非易失性存储器

EEPROM读写--IIC协议

2.IIC通信协议2.1AT24C64单次写时序2.2AT24C64当前地址读时序2.3AT24C64随机地址读时序3.程序设计1.EEPROM简介EEPROM即电可擦除可编程只读存储器，是一种常用的非易失性存储器
爱吃蛋挞的Dolly·2022-12-06 14:07

【Xilinx 程序固化】FPGA程序固化方法：SD卡、flash

一般FPGA的外围会有一个非易失性存储器：Flash或SD卡等。可以将程序加载
Linest-5·2022-12-05 17:42

【正点原子FPGA连载】 第十九章 EEPROM读写测试摘自【正点原子】DFZU2EG/4EV MPSoC 之FPGA开发指南V1.0

6924508746703）全套实验源码+手册+视频下载地址：http://www.openedv.com/thread-340252-1-1.html第十九章EEPROM读写测试EEPROM是一种用于计算机系统的非易失性存储器
正点原子·2022-12-01 12:06

一次可编程的非易失性存储器（OTP NVM）工作原理、eFuse模块解析

关于eFuse模块解析、一次可编程的非易失性存储器（OTPNVM）解析1基本概况及介绍1.1相关简介1.2关于eFuse工作原理2应用功能总结3关于eFuse解析3.1基本介绍3.2相关信号3.3eFuse
Nirvana Of Phoenixl·2022-11-30 17:07

256Mb自旋转移扭矩MRAM-EMD3D256M DDR3

EMD3D256MDDR3自旋转移扭矩MRAM是一种容量为256Mb（32Mbx8、16Mbx16）DDR3的非易失性存储器，可在DDR3速度下提供非易失性和高耐用性。
·2022-09-16 17:55

嵌入式软件组件经典架构与存储器分类

嵌入式软件组件与经典架构☞嵌入式软件组件·系统软件鼻祖——ROMMonitor监控程序(固件)·BootLoader·BSP——板级支持包·嵌入式虚拟化技术☞嵌入式系统经典架构☞存储器分类·易失性存储器·非易失性存储器
Mindtechnist·2022-08-08 09:40

操作系统原理——第五章：虚拟内存

起因2.覆盖技术3.交换技术4.虚存技术4.1目标4.2程序局部性原理4.3基本概念4.4基本特征4.5虚拟页式内存管理1.起因增长迅速的存储需求：如游戏理想中的存储器：容量更大、速度更快、价格更便宜的非易失性存储器存储器层次结构把常用的数据和代码放在内存
平什么阿·2022-05-19 10:01

富士通推出ReRAM系列中最大的内存密度的12Mbit ReRAM-MB85AS12MT

ReRAM电阻式随机存取存储器是一种非易失性存储器，其中将脉冲电压施加到薄金属氧化物膜上，从而在记录1和0的电阻上产生巨大的变化。
·2022-04-24 16:33

everspin并行MRAM芯片MR4A16BMA35适用于自动化控制器

该技术的固有耐用性通过避免使用其他非易失性存储器技术所需的纠错码和磨损均衡方案来简化和加速产品开发。
·2022-04-18 18:39

ssd内部是多个flash一起操作_STM32学习笔记—片内FLASH读写失败问题分析

FLASH，指FlashMemory，是一种非易失性存储器（闪存），掉电能正常保存数据。今天是第5篇分享，《STM32学习笔记》之片内FLASH读写失败问题分析。
weixin_39648297·2022-03-18 18:02

并口FRAM与SRAM的比较

铁电存储器FRAM是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器相比，FRAM不需要备用电池来保留数据，并且具有更高的读/写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗。
·2022-03-15 17:57

关于非易失性存储器FRAM的常见问题解答

FRAM（铁电随机存取存储器）是一种非易失性存储器，它使用铁电薄膜作为电容器来存储数据。
·2022-03-03 15:41

使用非易失性FRAM替换SRAM时的问题和解决方案

FRAM是一种非易失性存储器产品，具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点。富士通并行接口的8MbitFRAMMB85R8M2T。
·2022-01-12 15:14

