MOS

臭名昭著的MOS管米勒效应

如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。
记得诚·2020-08-13 09:40

【Arduino和高中通用技术】——八、一个“科技小制作”

一、硬件准备1、Arduinouno2、12V水泵（即使你有5V的也要使用另外的MOS管模块等进行驱动，请查看Arduino各个引脚的最大电流）3、三色LED灯（一般购买Arduino学习套件时都会带一个
清晨曦月·2020-08-12 18:28

RMAN-08137: WARNING: archived log not deleted, needed for standby or upstream capture process

下面是MOS上的资料：CAUSEIfwed
huangliang0703·2020-08-11 16:22

等待事件：wait for unread message on broadcast channel

某客户在使用expdp导出数据时遇到waitforunreadmessageonbroadcastchannel等待事件，查找mos文档WAITEVENT:"waitforunreadmessageonbroadcastchannel"ReferenceNote
cuizhi4718·2020-08-11 16:54

stm32入门 第二周 IO口实验，了解库函数开发和寄存器开发的区别

输入模式4：模拟模式输出模式1：开漏输出输出控制电路输出1时，N-MOS断开，实际输出由外部上拉下拉决定，
sassasasss·2020-08-11 13:15

CMOS 与 TTL 比较

MOS是：金属-氧化物-半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。
makebuaa·2020-08-11 12:45

虚拟机安装Linux7.6详细过程

虚拟机VMware下载百度网盘链接：https://pan.baidu.com/s/1EG1T0-ZWPwhF-gJU202oQA提取码：vq6mOS镜像下载百度网盘链接：https://pan.baidu.com
小脑斧123·2020-08-11 04:32

模拟电子技术之场效应三极管及其放大电路

金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管MOSFET基本共源极放大电路图解分析法小信号模型分析法共漏极和共栅极放大电路1.金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管场效应管是一种具有放大作用的元件,它是构成放大电路的基本器件
Mr.郑先生_·2020-08-11 01:05

无刷电调--BLHELI_S的学习笔记

3.mos管损坏这种情况下会导致电机缺项，mos管发烫，解决方法更换mos管。4.其他电容、电阻等被击穿、阻
六月初的一天·2020-08-10 13:35

单片机学习之路一些常见的疑问也是我的个人学习总结

在stm32中推挽电路由两个MOS管组
new_stylle·2020-08-10 12:04

BUCK电源芯片中自举电容的说明

图1LT3840应用电路图1MOS工作原理首先认识MOS的符号，确定是N型还是P型，然后确定各个极：然后了解MOS的开启条件：2开关电源芯片的工作方式LT3840的datasheet中对自举电容没有详细的说明
leon.geng·2020-08-10 11:46

Impdp ORA-39083、ORA-01403报错问题分析解决

本篇主要介绍笔者在工作中遇到的一个Impdp过程中出现ORA-39083和ORA-01403联合错误故障，并且通过MOS官方找到解
ciqu9915·2020-08-09 20:21

使用AO3400MOS管的电机驱动电路

使用AO3400MOS管的电机驱动电路使用AO3400驱动如下图所示的减速直流小电机。
阿兰你在哪·2020-08-09 11:55

记一次烧毁AO3400的过程

就是一个普通的电机驱动电路，MOS管用的AO3400，实际使用的过程中电源接反了，看到了MOS管被烧毁，这里原因不明白，为什么会烧毁MOS管，AO3400手册上面说的Vgs最大为±12v，用的电池是7v
阿兰你在哪·2020-08-09 11:55

AO3400的参数

AO3400是N型MOS管，AO3401是P型MOS管简要介绍：AO3400结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装提供极低的RDS(上)，适合作为负载开关或在PWM应用。
阿兰你在哪·2020-08-09 11:22

OVP使用小知识

作者：[email protected]本文所有权归作者Aircity所有注意，OVP里面的MOS管是NMOS，为了降成本。
AirCity123·2020-08-09 05:42

【(转)整理】open-drain, push-pull，MOSFET, MOS管，三极管等基础知识

【open-drain与push-pull】GPIO的功能，简单说就是可以根据自己的需要去配置为输入或输出。但是在配置GPIO管脚的时候，常会见到两种模式：开漏（open-drain，漏极开路）和推挽（push-pull）。对此两种模式，有何区别和联系，下面整理了一些资料，来详细解释一下：图表1Push-Pull对比Open-DrainPush-Pull推挽输出Open-Drain开漏输出原理输出
xiaxi·2020-08-09 03:39

