MOS 第22页

美团云：稳定靠谱的云计算平台

约半年前，美团悄然上线了美团云（MeituanOpenServices，简称MOS），这是美团网根据自身虚拟化平台开发和运维经验开放的云计算服务，类似AWS。

思否编辑部·2020-08-20 16:59

MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用

包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。

zhoujk0520·2020-08-20 09:09

MOS管的开关特性

一、静态特性MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。图3.8(a)为由NMOS增强型管构成的开关电路。

zhoujk0520·2020-08-20 09:09

三极管和MOS管工作状态图解+实例

图说三极管的三个工作状态本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201603/287845.htm电子元件基础—BJT管大家都知道三极管是电流控制型元件，三极管工作在放大状态下存在Ic=βIb的关系，怎么理解三极管的放大模型呢?这儿我们抛开三极管内部空穴和电子的运动，还是那句话只谈应用不谈原理，希望通过下面的“图解”让初学者对三极管有一个形象的认识。三极管是一个

wilger·2020-08-20 09:00

计算机组成原理学习总结3.3 DRAM存储器

3.3DRAM存储器动态RAM（DRAM）因为该存储器必须定时刷新，才能维持其中的信息不变；DRAM的存储元由MOS晶体管和电容组成的记忆电路；电容上的电量来表现存储的信息；充电—1，放电—0。

萌哒老司机·2020-08-20 09:56

计算机组成原理学习总结3.2 SRAM存储器

3.2SRAM存储器主存储器的构成静态RAM（SRAM）由MOS电路构成的双稳触发器保存二进制信息；优点：访问速度快，只要不掉电可以永久保存信息；缺点：集成度低，功耗大，价格高；动态RAM（DRAM）由

萌哒老司机·2020-08-20 09:56

浅析MOS管门极驱动电路背后的秘密

（1)直接驱动电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门]极和源极;二极管D3是加速MOS的关断。

weixin_43747182·2020-08-20 09:50

详解MOS管驱动电路的特别应用，这里有你想知道的一切

这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。2、宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。

weixin_43747182·2020-08-20 09:50

浅析N沟道增强型MOS管双向低频开关电路

【电路】MOS管-N场效应管双向电平转换电路--适用于低频信号电平转换的简单应用如上图所示，是MOS管-N场效应管双向电平转换电路。双向传输原理：为了方便讲述，定义3.3V为A端，5.0V为B端。

weixin_43747182·2020-08-20 09:49

模拟CMOS集成电路放大器总结（1）

对于模拟CMOS集成电路的分析和设计而言，放大器应用于许许多多的电路，因此放大器的设计和分析必不可少，而对于以MOS管为主的集成电路中，最基础的单级放大器主要以共源级放大电路，共源共栅级放大电路，以及源级跟随器等为主

WTX~~·2020-08-20 09:55

详细讲解MOSFET管驱动电路（转）

作者：来源：电源网关键字：MOSFET结构开关驱动电路在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。

weixin_33719619·2020-08-20 08:42

WNM2020 N通道增强型MOS场效应晶体管WILLSEM

说明WNM2020N沟道，20V，0.90A，小信号MOSFETWNM2020是N通道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。

szriley123·2020-08-20 08:12

世界集成电路产业结构的变化及其发展历程

http://www.bjic.org.cn/l_abc/001.html自1958年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路（IC）后，随着硅平面技术的发展，二十世纪六十年代先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路

yesky12·2020-08-20 08:07

计算机系统的层次存储结构详解

1、存储器分类（1）按存储介质分类介质举例特征半导体存储器TTL、MOS易失磁表面存储器磁头、载磁体非易失磁芯存储器硬磁材料、环状元件非易失光盘存储器激光、磁光材料非易失（2）按存取方式分类①存取时间与物理地址无关

qinjianhuang·2020-08-20 07:13

MOSFET及MOSFET驱动电路总结

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。

wzq666·2020-08-20 07:59

增强型、耗尽型MOS

(什么是增强型、什么是耗尽型？其内部的主要差别是什么？)作者：XieM.X.(UESTC，成都市)总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管（D-FET）就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET；增强型场效应晶体管（E-FET）就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的FET。这两种类型的FET各有其特点和用途。一般，增强型FET在高速、低功耗电路中很有使用价值；并且这种

hututu_404·2020-08-20 07:16

N沟道增强型MOS管双向低频开关电路

【电路】MOS-N场效应管双向电平转换电路--适用于低频信号电平转换的简单应用(原文件名:MOS-N场效应管双向电平转换电路.jpg)如上图所示，是MOS-N场效应管双向电平转换电路。

