MOSFET

轨道电流检测IC——FP135：3个电阻器增益设置，适用蓄电池充电器、SPS(适配器)、高侧导轨电流检测器

它包括一个差分输入放大器和一个带有源输出的MOSFET。有三个外部电阻，轨道电流信号可以很容易地转换为IC输出引脚的放大电压信号。此外，还可以通过改变这三个外部电阻器的值来调整增益。二、FP135特
调光IC小雅·2024-01-04 23:06

栅极驱动 IC 自举电路的设计与应用

1.介绍本文讲述了一种运用功率型MOSFET和IG
攻城狮Wayne·2024-01-04 13:54

SCT2330C——3.8V-28V输入，3A，低EMI，超低功耗同步降压DCDC转换器

描述：SCT2330C是3A同步buck变换器，输入电压范围高达28V，完全集成了80mΩ高压侧MOSFET和42mΩ低压侧MOSFET，提供高效降压DC-DC转换。
Yyq13020869682·2024-01-04 10:14

SCT52A40——120V，4A，高频高压侧和低压侧栅极驱动器，替代UCC27200/UCC27201/MIC4604YM等

•8-24V宽供电电压•驱动高侧和低侧N通道MOSFET•4A峰值输出源电流和汇电流•升压电源电压范围可达120V•集成阴极负载二极管•TTL兼容输入，-10V输入•45ns传输延迟•1000pF负载下
Yyq13020869682·2024-01-04 10:39

Multisim仿真实例（1-10）

电路图：输入输出结果：2、基于MOSFET的DC-AC全桥逆变电路该电路利用电压源线性控制Q1/Q3与Q2/Q4导通从而改变电流流过负载的方向，将直流信号逆变成交流信号。电路图：输入输出结果：3、SV
Runner.DUT·2024-01-04 05:09

数字IC设计——数字电路基本元器件

现代数字集成电路基本由CMOS晶体管构成，而CMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成，所谓“互补”，即利用互补型MOSFET，即pMOS和nMOS，二者成对出现构成互补电路
KGback·2024-01-03 23:03

SCT2600——65V输出0.6A非同步整流DCDC转换器，可替代LV2862/LMR16006Y

•宽输入范围：4.5V-60V•高达0.6A的连续输出电流•0.765V±2.5%反馈参考电压•集成500mΩ高压侧MOSFET•低静态电流为80uA•轻负载下的脉冲跳过模式（PSM）•最小接通时间80ns
Yyq13020869682·2024-01-03 21:04

SCT2601，可替代LMR16006X/MP2459/MP2456；4.5V-60V Vin，0.6A，高效降压DCDC转换器

•宽输入范围：4.5V-60V•高达0.6A的连续输出电流•0.765V±2.5%反馈参考电压•集成500mΩ高压侧MOSFET•低静态电流为80uA•轻负载下的脉冲跳过模式（PSM）•最小接通时间80ns
Yyq13020869682·2024-01-03 21:04

【电子通识】开关的种类

电子开关采用BJT、MOSFET、IGBT等技术和其他半导体设计，由于成本不断降低、功能不断扩展，因此受到越来越多的关注。日常使用的机械操作式开关仍然是最常用的开关解决方案。本文探讨开关基
阳光宅男@李光熠·2024-01-01 11:35

一个有趣的MOSFET电路-触摸调光电路

刚好最近在学模拟电路的MOSFET，我之前的理解是MOSFET的控制电压应该加在Gate和Source之间，也就是栅极和源极之间，但这个电路图中，控制电压却是在Gate栅极和Drain漏极之间的，这是如何工作的
微风好飞行·2024-01-01 10:28

MOSFET管驱动设计细节,波形分析

MOSFET管驱动设计细节,波形分析Chapter1MOSFET管驱动设计细节,波形分析MOSFET驱动芯片的内部结构MOS驱动电路设计需要注意的地方MOS管驱动电路参考MOS管驱动电路的布线设计常见的
宁静致远2021·2024-01-01 07:20

为什么与 MOSFET 栅极并联的 ZENER 二极管可能会引发振荡，要将其连接到栅极串阻的外侧？？？

在MOSFET驱动电路中，并联在栅极上的齐纳二极管（Zenerdiode）通常用来限制栅极电压，防止过压损坏MOSFET。
手搓机械·2023-12-31 21:44