音频测试

采用客观MOS(meanopinionscore)的方法PESQ(PerceptualE
weixin_46281126·2020-08-09 02:39

#计算机组成原理# chapter 4存储器 -4.2主存储器 part 2.1随机存取存储器

1.静态RAM(StaticRAM,SRAM）(1)静态RAM基本单元电路存储器中用于寄存“0”和“1”代码的电路称为存储器的基本单元电路,图4.1是一个由6个MOS管组成的基本单元电路。图中T1-
da..·2020-08-09 02:02

硬件电路设计之升压/降压电路

这张图里晶体管（MOS管？）充当的是开关的作用。当开关闭合的时候电源给电感充电，当开关断开的时候电感和电源给电容充电（此时电流很大）很容易使电容两端的电压大于电源两端的电压，实现了升压过程。
心广体胖·2020-08-08 20:20

GPIO和open-drain, push-pull，MOSFET, MOS管，三极管等基础知识

【open-drain与push-pull】GPIO的功能，简单说就是可以根据自己的需要去配置为输入或输出。但是在配置GPIO管脚的时候，常会见到两种模式：开漏（open-drain，漏极开路）和推挽（push-pull）。对此两种模式，有何区别和联系，下面整理了一些资料，来详细解释一下：图表1Push-Pull对比Open-DrainPush-Pull推挽输出Open-Drain开漏输出原理输出
qq_42282258·2020-08-08 20:42

乘法运算加法表示，单片机软件乘法运算

②因为IC工艺问题，可能当时的IC是主流是TTL门电路而不是MOS门电路。可能TTL门电路的扇出系数影响了IC的集成度发展。③51单片机是1980年出品，intel4004是1971年出品。
mick_dos·2020-08-08 20:44

PWM、SPWM、SVPWM的个人理解

调节输出量与波形，有刷直流电机调速，基本上都采用PWM方式；SPWM：正弦脉冲宽度调制，即按照等效面积原理，将正弦波等效成一组按照正弦规律变化的等幅不等宽的脉冲信号；常用于正弦逆变电源，MCU提供SPWM信号，经过MOS
H&·2020-08-08 19:36

open-drain, push-pull，MOSFET, MOS管，三极管等基础知识

载自：http://bbs.chinaunix.net/thread-3577868-1-1.html整理】open-drain,push-pull，MOSFET,MOS管，三极管等基础知识版本：v20110804
风中之哨·2020-08-08 14:47

GPIO寄存器原理与操作

eg：输出数据寄存器向输出控制（锁存器）输出信号1，则P-MOS处信号为1，N-MOS处信号为0，则输出Vdd高电平（3.3V），反之，输出数据寄存
big_blingbling·2020-08-08 14:02

springboot使用rabbitMQ（带回调）

rabbitMQ万年不变的第一步：pomorg.springframework.bootspring-boot-starter-amqp生产者配置文件1：RabbitConfigpackagecom.mos.eboot.web.config
梦想修补师·2020-08-08 02:17

I2C上拉电阻取值问题

如果上拉电阻值过小，Vcc灌入端口的电流(Ic)将较大，这样会导致MOS管V2（三极管）不完全导通(Ib*β
zyboy2000·2020-08-07 23:18

5V转换3.3V电平的几种简单方法

1、用mos管搭建的转换电路栅极G连接低电源电压VCC3.3v源级S接"低电压"端总线线路SDA1漏级D接"高电压"端总线线路SDA2，R为上拉电阻。
Wrz。·2020-08-07 21:14

计算机组成原理第三章多层次的存储器

存储位元的记忆原理：DRAM存储器的存储位元是由一个MOS晶体
weixin_30458043·2020-08-07 19:33

stm32（二）GPIO口

推挽输出：P-MOS和N-MOS交替工作。当P-MOS导通，N-MOS截止时，向芯片外部
朗朗上口就行啦·2020-08-07 17:37

计算机组成原理（三）存储器的层次结构

组成原理（三）存储器的层次结构第三章存储器的层次结构3.1存储器分类按存储介质分类（1）半导体存储器：TTL，MOS，SSD。
手写的从前66·2020-08-07 17:11

电路板中的各种“地”

VDD/VSS一般表示MOS电路的电源和“地”，D/S分别表示MOS管的Drain(漏)/Source(源
pariote·2020-08-07 15:37

[Xilinx ZYNQ] #5 常用电平接口

CMOS是MOS管逻辑，为压控器件，且输入电阻极大，
Zenor_one·2020-08-07 12:40

【翻译自mos文章】找到持有library cache lock session的方法

找到持有librarycachelocksession的方法参考自：HowtoFindwhichSessionisHoldingaParticularLibraryCacheLock(文档ID122793.1)其实就是两种方法：一、SystemstateAnalysis此处不做翻译，原文转载Systemstateeventwillcreateatracefilecontainingdetailed
msdnchina·2020-08-05 16:07