碧_XIA·2020-08-20 07:32

MOS管安全工作区SOA

注：内容转自广州致远电子有限公司《如何确保MOS管工作在安全区》一、引出开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏

qlexcel·2020-08-20 07:32

增强型mos管

在上模电课时面对纯理论，填压式的教学，对Mos管的理解一知半解，后来有幸看到有关于mos管的知识，看完后感觉对它不是很陌生了。

Darren_pty·2020-08-20 07:49

模拟集成电路设计基础知识(二)：MOS管二级效应及其小信号等效

文章目录二级效应体效应沟道长度调制亚阈值导电MOS的小信号等效：在前一篇文章介绍了MOS管结构及其I/V特性，本篇文章接着介绍MOS管的几个二级效应以及其小信号等效。

小周洲粥·2020-08-20 07:00

计算机组成原理---第四章存储器（中）

许挂挂·2020-08-20 06:33

在绝缘栅型场效应管N沟道增强型MOS管中,为什么Vds增大,反型层靠近漏极部分变窄

"没加Uds时，只在Ugs的作用下反型层应该是均匀分布的",确实是这样；MOS在用的时候，通常源和衬底接地，所以Ugs=Vg;当Vds增大时，栅和漏之间电压为Ugs-Vds，电压变小，反型层自然变窄。

nolatin·2020-08-20 06:03

MOS场效应管基本知识

半导体三极管中参与导电的有两种极性的载流子，所以也称为双极型三极管。本文将介绍另一种三极管，这种三极管只有一种载流子参与导电，所以也称为单极型三极管，因为这种管子是利用电场效应控制电流的，所以也叫场效应三极管（FET），简称场效应管。场效应管可以分成两大类，一类是结型场效应管（JFET），另一类是绝缘栅场效应管（MOSFET）。在如果你在某宝里搜索“场效应管”你会发现，搜索出来的基本上是绝缘栅场效

张巧龙·2020-08-20 06:39

计算机组成原理存储器概述

1.1概述一、存储器分类1、按存储介质分类（1）半导体存储器：TTL、MOS易失（断电不存储数据）TTL（晶体管晶体管逻辑）集成度低功耗高但速度快、MOS（金属氧化物半导体）功耗低集成度高（2）磁表面存储器

CASTANEA·2020-08-20 05:56

增强型N沟道mos管（如si2300）开关条件

增强型N沟道mos管（如si2300）开关条件增强型N沟道mos管的S（source源极）和D（drain漏极）导通条件取决与Vgs，即栅极和源极间的电压压差。

张连臣·2020-08-20 05:17

浅析N沟道增强型MOS管的工作原理

1.vGs对i及沟道的控制作用MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。从图1(a)可以看出，增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。

weixin_43747182·2020-08-20 05:40

MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）

MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）+FPGA从0到1学习资料集锦（开发指南+电路图集+例程源码）链接：https://pan.baidu.com/s/1UGmuOz9SR-tEfYMMuqcUMA

WUAILINA·2020-08-20 05:03

模电笔记4 场效应管（单极型晶体管）结型场效应管绝缘栅型场效应管

模拟电子技术基础（第5版，童诗白、华成英）》的阅读笔记模电笔记4场效应管（单极型晶体管）场效应管1.结型场效应管1.1结型场效应管的工作原理1.2结型场效应管的特性曲线2.绝缘栅型场效应管2.1N沟道增强型MOS

Unarmed_·2020-08-20 05:02

MOS管三个工作状态

MOS管三个工作状态##MOS管三个工作状态#MOSFET工作区域的判定方法（NMOS）：当VgsVth且VdsVth且Vds>Vgs-Vth时，饱和区(恒流区)。

小白流浪记·2020-08-20 05:27

推挽输出和OC,OD门输出的特点

open-drain是对mos管而言，open-collector是对双极型管而言，在用法上没啥区别。开漏形式的电路有以下几个特点：1.利用外部电路的驱动能力，减少

荷兰风车·2020-08-20 02:08

FPGA 题目

16用verilog/vddl检测stream中的特定字符串17用mos管搭出一个二输入与非门。18集成电路前段设计流程，写出相关的工具。

whm0077·2020-08-20 02:17

【stm32】实现STM32的串口数据发送和printf函数重定向

在调试电机驱动程序的时候，是不能随便利用中断来进行一些寄存器或数据的查看的，不然你在运行的时候突然来一下，如果占空比大的话那可能直接就把MOS管给烧了，所以我们很多情况下只能使用USART（串口）来进行程序的调试和数据的监控了

weixin_30825581·2020-08-20 01:28

实现STM32的串口数据发送和printf函数重定向

stm32】实现STM32的串口数据发送和printf函数重定向在调试电机驱动程序的时候，是不能随便利用中断来进行一些寄存器或数据的查看的，不然你在运行的时候突然来一下，如果占空比大的话那可能直接就把MOS