数字电路基础

大部分数字电路是基于叫做MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Ef
曹元_·2023-12-31 21:55

晶体管FDS86106的资料

制造商编号：FDS86106制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SO-8通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds
冰VIVI66·2023-12-31 12:43

国产无刷直流电机驱动芯片GC4931P，可以驱动N 型功率 MOSFET， 最高电源到 36V。可替代A4931/allegro

芯片可以驱动N型功率MOSFET，最高电源到36V。芯片状态切换逻辑受三个相位差为120°的霍尔输入确定。
2301_79716471·2023-12-30 08:55

OR-3120——IGBT驱动光耦，替代HCPL-3120，FOD3120，TLP250H等等

具有MOSFET高输入阻抗和GTR低导通压降特性提供隔离反馈高隔离电压3.0A输出电流工业温度范围：–40°C至110°C宽工作VCC范围特点：VCM=1500V时最小共模抑制（CMR）为35kV/μs
Yyq13020869682·2023-12-29 20:47

国产POE芯片-XS2184四通道，兼容 IEEE 802.3at/af，内建 N-MOSFET以太网供电 PSE 控制器

XS2184是一个四通道、供电设备（PSE）电源控制器，内建N通道MOSFET，设计用于IEEE®802.3at/af兼容PSE。器件提供用电设备（PD）侦测、分级、限流以及负载断开检测。
Yyq13020869682·2023-12-26 01:26

异步Buck升级为同步Buck注意点总结（摘自芯洲）

1介绍图2所示，异步Buck变换器采用肖特基二极管作为续流管，而同步Buck变换器用MOSFET替代肖特基二极管进行续流，由于MOSFET的导通电阻很低，所以导通损耗较低，而肖特基二极管的损耗为其正向导通压降乘以电流
Yyq13020869682·2023-12-26 01:25

MOS管详解-1

张飞电子-MOS管00MOS管选型关键参数01MOSFET的认识及三极管对比功耗02MOSFET损耗问题及GS电容问题03MOSFET的GS下拉电阻及等效模型04MOSFET导通阈值及Cgs和下拉电阻分流
一记绝尘·2023-12-24 22:49

MOSFET我们通常也叫mos管，场效应管

MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor的缩写）,萨科微slkor（www.slkoric.com）销售工程师孙高飞为大家介绍说，MOSFET
chbin9935·2023-12-24 03:54

分立半导体 CTS521二极管、AONS62922（N）场效应管、PJQ4401P（P）增强型MOSFET、AZ5A25-01F.R7G（ESD）瞬态电压抑制器件

1、CTS521二极管30V200mA表面贴装型SOD-882CTS521小信号肖特基势垒二极管采用SOD-882封装、电压和额定电流，可满足各种设计要求。电压范围为30V，平均电流为200mA。该小信号肖特基势垒二极管具有高速开关和低漏电流特性。技术：肖特基电压-DC反向(Vr)（最大值）：30V电流-平均整流(Io)：200mA不同If时电压-正向(Vf)：500mV@200mA速度：小信号=
Summer-明佳达电子·2023-12-23 18:19

XT3410 是一款由基准电压源、振荡电路、比较器、PWM/PFM 控制电路等构成的 CMOS 降压型 DC/DC 调整器。

XT3410内置功率MOSFET，集成了过压、过流、过热、短路等诸多保护电路，在超过控制值时会自动断开，以保护芯片。本产品结合
yucan-13760366207·2023-12-23 08:25

MP1655GG-Z MPS/美国芯源 MOSFET 的开关模式转换器 资源 方案

MP1655是一个完全集成的，高频，同步，整流，降压，内部功率MOSFET的开关模式转换器。
禾川兴科技·2023-12-23 07:04

高集成高能效FAN21SV04MPX 单输入集成同步降压调节器技术解析

FAN21SV04MPX采用经过优化的互联方式将同步MOSFET和控制器/驱动器包含在一个封装中，使得设计人员能够使用最少的外部元件，在较小面积中满足高电流要求，从而降低成本。
Hailey深力科·2023-12-22 03:11

CN3302 PFM升压型双节电池充电控制集成电路外置MOS管 双节锂电池充电IC

当接通输入电源后，CN3302进入充电状态，控制片外N沟道MOSFET导通，电感电流上升，当上升到外部电流检测电阻设置的上
深圳恒森宇电子·2023-12-21 22:51

