3.MOSFET支持3-A连续输出4.固定570kHz开关频率5.典型的1-A关机静态电流
憨猪在度假·2023-04-11 15:16

h桥驱动芯片_h桥驱动电路二极管的作用

H桥电路中mos管串联二极管的作用因为MOSFET的体二极管速度太慢，有反向直通，所以采用一个二极管串联在外面，外面再整体并联一个。而且高压瞬态完全不一样的，就现在大家做的逆变器，全桥，
weixin_39928686·2023-04-11 13:05

BLDC智能栅极驱动芯片之TMC6140知识分享

今天和大家分享一颗智能栅极驱动芯片完全集成的通用三相MOSFET栅极驱动器，适用于PMSM伺服或BLDC电机.支持高达100A电机电流的外部MOSFET.三个底部分流放大器可以轻松检测电流并增强电机的换向
TMC_CHINA·2023-04-11 13:58

[笔记]计算机基础 1 CPU①基础元件与加法器

文章目录1MOSFET(金属氧化物半导体效应晶体管)1.1半导体(N/P型掺杂)1.2NP结、耗尽层、二极管1.3MOSFET(NMOS/PMOS)2逻辑门2.1非门2.2或门与门或非门与非门2.3异或门同或门
Leafing_·2023-04-10 15:33

IU9019双通道H桥电机驱动芯片

每个H桥的功率输出模块由N沟道功率MOSFET组成，用于驱动电机绕组。每个H桥均具备调节或限制绕组电流的电路。
YFKlixiangning·2023-04-10 13:50

干货 | MOSFET开关：电源变换器基础知识及应用

MOSFET的工作原理金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种场效应晶体管(FET)电子器件。它可以充当压控电流源，并主要用作开关或用于放大电信号。
唯样商城123·2023-04-10 01:29

模拟IC设计——MOS计算及常见MOS管电路

1MOSFET概述场效应管与晶体管一样，也具有放大作用，但与普通晶体管是电流控制型器件相反，场效应管是电压控制型器件。它具有输入阻抗高、噪声低的特点。
KGback·2023-04-09 03:45

DCDC - 开关技术概览

在不同的工作区域有类似机械开关的工作特性：功率三极管（GiantTransistor,GTR）电力场效应晶体管（MentalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,翻译是金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET
JoYER_cc·2023-04-08 05:11

基于单片机的波形发生器设计

驱动电路：使用操作放大器或MOSFET进行驱动。显示器：可以使用LCD或OLED显示器。普源函数任意波形发生器DG
Agitek99·2023-04-06 22:12

学习笔记1

推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小、效率高。
Asen学习笔记·2023-04-02 20:01

DCDC相关

1.同步和异步同步：MOSFET管，效率高，价格贵，零件数多，电路复杂异步：二极管，效率低，价格低，电路简单同步整流上管S1和下管S2需要一相同频率信号以互补方式进行驱动，保证S1导通时S2截止，S1截止
KKLHUO·2023-04-02 20:29

Littelfuse 600V, 1A功率SIP继电器可为高性能开关应用提供高达4000V的输入与输出隔离

这款高度可靠的器件采用光耦合MOSFET技术提供4000Vrms输入与输出隔离。实际上，CPC1984YSIP继电器可在4000Vrms隔离电压条件下提供最佳的负载电压和负载电流组合。光耦合输出采用I
龙凤胎妈妈·2023-04-02 08:32

场效应管工作原理

MOS场效应管也被称为MOSFET，既MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。
一米阳光888·2023-03-26 05:05

元器件学习（2）：MOS管

MOS，是MOSFET的缩写，金属-氧化物半导体
ChristianLuuu·2023-03-24 02:17

场效应管工作原理

MOS场效应管也被称为MOSFET，既MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它普通有耗尽型和加强型两种。
一米阳光888·2023-03-17 10:13

绝缘栅场效应管(MOS管)

