VASP载流子有效质量计算

VASP载流子有效质量计算

 

在计算完能带之后,可以对载流子(电子+空穴)的有效质量进行计算,考察其光电性质。以Si的能带结构为例,如图所示,其价带顶位于高对称点Gamma处,导带底大约位于X处。

由图可知,此时会产生四个方向的载流子迁移:Gamma –> L,Gamma –> K,X –> W,X –> Gamma,因此需要计算这四个方向的电子及空穴载流子的有效质量。

VASP载流子有效质量计算_第1张图片

其具体计算步骤如下:

 

 

第一步:准备VPKIT.in文件,其文件内容如下:

注释:第1行,设置为1,表示生成计算有效质量的KPOINTS文件,设置为2则表示计算有效质量,即先

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