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MOSFET
【电子通识】开关的种类
电子开关采用BJT、
MOSFET
、IGBT等技术和其他半导体设计,由于成本不断降低、功能不断扩展,因此受到越来越多的关注。日常使用的机械操作式开关仍然是最常用的开关解决方案。本文探讨开关基
阳光宅男@李光熠
·
2024-01-01 11:35
硬件
嵌入式硬件
经验分享
一个有趣的
MOSFET
电路-触摸调光电路
刚好最近在学模拟电路的
MOSFET
,我之前的理解是
MOSFET
的控制电压应该加在Gate和Source之间,也就是栅极和源极之间,但这个电路图中,控制电压却是在Gate栅极和Drain漏极之间的,这是如何工作的
微风好飞行
·
2024-01-01 10:28
电子技术
电子电路
MOSFET
管驱动设计细节,波形分析
MOSFET
管驱动设计细节,波形分析Chapter1
MOSFET
管驱动设计细节,波形分析
MOSFET
驱动芯片的内部结构MOS驱动电路设计需要注意的地方MOS管驱动电路参考MOS管驱动电路的布线设计常见的
宁静致远2021
·
2024-01-01 07:20
物联网
嵌入式硬件
为什么与
MOSFET
栅极并联的 ZENER 二极管可能会引发振荡,要将其连接到栅极串阻的外侧???
在
MOSFET
驱动电路中,并联在栅极上的齐纳二极管(Zenerdiode)通常用来限制栅极电压,防止过压损坏
MOSFET
。
手搓机械
·
2023-12-31 21:44
嵌入式硬件
设计规范
数字电路基础
大部分数字电路是基于叫做
MOSFET
(Metal-Oxide-SemiconductorField-Ef
曹元_
·
2023-12-31 21:55
晶体管FDS86106的资料
制造商编号:FDS86106制造商:ONSemiconductor产品种类:
MOSFET
技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SO-8通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds
冰VIVI66
·
2023-12-31 12:43
国产无刷直流电机驱动芯片GC4931P,可以驱动N 型功率
MOSFET
, 最高电源到 36V。可替代A4931/allegro
芯片可以驱动N型功率
MOSFET
,最高电源到36V。芯片状态切换逻辑受三个相位差为120°的霍尔输入确定。
2301_79716471
·
2023-12-30 08:55
单片机
嵌入式硬件
OR-3120——IGBT驱动光耦,替代HCPL-3120,FOD3120,TLP250H等等
具有
MOSFET
高输入阻抗和GTR低导通压降特性提供隔离反馈高隔离电压3.0A输出电流工业温度范围:–40°C至110°C宽工作VCC范围特点:VCM=1500V时最小共模抑制(CMR)为35kV/μs
Yyq13020869682
·
2023-12-29 20:47
深圳奥伦德
单片机
嵌入式硬件
国产POE芯片-XS2184四通道,兼容 IEEE 802.3at/af,内建 N-
MOSFET
以太网供电 PSE 控制器
XS2184是一个四通道、供电设备(PSE)电源控制器,内建N通道
MOSFET
,设计用于IEEE®802.3at/af兼容PSE。器件提供用电设备(PD)侦测、分级、限流以及负载断开检测。
Yyq13020869682
·
2023-12-26 01:26
芯昇电子
嵌入式硬件
异步Buck升级为同步Buck注意点总结(摘自芯洲)
1介绍图2所示,异步Buck变换器采用肖特基二极管作为续流管,而同步Buck变换器用
MOSFET
替代肖特基二极管进行续流,由于
MOSFET
的导通电阻很低,所以导通损耗较低,而肖特基二极管的损耗为其正向导通压降乘以电流
Yyq13020869682
·
2023-12-26 01:25
芯洲科技
嵌入式硬件
MOS管详解-1
张飞电子-MOS管00MOS管选型关键参数01
MOSFET