MOS管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。绝缘栅场效应管的栅极和源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，它一般有耗尽型和增强型两种。
xusiman·2023-03-11 06:11

mos管驱动与米勒平台介绍、消除

mos驱动设计1.选择适当的驱动芯片为了控制MOSFET，需要使用专门的驱动芯片。选择合适的芯片需要考虑MOSFET的电压和电流需求。常见的驱动芯片包括IR2110、IR2184、MIC4424等。
最后一个bug·2023-03-11 03:27

MP2494图纸 国产替代型号SC72001宽工作输入电压范围：4.5V 至 80V

产品特性和优势宽工作输入电压范围：4.5V至55V可调输出电压：0.8V至15V0.25O内部功率MOSFET开
jgxdz086·2023-03-10 18:23

MP2494 国产替代PIN TO PIN性能参数更优方案

产品概述：SC72001是一款内部集成有功率MOSFET管的降压型开关稳压器。以电流模式控制方式达到快速环路响应并提高环路的稳定性。
jgxdz086·2023-03-10 18:53

MOSFET 有几种类型

场效应管的分类按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS（DMP3056LDM-7）场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
维库网锁货采购客服舒小姐·2023-01-30 09:50

电压放大器如何测试线性稳压器

低压差线性稳压器是集成电路稳压器，经常用来电流主通道控制，芯片上集成导通电阻的mosfet，肖特基二极管、取样电阻和分压电阻等硬件电路，而且有过流保护和过温保护等功能，能够广泛应用在工业和消费类电子等二次电源设计
Aigtek安泰电子·2023-01-14 18:26

PCB电路板元件目标检测数据集（YOLO标签，1400张，9类目标）

9类目标，names:['Cap1','Cap2','Cap3','Cap4','MOSFET','Mov','Resestor','Resistor','Transformer']下载地址：PCB电路板元件目标检测数据集
share_data·2023-01-12 11:59

信号是怎么在晶体管中被放大的

大部分人在大学学的都是基于BJT的放大电路，但是实际使用的却更多是MOSFET结构。
小潮研究·2023-01-11 13:01

你的电路是抄来的还是算出来的？

在直流分析时，根据输入的直流栅电压即可提供电路的静态工作点，而根据MOSFET的I-V特性曲线可知，
凡亿教育·2023-01-10 19:20

数字IC验证：电路基础知识（数字IC、SOC等）

文章目录0SOC结构1数字IC设计的流程1.1逻辑综合的流程2电路基础2.1三极管BJT2.2MOSFET2.3CMOS2.4锁存器与触发器：RS/D/JK/T2.5最大项，最小项2.6加法器的种类和区别
IC Beginner·2023-01-10 15:21

有关UC3842芯片输出PWM波形不连续以及PWM频率与RT和CT上的锯齿波频率不一样问题的调试心得记录

具体电路图如下所示：主功率部分：控制部分电路：在调试过程中遇到如下问题：①MOSFET自举驱动的下降沿特别缓慢，通过江电路中电容C39和C37调大至3.3nF得以解决，目前驱动波形的上升沿和下降沿均在100ns
w14327885·2023-01-04 21:41

模拟集成电路设计基础知识(一)：MOS管结构及其I/V特性

文章目录MOSFET的基本结构MOSFET的I/V特性模拟集成电路的设计与数字集成电路的设计不同，数字集成电路倾向于使用现有集成电路的器件、模型来实现一些高级的功能，而模拟集成电路一方面要将半导体器件看作一个黑箱
BigOrangeZee·2023-01-04 21:30

电容应用：MOSFET的门源极并联电容

MOSFET门源极并联电容后，开关可靠性得到提升开关电路如下图电路解释开关电路如下图电路解释1.该电路用于高边开关，当MOS_ON网络拉低到地时，开关Q1导通；2.电路中D3作用为钳位Q1门源电压在12V
ZHU_YONG_LI·2022-12-28 01:42
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