铁电存储器常见问题解决方案

FRAM（铁电RAM）是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器（如EEPROM、闪存）相比，铁电存储器不需要用于数据保存的备用电池，具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。
·2021-11-11 17:52

Everspin授权代理4Mbit非易失性MRAM芯片MR25H40VDF

Everspin非易失性存储器MR25H40VDF是具有SPI接口的MRAM，MR25H40VDF是组织为512Kx8的4Mb非易失性RAM，采用标称3.3V电源供电，并且与FRAM兼容。
·2021-10-11 16:38

聊一聊物联网嵌入式芯片的内容结构

前言物联网嵌入式芯片，存储是数据核心之一，这个对于编程和设计的人来说又比较陌生，今天来说说MCU中的内存结构1、存储器形式MCU的存储器从存储特性上分为：易失性存储器、非易失性存储器，即常说的Volatilememory
·2021-10-09 16:39

Cypress代理128Kbit串行FRAM存储芯片FM25V01A-G

赛普拉斯易失性和非易失性存储器产品组合具有以下特性：超低功耗、高性能、可靠的FRAM产品。Cypress代理可提供产品相关技术
·2021-06-24 18:49

各种存储器的区别

学号：19021211263存储器可以分为很多种类，其中根据掉电后数据是否丢失可以分为易失性存储器RAM(RandomAccessMemory，随机存取存储器)和非易失性存储器ROM(ReadOnlyMemory
__来日方长__·2021-05-01 18:11

0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能

铁电RAM或FRAM是一种快速，非易失性和低功耗的存储器，与其他基于浮栅或相变技术的非易失性存储器相比，它具有高耐用性是其主要优势之一。
英尚微电子·2020-12-24 17:17

NV-SRAM比BBSRAM更具明显的优势

BBSRAM数据保留时间和产品使用寿命•电池电量耗尽（在商业系统中通常为4到7年）后，BBSRAM不再作为非易失性存储器操作。
英尚微电子·2020-12-24 17:46

利用python进行文件操作

能够在非易失性存储器中实现持续性存储，比如在硬盘上。
·2020-12-04 14:45

为什么NOR FLASH仍是汽车行业的优选

这是较大的业务之一，他们仍在使用NOR闪存，因为它仍然是可靠的非易失性存储器。即使协议从4G变为5G，许多底层硬件在技术上也保持不变。然后降低了向新存储技术过渡所固有的风险。
英尚微电子·2020-11-23 16:24

铁电存储器的耐久性设计要求

FRAM的数据保持不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比是具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。本篇文章主要介绍关于FRAM的耐久性。
英尚微电子·2020-11-13 11:15

痞子衡嵌入式：RT-UFL - 一个适用全平台i.MXRT的超级下载算法设计

我们知道i.MXRT没有内置非易失性存储器，一般都要外挂一块存储器用于加载启动，最常用的是通过FlexSPI外设外挂串行NORFlash，挂了NORFlash我们既可以离线启动，也可以在线调试，而在线调试就必
痞子衡·2020-11-09 23:00

NVM是什么？

非易失性存储器（NVM）是一种计算机即使关闭电源也能够保存已保存数据的存储器。与易失性存储器不同，NVM不需要定期刷新其存储器数据。它通常用于二级存储或长期一致的存储。
EVERSPIN·2020-09-17 04:00

FPGA配置和外部存储器烧写问题

所以需要有外部非易失性存储器来存储配置信息。一般使用专用配置器件，如EPCS4，EPCS16，作为外部存储器。当FPGA上电时，就会把外部存储器的配置信息加载到FPGA中，之后才能
kaopuguyue110·2020-09-15 05:48

第３章　配置自定义嵌入式Linux

非易失性存储器(可选)例如
Solo1103·2020-09-12 19:53

AD5272学习笔记

可变增益控制仪器仪表：增益、失调电压调整可编程电压至电流转换可编程滤波器、延迟、时间常数可编程电源传感器校准概述AD5272/AD52741分别是单通道1024/256位数字变阻器，集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器
周杰伦的铁粉·2020-09-12 13:35

