超高压系列IXBX50N360HV、IXBT14N300HV、IXBH32N300高压反向导通 (BiMOSFET™) IGBT器件

器件介绍：
超高压系列3000V - 3600V反向导通 (BiMOSFET™) IGBT将MOSFET和IGBT的优势相结合。这些高压器件的饱和电压和内置二极管的正向电压降均具有正电压温度系数，因此非常适合用于并联运行。“自由”内置体二极管用作保护二极管，为器件关断期间的感性负载电流提供替代路径，防止高Ldi/dt电压瞬变对器件造成损坏。

特性：
• “自由”内置体二极管
• 高功率密度
• 高频工作
• 低导通损耗
• 便于驱动的MOS栅极导通
• 4000V电气隔离
• 低栅极驱动要求
• 节省空间（无需多个串并联的低额定电压、低额定电流器件）
• 易于安装

应用：
• 开关模式和谐振模式电源
• 不间断电源 (UPS)
• 激光和X射线发生器
• 电容器放电电路
• 高压脉冲发生器电路
• 高压测试设备
• 交流开关

IXBX50N360HV、IXBT14N300HV（3000V）IXBH32N300高压反向导通 (BiMOSFET™) IGBT器件 — 明佳达

IXBX50N360HV（3600V）器件规格：
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：3600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：125 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：420 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，50A
功率 - 最大值：660 W
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：210 nC
25°C 时 Td（开/关）值：46ns/205ns
测试条件：960V，50A，5 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：1.7 µs
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3 变式
供应商器件封装：TO-247PLUS-HV
基本产品编号：IXBX50

 

IXBT14N300HV（38A）技术参数：
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：3000 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：38 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，14A
功率 - 最大值：200 W
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：62 nC
25°C 时 Td（开/关）值：-
测试条件：960V，14A，20 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：1.4 µs
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装：TO-268HV（IXBT）
基本产品编号：IXBT14

 

IXBH32N300（80A）产品属性：
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：3000 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：280 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3.2V @ 15V，32A
功率 - 最大值：400 W
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：142 nC
25°C 时 Td（开/关）值：-
测试条件：-
反向恢复时间 (trr)：1.5 µs
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247AD
基本产品编号：IXBH32

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