的认识及三极管对比功耗02
MOSFET
损耗问题及GS电容问题03
MOSFET
的GS下拉电阻及等效模型04
MOSFET
导通阈值及Cgs和下拉电阻分流
一记绝尘
·
2023-12-24 22:49
硬件
MOS管
MOSFET
硬件
电子元器件
电路
MOSFET
我们通常也叫mos管,场效应管
MOSFET
(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor的缩写),萨科微slkor(www.slkoric.com)销售工程师孙高飞为大家介绍说,
MOSFET
chbin9935
·
2023-12-24 03:54
单片机
嵌入式硬件
分立半导体 CTS521二极管、AONS62922(N)场效应管、PJQ4401P(P)增强型
MOSFET
、AZ5A25-01F.R7G(ESD)瞬态电压抑制器件
1、CTS521二极管30V200mA表面贴装型SOD-882CTS521小信号肖特基势垒二极管采用SOD-882封装、电压和额定电流,可满足各种设计要求。电压范围为30V,平均电流为200mA。该小信号肖特基势垒二极管具有高速开关和低漏电流特性。技术:肖特基电压-DC反向(Vr)(最大值):30V电流-平均整流(Io):200mA不同If时电压-正向(Vf):500mV@200mA速度:小信号=
Summer-明佳达电子
·
2023-12-23 18:19
明佳达优势
经验分享
综合资源
其他
XT3410 是一款由基准电压源、振荡电路、比较器、PWM/PFM 控制电路等构成的 CMOS 降压型 DC/DC 调整器。
XT3410内置功率
MOSFET
,集成了过压、过流、过热、短路等诸多保护电路,在超过控制值时会自动断开,以保护芯片。本产品结合
yucan-13760366207
·
2023-12-23 08:25
芯片
百度
MP1655GG-Z MPS/美国芯源
MOSFET
的开关模式转换器 资源 方案
MP1655是一个完全集成的,高频,同步,整流,降压,内部功率
MOSFET
的开关模式转换器。
禾川兴科技
·
2023-12-23 07:04
MPS1655
大数据
芯片
高集成高能效FAN21SV04MPX 单输入集成同步降压调节器技术解析
FAN21SV04MPX采用经过优化的互联方式将同步
MOSFET
和控制器/驱动器包含在一个封装中,使得设计人员能够使用最少的外部元件,在较小面积中满足高电流要求,从而降低成本。
Hailey深力科
·
2023-12-22 03:11
FAN21SV04MPX
安森美深力科
单输入集成同步降压调节器
深力科同步降压调节器
深力科FAN21SV04
CN3302 PFM升压型双节电池充电控制集成电路外置MOS管 双节锂电池充电IC
当接通输入电源后,CN3302进入充电状态,控制片外N沟道
MOSFET
导通,电感电流上升,当上升到外部电流检测电阻设置的上
深圳恒森宇电子
·
2023-12-21 22:51
单片机
嵌入式硬件
深入浅出讲解半桥栅极驱动器IC FAN7382MX
FAN7382MX是单片高端栅极驱动器IC,可以驱动最高在+600V下运行的
MOSFET
和IGBT。安森美的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高dv/dt干扰情况下的稳定运行。
Hailey深力科
·
2023-12-20 04:20
FAN7382MX深力科
深力科半桥栅极驱动器IC
安森美深力科
40V TPHR8504PL N沟道功率
MOSFET
具有业界领先的低导通电阻特性,有助于提高电源效率
TPHR8504PL是一种
MOSFET
(金属氧化物半导体场效应晶体管),它是40VoltN-沟道
MOSFET
,由N型沟道和P型衬底构成,而P-沟道
MOSFET
则由P型沟道和N型衬底构成。
Hailey深力科
·
2023-12-20 04:20
TPHR8504PL深力科
深力科N沟道功率MOSFET
深力科功率MOSFET
SiLM5350MDBCA-DG车规级隔离驱动芯片,我们能为汽车智能提供什么?