shengDay·2020-08-20 01:09

OC、OD、线或线与逻辑

open-drain是对mos管而言，open-collector是对双极型管而言，在用法上没啥区别。开漏形式的电路有以下几个特点：1.利用外部电路的驱动能力，减少

miss_hui97·2020-08-20 00:34

C语言中，基本类型数据在内存中的存储形式

显然，补码是01流，在内存中直接存储，当然，关于内存怎么存1/0，这涉及到微电子的知识，大概来说就是储存为高低电平，具体可去了解二极管——三极管——MOS管知识（模拟电路——数字电路——集成电路）。

ProLayman·2020-08-19 23:53

RDA 的初步使用

oracle12.1.0.2standaloneRemoteDiagnosticAgent(RDA)是oracle推荐的一款优秀的工具,被设计成可以收集所有产品的数据,不单单是针对oracledatabase.更详细的介绍,可以自行登录mos

数据库人生·2020-08-19 09:51

自动驾驶入门技术（4）—— 摄像头

1.2摄像头主要硬件组件1）镜头组（lens）-镜头组由光学镜片、滤光片和保护膜等组成；2）图像传感器-CMOS感光元件MOS图像传

筋斗云与自动驾驶·2020-08-19 01:26

运放中输入偏置电流和输入失调电流的区别

运放的输入偏置电流:为了使运放输入级放大器工作在线性区,所必须输入的一个直流电流,在双极晶体管输入的运放,偏置电流就是输入管的基极电流,在MOS管输入的运放是指栅极漏电流.输入失调电流:与输入失调电压一样

zyboy2000·2020-08-18 18:16

5-35V输入升压8-100V各种升压解决方案大功率300W

中广芯源专业电源方案，运算放大器，马达驱动，大功率MOS等系统服务商，小家电电源方案，工业辅助电源方案，智能LED调光电源驱动IC,功率:30W以内,有针对性的方案提供产品特色降低系统成本，提高设计灵活性

weixin_34186128·2020-08-18 17:03

三极管做开关管的总结（理解三极管）

大学时，老师就告诉模电重要，确实重要，可是如何学好模电那，我觉得三极管很重要，三极管学会了，再不深究的情况下，mos管我们也能运用自如。

qr_ljj·2020-08-18 16:45

内置100V/ MOS 开关降压型 LED 恒流驱动器 C05208B

概述OC5208是一款内置100V功率MOS高效率、高精度的开关降压型大功率LED恒流驱动芯片。

jr_hi·2020-08-18 15:00

内置 100V/5A MOS 宽输入电压降压型 DC-DC OC5800L

概述OC5800L是一款支持宽电压输入的开关降压型DC-DC，芯片内置100V/5A功率MOS，最高输入电压90V。

jr_hi·2020-08-18 15:59

【MOS】手动升级到数据库 12c 版本1（12.1）的完整核对清单 (文档 ID 2047701.1)

手动升级到数据库12c版本1（12.1）的完整核对清单(文档ID2047701.1)CompleteChecklistforManualUpgradestoOracleDatabase12cRelease1(12.1)(文档ID1503653.1)文档内容用途适用范围详细信息第1步:升级到Oracle12c版本1（12.1）的升级路径第2步：推荐在源库上完成的第3步：检查源库的一致性第4步：升级前

coco3600·2020-08-18 14:11

AP5103 内置 MOS 降压型大功率 LED 恒流驱动器

AP5103是一款高效率，稳定可靠的高亮度LED灯恒流驱动控制芯片，内置高精度比较器，固定关断时间控制电路，恒流驱动电路等，特别适合大功率、多个高亮度LED灯串的恒流驱动。AP5103采用固定关断时间的峰值电流控制方式，其工作频率最.高可达1MHz，可使外部电感和滤波电容体积减小，效率提高，节省PCB面积。关断时间可通过外部电容进行调节，工作频率也可根据用户要求进行调节。在EN端加PWM信号，可调

a18923843922·2020-08-18 13:07

宽电压12-80V远近光切换内置MOS管 1.5A

产品描述AP2911是一款PWM工作模式,高效率、外围简单、内置功率管，适用于12-80V输入的高精度降压LED恒流驱动芯片。输出最.大功率可达15W，最.大电流1.5A。AP2911可实现全亮/半亮功能切换，通过MODE切换：全亮/半亮/循环模式。AP2911工作频率固定在150KHZ左右，同时内置抖频电路，可以降低对其他设备的EMI干扰。另外采用平均电流采样模式，可以提高宽输入电压情况下的电流