第六章 存储器层次结构

3、传统的DRAM4、内存模块5、增强的DRAM6、非易失性存储器：即使关电，仍然保存着信息。固态硬盘基于非易失性的闪存，对某些应用来说，极其受欢迎。
weixin_30411819·2020-09-11 17:29

Android Things SDK用法之SPI篇

SPI非常适合于高带宽使用情况，如外部非易失性存储器和图形显示。许多传感器设备除了支持I2C，也支持SPI。SPI是一个同步串行接口，两个SPI设备间，依赖于共享时钟信号同步来进行数据传输。
TechnologyBaby·2020-09-11 15:20

3G/4G无线路由器方案之SDRAM和FLASH硬件设计

芯片引脚如下图所示：图1.2内存芯片原理图内存芯片、控制器关键信号及连接如下图所示：图1.3控制器信号及连接表1.3.3、Flash本设计中程序代码存储采用非易失性存储器NandFlas
生如夏莲·2020-08-26 23:23

计算机硬件基础知识普及，操作系统，编程语言分类D2

易失性存储器，断电数据丢失，但耗电量极低用来运行BIOS程序：（1）CPU（2）ROM（3）CMOSRAM主存：易失性存储器，断电数据消失EEPROM(电可擦除可编程ROM)和闪存(flashmemory)非易失性存储器
Ayca·2020-08-25 15:05

Nordic--nrf52832--FDS

nRF52832-QFAA，他的Flash内存如下表所示：Flash总大小页数页大小块大小每个页包含的块数量512KByte128page4KByte512Byte8裸机FLASH读写 nRF52832的非易失性存储器是通过非易失性存储器控制器
liefyuan·2020-08-24 15:56

ARM 的Boot与Remap详解

两个专业名词—非易失性存储器和易失性存储器非易失性存储器：指掉电后在相当长时间内依然能有效保存数据的存储器。如EEPROM，EPROM，FLASH等。易失性存储器：指掉电后迅速丧失存储能力的存储器。
liuxp_008·2020-08-23 06:53

非易失性存储器MRAM与FRAM的比较

“永久性存储器”通常是指驻留在存储器总线上的高性能，可字节寻址的非易失性存储设备。MRAM（磁性只读存储器）和FRAM（铁电RAM）都具有相似的性能优势：低电压运行，长寿命和极高的速度。它们以不同的方式实现这些目标，尽管在每种情况下，创新的材料技术都是性能突破的背后。由摩托罗拉和IBM率先开发的MRAM，通过将某些奇异材料暴露在磁场中而产生的数据位，随着存储单元中电阻变化而存储。FRAM由总部位于
英尚微电子·2020-08-22 16:45

基于MRAM和NVMe的未来云存储解决方案

首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存的介质有以下几大优势：1.非易失性存储器芯片，比传统的SRAM或者DRAM在数据保持方面更强；2.芯片容量较大，单颗芯片容量高达1Gb；3.采用DDR4接口，带宽可以到
英尚微电子·2020-08-22 16:28

基于MRAM和NVMe的未来云存储解决方案

首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存的介质有以下几大优势：1.非易失性存储器芯片，比传统的SRAM或者DRAM在数据保持方面更强；2.芯片容量较大，单颗芯片容量高达1Gb；3.采用DDR4接口，带宽可以到
英尚微电子·2020-08-22 16:27

当前存储器和新兴非易失性存储器技术的特点

良好的设计是成功制造非易失性存储器产品的重要关键，包括测试和验证设备性能以及在制造后一次在晶圆和设备级别进行质量控制测试。
英尚微电子·2020-08-22 15:53

局部性原理

并引入了SRAM、DRAM，DRAM是计算机主存的主要技术，成本较低，只需要1个晶体管+一个电容；SRAM成本高，需要6个晶体管构成单元，速度快，性能好，应用在高速缓存和空间计算机上一种非易失性存储器：
无欲则刚·2020-08-22 14:02