深入浅出讲解半桥栅极驱动器IC FAN7382MX

FAN7382MX是单片高端栅极驱动器IC,可以驱动最高在+600V下运行的MOSFET和IGBT。安森美的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高dv/dt干扰情况下的稳定运行。
Hailey深力科·2023-12-20 04:20

40V TPHR8504PL N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻特性，有助于提高电源效率

TPHR8504PL是一种MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），它是40VoltN-沟道MOSFET，由N型沟道和P型衬底构成，而P-沟道MOSFET则由P型沟道和N型衬底构成。
Hailey深力科·2023-12-20 04:20

SiLM5350MDBCA-DG车规级隔离驱动芯片，我们能为汽车智能提供什么？

SiLM5350MDBCA-DG是一款适用于IGBT、MOSFET的单通道隔离门极驱动器，具有10A拉电流和10A灌电流驱动能力。提供内部钳位功能，可单独控制上升时间和下降时间。
Hailey深力科·2023-12-20 04:49

MS31703NA，替代DRV8703,H 桥栅极驱动控制器

它使用四个外部N通道MOSFET，驱动一个双向刷式直流电机。PH/EN、独立半桥或PWM允许轻松连接到控制器电路。内部传感放大器提供可调的电流控制。
Yyq13020869682·2023-12-19 23:00

YB1161是一款高效同步升压转换器低至1pA的超低静态电流。

这消除了对外部MOSFET及其控制电路，用于断开输入输出，并提供强大的输出过载保护。1.4MHz的开关频率通过允许使用微型和薄型电感器和陶瓷电容器。
yucan-13760366207·2023-12-19 21:33

YB4068 12V高输入耐压单节锂电池线性充电芯片

不需要外部检测电阻，并且由于内部mosfet架构，不需要阻塞二极管。热反馈调节充电电流以在高功率操作或高环境温度期间提供管芯温度。该电压固定在4.2V，并且可以通过单个电阻器在外部对电流进行编程。
yucan-13760366207·2023-12-19 21:33

BQ25898DYFFR 4A电池充电器、D2315-5R0E贴片电感、PMZ290UNE2和PB5A2BX均是N型场效应管（MOSFET）

1、BQ25898DYFFR具有电源路径和HVDCP的I2C单节4A降压电池充电器bq25898/98D是一款适用于单节锂离子电池和锂聚合物电池的高度集成型4A开关模式电池充电管理和系统电源路径管理器件。该器件支持高输入电压快速充电，适用于各类智能手机、平板电脑和便携式设备。其低阻抗电源路径对开关模式运行效率进行了优化、其低阻抗电源路径对开关模式运行效率进行了优化、缩短了电池充电时间并延长了放电阶
Mandy_明佳达电子·2023-12-19 19:06

RY2334AT6中文资料—30V高压侧过电压保护器-RY蕊源

RY2334由电荷泵、可配置功率MOSFET、电压基准、栅极驱动器以及一些逻辑和保护模块组成。RY2334可以很快对输入浪涌做出反应，并在不到0.1us的时间内关闭开关。
国兴顺电子·2023-12-18 20:13

国产电源芯片SCT2450QSTER，替代TPS54540-Q1，车规级36V 5A输出同步降压DCDC转换器

其输入电压范围为3.8V到36V，集成了48mΩ高压侧MOSFET和23mΩ低压侧MOSFET。
Yyq13020869682·2023-12-18 15:18

低噪声 256 细分微步进电机驱动MS35776

芯片内置功率MOSFET，长时间工作平均电流可以达到1.4A，峰值电流2A。芯片集成了欠压保护、过流保护、短地保护、短电源保护、过温保护的保护功能。
Yyq13020869682·2023-12-18 15:18

辅助电源交流220V转5V200mA输出，不需要变压器

今天，我们将为您介绍一款交流220V转5V200mA非隔离辅助电源芯片，其具有内置高可靠性MOSFET、超低成本、超小封装、低功耗等优点，广泛应用于智能家居、小家电、MCU单片机供电以及LED驱动照明等领
YXI32476IOOO1·2023-12-18 14:15

12V转24V10A升压同步整流芯片：高效能解决方案

这款升压同步整流芯片具有以下六大特性：1.升压同步整流方案：采用同步整流MOSFET代替传统异步变换器的续流二极管，极
YXI32476IOOO1·2023-12-18 14:13