SiLM5350MDBCA-DG是一款适用于IGBT、
MOSFET
的单通道隔离门极驱动器,具有10A拉电流和10A灌电流驱动能力。提供内部钳位功能,可单独控制上升时间和下降时间。
Hailey深力科
·
2023-12-20 04:49
SiLM5350MD
深力科SiLM5350
数明深力科
深力科隔离驱动芯片
深力科隔离门极驱动器
MS31703NA,替代DRV8703,H 桥栅极驱动控制器
它使用四个外部N通道
MOSFET
,驱动一个双向刷式直流电机。PH/EN、独立半桥或PWM允许轻松连接到控制器电路。内部传感放大器提供可调的电流控制。
Yyq13020869682
·
2023-12-19 23:00
杭州瑞盟科技
单片机
嵌入式硬件
YB1161是一款高效同步升压转换器低至1pA的超低静态电流。
这消除了对外部
MOSFET
及其控制电路,用于断开输入输出,并提供强大的输出过载保护。1.4MHz的开关频率通过允许使用微型和薄型电感器和陶瓷电容器。
yucan-13760366207
·
2023-12-19 21:33
芯片
百度
YB4068 12V高输入耐压单节锂电池线性充电芯片
不需要外部检测电阻,并且由于内部
mosfet
架构,不需要阻塞二极管。热反馈调节充电电流以在高功率操作或高环境温度期间提供管芯温度。该电压固定在4.2V,并且可以通过单个电阻器在外部对电流进行编程。
yucan-13760366207
·
2023-12-19 21:33
芯片
百度
BQ25898DYFFR 4A电池充电器、D2315-5R0E贴片电感、PMZ290UNE2和PB5A2BX均是N型场效应管(
MOSFET
)
1、BQ25898DYFFR具有电源路径和HVDCP的I2C单节4A降压电池充电器bq25898/98D是一款适用于单节锂离子电池和锂聚合物电池的高度集成型4A开关模式电池充电管理和系统电源路径管理器件。该器件支持高输入电压快速充电,适用于各类智能手机、平板电脑和便携式设备。其低阻抗电源路径对开关模式运行效率进行了优化、其低阻抗电源路径对开关模式运行效率进行了优化、缩短了电池充电时间并延长了放电阶
Mandy_明佳达电子
·
2023-12-19 19:06
明佳达电子
经验分享
综合资源
其他
RY2334AT6中文资料—30V高压侧过电压保护器-RY蕊源
RY2334由电荷泵、可配置功率
MOSFET
、电压基准、栅极驱动器以及一些逻辑和保护模块组成。RY2334可以很快对输入浪涌做出反应,并在不到0.1us的时间内关闭开关。
国兴顺电子
·
2023-12-18 20:13
数据分析
硬件工程
嵌入式硬件
单片机
国产电源芯片SCT2450QSTER,替代TPS54540-Q1,车规级36V 5A输出同步降压DCDC转换器
其输入电压范围为3.8V到36V,集成了48mΩ高压侧
MOSFET
和23mΩ低压侧
MOSFET
。
Yyq13020869682
·
2023-12-18 15:18
芯洲科技
嵌入式硬件
低噪声 256 细分微步进电机驱动MS35776
芯片内置功率
MOSFET
,长时间工作平均电流可以达到1.4A,峰值电流2A。芯片集成了欠压保护、过流保护、短地保护、短电源保护、过温保护的保护功能。
Yyq13020869682
·
2023-12-18 15:18
杭州瑞盟科技
单片机
嵌入式硬件
辅助电源交流220V转5V200mA输出,不需要变压器
今天,我们将为您介绍一款交流220V转5V200mA非隔离辅助电源芯片,其具有内置高可靠性
MOSFET
、超低成本、超小封装、低功耗等优点,广泛应用于智能家居、小家电、MCU单片机供电以及LED驱动照明等领
YXI32476IOOO1
·
2023-12-18 14:15
220v转12v芯片
220v降5v电源模块
物联网
单片机
嵌入式硬件
12V转24V10A升压同步整流芯片:高效能解决方案
这款升压同步整流芯片具有以下六大特性:1.升压同步整流方案:采用同步整流
MOSFET
代替传统异步变换器的续流二极管,极
YXI32476IOOO1
·
2023-12-18 14:13
升压芯片
单片机
嵌入式硬件
物联网
MOS基础知识
