【分立器件】紧凑型、高能效设计的 NVMFD5C470NT1G、NVMFD6H846NLT1G、NVMFS6H864NLWFT1G、NVMFS6H864NLT1G 汽车用功率MOSFET
器件选型:1、NVMFD5C470NT1G功率MOSFET40V,36A,11.4mΩ,双N沟道,逻辑电平技术:MOSFET(金属氧化物)配置:2N-通道(双)FET功能:-漏源电压(Vdss):40V25°C时电流-连续漏极(Id):11.7A(Ta),36A(Tc)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):11.7毫欧@10A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V@250µA不同Vg