MOS基础知识

类似NPN三极管P沟道MOSFET中使用的衬底类型是N型。类似P
暴躁的野生猿·2023-12-18 09:43

MOSFET米勒平台效应

MOSFET的等效模型：导通过程波形图：分为4个阶段：t0-t1：驱动电流由0到1，给Cgs电容充电，栅极电压开始上升，直到栅极t1时刻，栅极电压等于MOS管开通的门限电压Vtht1-t2:MOS管开始导通
Nonechance·2023-12-17 21:42

锂电3V升12V1A升压芯片WT3209

3V升12V1A,5V升12V1AWT3209内部集成的功率MOSFET管导通电阻为上管13mΩ和下管11mΩ，具备2A开关电流能力，并且能够提供高达12.6V的输出电压。
ye15012777455·2023-12-17 02:51

12V升19V4A升压芯片同步升压WT3211

12V升19V4A升压芯片同步升压WT3211WT3211是一款高性能同步升压控制器，输入3V至32V输出外置MOS可驱动N沟道MOSFET。同步整流可提升效率，降低功率损耗并降低热要求。
ye15012777455·2023-12-16 17:55

WT3210同步升压大功率大电流芯片

WT3210是一款高功率密度的全集成同步升压转换器，内部集成的功率MOSFET管导通电阻为上管8mΩ和下管15mΩ。可为便携式系统提供空间小尺寸解决方案。
ye15012777455·2023-12-16 17:24

12V升18V4A同步升压恒压WT3210

12V升18V4A同步升压恒压WT3210WT3210是一款高功率密度的全集成同步升压转换器，内部集成的功率MOSFET管导通电阻为上管8mΩ和下管15mΩ。可为便携式系统提供空间小尺寸解决方案。
ye15012777455·2023-12-16 16:45

SiC MOSFET体二极管双极性退化及电流密度影响的研究

标题：InvestigationofthebipolardegradationofSiCMOSFETbodydiodesandtheinfluenceofcurrentdensity(IEEEInternationalReliabilityPhysicsSymposium(IRPS))摘要摘要-双极退化在使用双极操作模式的4H-SiC器件中仍然是一个需要考虑的关键问题。在4H-SiC器件中，由于复
幻象空间的十三楼·2023-12-16 12:20

内置功率 MOSFET 的高频同步整流降压开关变换器

一、基本描述MP2315是一款内置功率MOSFET的高频同步整流降压开关变换器。它提供了非常紧凑的解决方案，在宽输入范围内可实现3A连续输出电流，具有出色的负载和线性调整率。
攻城狮Wayne·2023-12-16 02:04

台积电谈2nm的实现方式

台积电：未来十年的CMOS器件技术平面MOSFET的栅极长度(Gatelength：Lg)缩放限制在大约25nm，因为单表面栅极（singlesurfacegat
公众号:肉眼品世界·2023-12-15 08:54

可替代LM5145，5.5V-100V Vin同步降压控制器_SCT82A30

40ns受控高压侧MOSFET的最小导通时间支持高转换比，实现从48V输入到低压轨的直接降压转换，降低了系统复杂性和解决方案成本。如果需要，在低至6V的输入电压下降期间，以接近100%的占空比运行。
Yyq13020869682·2023-12-15 06:51

【硬件】通俗易懂的讲解晶体管（三极管和MOS管）的工作原理

我们将重点介绍两种最常见的晶体管：双极型晶体管（三极管）和MOSFET。晶体管的工作原理其实是类似于电子开关。它可以打开和关闭电路。一个简单的思考方法是将晶体管视为无源的继电器。晶体管类
玩转单片机与嵌入式·2023-12-15 03:45

YB9225是一种固定工作频率的高效率电流模式升压转换器。

功率MOSFET的峰值电流限制在5A。1.2MHz的工作频率使L和C值最小，内部补偿网络减少了外部元件的数量。SOP8-EP封装为PCB散热提供了最佳的解决方案。特点：宽输入R
yucan-13760366207·2023-12-14 23:05

亿胜盈科 HT4182,HT4186,HT4188 电量均衡 同步升压型 双节理电池充电器

HT4182，HT4186，HT4188采用同步升压结构，内置MOSFET，外W元件简单。通过调节外部电阻，可任意调节充电电流，支持1.6A，效率超过90%。
YHPsophie·2023-12-06 18:09
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