STM32的GPIO有几种输出模式及其说明

GPIO的基本结构第一：开漏输出模式（N-MOS打开，高电平时，IO端口电平取决于外部的上拉电阻；低电平时，IO端口为底）在图的上半部，施密特触发器处于开启状态，这意味着CPU可以在“输入数据寄存器”的另一端
dukai392·2020-08-05 13:01

EXP Or EXPDP时hang住问题，MOS解决方案

ORA-600[qm_init_sga_pass2:dbaguid]DuringExportWhileUsingEXPOrEXPDP(文档ID781769.1)ThisdocumentisbeingdeliveredtoyouviaOracleSupport'sRapidVisibility(RaV)processandthereforehasnotbeensubjecttoanindepende
congtang0640·2020-08-05 10:29

基于2SK4037的射频功率放大电路实验

但它们的输出功率都小于20dBm，本文给出了对2SK4037射频功率MOS管测一些相关实验测试。前期相关实验工作：MAR-8ASM射频放大器测试UPC
卓晴·2020-08-04 22:17

电子负载

考虑到在实验过程中，需要对它吸收的电能进行散热，所以选取了手边废弃的一块永磁同步电机驱动模块，拆卸下其中的MOS管，散热外壳等。然后再配上相应的电路就组成了电子负载。
卓晴·2020-08-04 22:46

如何利用单片机IO口产生两倍的电源电压

比如在一些功率器件（MOS）的基极驱动信号、扩展运算放大器的动态范围、一些通信信号（UART232）。
卓晴·2020-08-04 22:46

硬件开发---MOS管、电源防反接电路

一、使用MOS管防反接的理由电池供电产品中,防止电池反接是必需考虑的.最简单、最低成本的方案：在电源输入中串一个二极管。但是，二极管有0.7V左右的压降,3.3V过去后只有2.6左右了!
【老周】·2020-08-04 22:06

N沟道和P沟道MOS FET开关电路

在电路中常见到使用MOSFET场效应管作为开关管使用。下面举例进行说明。如图1所示，使用了P沟道的内置二极管的电路，此处二极管的主要作用是续流作用，电路是Li电池充放电电路，当外部电源断开时采用Li电池进行内部供电，即+5V电源断开后Q1的G极为低电平，S极和D极导通，为系统供电。图中D2和D3的一方面是降压的作用，使5V降为4V（D2为锗管压降为0.2V，D3硅管压降为0.7V）。图2工作原理同
小坏坏_·2020-08-04 22:34

带软开启功能的MOS管电源开关电路！

本文要讲解的电源开关电路，是用MOS管实现的，且带软开启功能。电路说明电源开关电路，尤其是MOS管电源开关电路，经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制，如下框图所示。
ybhuangfugui·2020-08-04 22:35

MOS管之高端驱动与低端驱动

MOS管之高端驱动与低端驱动有个项目需要对一个模块的电源进行控制，最初选择NMOS，系统使用3.3V，模块使用的也是3.3V，上电发现NMOS的S端输出只有2.6V，研究发现这种高端驱动应该使用PMOS
qrshi·2020-08-04 22:45

MOS管防反接电路

MOS管防反接，好处就是压降小，小到几乎可以忽略不计。现在的MOS管可以做到几个毫欧
CC攻城狮·2020-08-04 21:52

利用AO3401A实现电路电源防反接和电池充电管理功能

今天在工作中用到了mos管AO3401，它的内部示意图如下，G（gate）栅极，D（drain）漏极，S（source）源极1，mos常被用作为开关管，以下用作电池的防反接正是运用了mos管的这个特性。
底线发球·2020-08-04 21:14

电源防反接小结

1.概述电源的输入部分，为了防止误操作，将电源的正负极接反，对电路造成损坏，一般会对其进行防护，如采用保险丝，二极管，MOS管等方式，这里就稍微做一下梳理总结。
霁风AI·2020-08-04 21:14

功率MOS管保护电路设计

功率MOS管自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。
wtbcx2012·2020-08-04 21:33

分析功率型MOS管在锂电池保护电路中的详细应用

短路保护是放电过程中一种极端恶劣的工作条件，本文将介绍功率MOS管在这种工作状态的特点，以及如何选取功率MOS管型号和设计合适的驱动电路。电动自行车的磷酸铁锂电池保护板的放电电路的简化模型如图1所示。
weixin_43747182·2020-08-04 21:18

分析N沟道MOS管和P沟道MOS管在电路中的详细应用

MOS管集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。
weixin_43747182·2020-08-04 21:18

电源电路中MOS管选用的六大方法，你未必全都了解

在此上的基本原则为MOS管实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。即：VDS_peak≤90%*V(BR)DSS注：一般地，V(BR)DSS具有正温度系数。
weixin_43747182·2020-08-04 21:18
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