硅片的几何参数

1. 硅片的直径和厚度
2. 硅片的平整度（平整度是硅片的最重要参数，直接影响到可以达到的特征线宽和器件的成品率）
   定义：硅片表面与基准平面之间最高点和最低点的差值。直接投影的系统需要考虑的是整个硅片的平整度，而分布进行投影的系统需要考虑的是投影区域的局部的平整度。硅片的平整度一般用TIR和FPD这两个参数表示。
   2.1 TIR（Total Indication Reading）
   
   TIR定义.png
   
   假设一个通过对于硅片的上表面进行最小二次方拟合得到的参考平面，TIR定义则为相对于这一参考平面的最大正偏差与最大负偏差之和：TIR=a+b
   2.2 FPD（Focal Plane Deviation）
   如果选择的参考平面与掩膜的焦平面一致，FPD定义则是相对于该参考面的正或负的最大偏差值中数值较大的一个。
   
   FPD定义.png
3. 粗糙度
   定义：粗糙度泛指正片表面轮廓高低起伏的度量值。包括平均粗糙度、微粗糙度、均方根微粗糙度和均方根区域微粗糙度。
4. 弯曲度
   定义：弯曲度指硅片处于没有受到夹持或置于真空吸盘上的状态下，整个硅片凹或凸的程度。BOW=（a-b）/2
   
   BOW的定义.png
5. 翘曲度
   定义：翘曲度是指硅片处于没有受到夹持状态下的中心面与参考面之间的最大距离与最小距离之差。
   把硅片放在支撑柱上，使探头沿扫描图形路线进行曲线扫描和直线段扫描，分别成对记录被测点上、下表面的位移量。在每组数据中，a为硅片上表面与上探头之间的距离，b为下表面与下探头之间的距离，被测硅片的翘曲度可以表示为：
   Warp=[（b-a）max-（b-a）min]/2
6. 总厚度变化（TTV）
   定义：最大厚度与最小厚度的绝对差值