类似NPN三极管P沟道
MOSFET
中使用的衬底类型是N型。类似P
暴躁的野生猿
·
2023-12-18 09:43
硬件
MOS
PMOS
NMOS
MOSFET
米勒平台效应
MOSFET
的等效模型:导通过程波形图:分为4个阶段:t0-t1:驱动电流由0到1,给Cgs电容充电,栅极电压开始上升,直到栅极t1时刻,栅极电压等于MOS管开通的门限电压Vtht1-t2:MOS管开始导通
Nonechance
·
2023-12-17 21:42
嵌入式硬件
锂电3V升12V1A升压芯片WT3209
3V升12V1A,5V升12V1AWT3209内部集成的功率
MOSFET
管导通电阻为上管13mΩ和下管11mΩ,具备2A开关电流能力,并且能够提供高达12.6V的输出电压。
ye15012777455
·
2023-12-17 02:51
单片机
嵌入式硬件
其他
硬件工程
1024程序员节
12V升19V4A升压芯片同步升压WT3211
12V升19V4A升压芯片同步升压WT3211WT3211是一款高性能同步升压控制器,输入3V至32V输出外置MOS可驱动N沟道
MOSFET
。同步整流可提升效率,降低功率损耗并降低热要求。
ye15012777455
·
2023-12-16 17:55
DC-DC升压ic
硬件工程
其他
1024程序员节
嵌入式硬件
单片机
WT3210同步升压大功率大电流芯片
WT3210是一款高功率密度的全集成同步升压转换器,内部集成的功率
MOSFET
管导通电阻为上管8mΩ和下管15mΩ。可为便携式系统提供空间小尺寸解决方案。
ye15012777455
·
2023-12-16 17:24
硬件工程
12V升18V4A同步升压恒压WT3210
12V升18V4A同步升压恒压WT3210WT3210是一款高功率密度的全集成同步升压转换器,内部集成的功率
MOSFET
管导通电阻为上管8mΩ和下管15mΩ。可为便携式系统提供空间小尺寸解决方案。
ye15012777455
·
2023-12-16 16:45
DC-DC升压ic
单片机
嵌入式硬件
硬件工程
其他
1024程序员节
SiC
MOSFET
体二极管双极性退化及电流密度影响的研究
标题:InvestigationofthebipolardegradationofSiCMOSFETbodydiodesandtheinfluenceofcurrentdensity(IEEEInternationalReliabilityPhysicsSymposium(IRPS))摘要摘要-双极退化在使用双极操作模式的4H-SiC器件中仍然是一个需要考虑的关键问题。在4H-SiC器件中,由于复
幻象空间的十三楼
·
2023-12-16 12:20
文献阅读
器件学习
内置功率
MOSFET
的高频同步整流降压开关变换器
一、基本描述MP2315是一款内置功率
MOSFET
的高频同步整流降压开关变换器。它提供了非常紧凑的解决方案,在宽输入范围内可实现3A连续输出电流,具有出色的负载和线性调整率。
攻城狮Wayne
·
2023-12-16 02:04
芯片的设计与验证案例
单片机
嵌入式硬件
台积电谈2nm的实现方式
台积电:未来十年的CMOS器件技术平面
MOSFET
的栅极长度(Gatelength:Lg)缩放限制在大约25nm,因为单表面栅极(singlesurfacegat
公众号:肉眼品世界
·
2023-12-15 08:54
人工智能
大数据
编程语言
电子商务
xhtml
可替代LM5145,5.5V-100V Vin同步降压控制器_SCT82A30
40ns受控高压侧
MOSFET
的最小导通时间支持高转换比,实现从48V输入到低压轨的直接降压转换,降低了系统复杂性和解决方案成本。如果需要,在低至6V的输入电压下降期间,以接近100%的占空比运行。
Yyq13020869682
·
2023-12-15 06:51
芯洲科技
单片机
嵌入式硬件
【硬件】通俗易懂的讲解晶体管(三极管和MOS管)的工作原理
我们将重点介绍两种最常见的晶体管:双极型晶体管(三极管)和
MOSFET
。晶体管的工作原理其实是类似于电子开关。它可以打开和关闭电路。一个简单的思考方法是将晶体管视为无源的继电器。晶体管类