非易失性存储器MRAM应用领域

Everspin主要是设计制造和商业销售MRAM和STT-MRAM的领先者，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。EverspinMRAM产品应用在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场等领域范围，为全球MRAM用户奠定了最强大，增长最快的基础。Everspin代理商英尚微电子本篇文章介绍非易失性MRAM主要应用领域。工业：工业应用需要长期支持，而某些应用则需要20
英尚微电子·2020-08-22 13:15

非易失性存储器MRAM与FRAM的比较

“永久性存储器”通常是指驻留在存储器总线上的高性能，可字节寻址的非易失性存储设备。MRAM（磁性只读存储器）和FRAM（铁电RAM）都具有相似的性能优势：低电压运行，长寿命和极高的速度。它们以不同的方式实现这些目标，尽管在每种情况下，创新的材料技术都是性能突破的背后。由摩托罗拉和IBM率先开发的MRAM，通过将某些奇异材料暴露在磁场中而产生的数据位，随着存储单元中电阻变化而存储。FRAM由总部位于
英尚微电子·2020-08-21 04:02

非易失性存储器MRAM应用领域

Everspin主要是设计制造和商业销售MRAM和STT-MRAM的领先者，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。EverspinMRAM产品应用在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场等领域范围，为全球MRAM用户奠定了最强大，增长最快的基础。Everspin代理商英尚微电子本篇文章介绍非易失性MRAM主要应用领域。工业：工业应用需要长期支持，而某些应用则需要20
英尚微电子·2020-08-21 03:42

CC1310开发笔记-CY15B104Q

作者：LYBCY15B104Q存储器的驱动功能说明CY15B104Q是使用了高级铁电工艺的4Mbit非易失性存储器。
BOBO11232·2020-08-20 18:30

Cypress FRAM在自动驾驶汽车中发挥作用

赛普拉斯串行非易失性存储器系列，以满足关键任务数据捕获的性能和可靠性要求。赛普拉斯Excelon（FRAM）产品线是专门为自动驾驶汽车所需的高速非易失性数据记录而设计的。
英尚微电子·2020-08-20 17:35

Cypress FRAM在自动驾驶汽车中发挥作用

赛普拉斯串行非易失性存储器系列，以满足关键任务数据捕获的性能和可靠性要求。赛普拉斯Excelon（FRAM）产品线是专门为自动驾驶汽车所需的高速非易失性数据记录而设计的。
英尚微电子·2020-08-20 17:35

STM32-常用存储器

存储器按其存储介质特性主要分为“易失性存储器”和“非易失性存储器”两大类。其中的“易失/非易失”是指存储器断电后，它存储的数据内容是否会丢失的特性。
weixin_30678349·2020-08-20 08:28

Memory Map

引言随着半导体工艺技术与处理器设计技术的不断提高,嵌入式处理器的速度愈来愈快;而非易失性存储器的读取速度却远远跟不上CPU的发展。
tom__mao__·2020-08-20 07:07

NVRAM 非易失性随机访问存储器 (Non-Volatile Random Access Memory)

如果通俗地解释非易失性存储器，那就是指断电之后，所存储的数据不丢失的随机访问存储器。
iteye_661·2020-08-20 05:48

痞子衡嵌入式：一种i.MXRT下从App中进入ROM串行下载模式的方法

我们知道i.MXRT系列分为两大阵营：CM33内核的i.MXRTxxx系列和CM7内核的i.MXRT1xxx系列，但是这两个阵营都有一个共性，那就是都没有内部非易失性存储器（NVM）并且BootROM里都集成了串行下载功能
痞子衡·2020-08-18 19:14

痞子衡嵌入式：恩智浦i.MX RT1xxx系列MCU启动那些事（11.1）- FlexSPI NOR连接方式大全(RT1015/1020/1050)

由于i.MXRT内部没有非易失性存储器，因此在系统设计时为i.MXRT搭配一块存放应用程序代码的存储器是头等大事。
痞子衡·2020-08-18 19:13
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