玩转单片机与嵌入式
·
2023-12-15 03:45
元器件
嵌入式硬件
YB9225是一种固定工作频率的高效率电流模式升压转换器。
功率
MOSFET
的峰值电流限制在5A。1.2MHz的工作频率使L和C值最小,内部补偿网络减少了外部元件的数量。SOP8-EP封装为PCB散热提供了最佳的解决方案。特点:宽输入R
yucan-13760366207
·
2023-12-14 23:05
芯片
百度
亿胜盈科 HT4182,HT4186,HT4188 电量均衡 同步升压型 双节理电池充电器
HT4182,HT4186,HT4188采用同步升压结构,内置
MOSFET
,外W元件简单。通过调节外部电阻,可任意调节充电电流,支持1.6A,效率超过90%。
YHPsophie
·
2023-12-06 18:09
#亿胜盈科
物联网芯片
电源芯片
电子元器件
HT4182
HT4186
HT4188
电池充电器
电量均衡
超大规模集成电路设计----基本概念(二)
超大规模集成电路设计----基本概念(二)简短的历史回顾(ABriefHistoricalPerspective)第一个数字逻辑门和TTL(TheFirstDigitalLogicGateandTTL)
MOSFET
MinJohnson
·
2023-12-05 12:48
数字集成电路
数字集成电路设计
SS6811H38V/1.6A 两通道 H 桥驱动芯片
SS6811H的每一个H桥的功率输出模块由N型功率
MOSFET
组成。SS6811H提供了一种低功耗睡眠模式来关断内部电路,以达到非常低的静态电
Qingniu01
·
2023-12-04 13:25
单片机
嵌入式硬件
驱动开发
Infineon
MOSFET
于switch power应用中软/硬切换建议
硬切换什么是硬切换?当电晶体开关时电压和电流出现重叠时,就会出现硬切换。这种重叠会造成能量损失,可透过提高di/dt和dv/dt将能量损失降至最低。然而,快速变化的di/dt或dv/dt会产生EMI。因此,应最佳化di/dt和dv/dt以避免EMI问题。为了最大限度地减少EMI影响并提高效率,一种名为准谐振开关的改良硬切换技术应运而生(主要用于反激式转换器)。什么是准谐振(谷值)切换?当汲极和源极
WPG大大通
·
2023-12-02 08:29
Infineon产线
power
智能硬件
瞻芯电子荣获“汽车芯片50强”奖,展现技术水平
023年11月28日,瞻芯电子在北京举办的“芯向亦庄”汽车芯片大赛中脱颖而出,凭借其车规级碳化硅(SiC)
MOSFET
产品的卓越性能和创新特点,荣获“汽车芯片50强”奖项,展现了瞻芯电子在汽车芯片领域的技术水平和发展潜力
科技赋能生活
·
2023-12-02 02:33
汽车
【翻译】开关应用中功率
MOSFET
的栅极驱动
本文是一份
MOSFET
器件特性和栅极驱动指南。
Distance_90
·
2023-11-29 23:05
分立器件特性
文献翻译
嵌入式硬件
硬件工程
使用功率
MOSFET
常见的一些问题(一)
使用功率
MOSFET
常见的一些问题(一)1.MOS管简介2.反向阻断特性2.1雪崩失效机制2.2雪崩测试2.3如何避免雪崩事件3.MOS管额定电流和散热刚开始用功率MOS管的时候经常会遇到炸管子的事情,
小幽余生不加糖
·
2023-11-29 23:04
技术笔记
汽车电子
学习
无人机
2019-03-21
快速了解DMN2004DWK-7特征双N沟道
MOSFET
低导通电阻LowGateThreshold电压低输入电容快速的女巫速度低输入/输出泄漏超小型表面贴装封装无铅设计/符合RoHS标准(注2)ESDPro
剩下的盛夏0320
·
2023-11-28 16:30
IGBT工作原理及作用
是什么IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有
MOSFET
Filthyfrank
·
2023-11-27 18:38
硬件工程
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