MOS

MOS管入门----只谈应用，不谈原理

大学的时候看到电路中涉及到MOS管的使用，指定头大。前几天偶然看见一篇文档《MOS管原理，非常详细》，对MOS管的使用总结的很透彻，所以整理到这里。以下以增强型MOS管为例解释说明。
君子不器。·2020-08-17 20:32

Oracle数据库云服务(OCI DBCS)问题与解答

以下是MOS中关于OCIDBCS的一些资源，首先可以参见这个[总目录]([OCI]:MasterNoteForOracleDatabaseCloudServiceInOCI(OracleCloudInfrastructure
dingdingfish·2020-08-17 15:40

简单2路逻辑电平转换电路

示例解说：当LV连接器的TXI-1为3V3高电平信号（LV排针接3V3，HV排针接5V）时，Q1mos管的栅极和源极之间的压降为0V（TXI-1与LV排针之间的电压），此时Q1mos管不导通，TXO-1
mworkfun·2020-08-17 13:31

ogg-01337

/dirdat/sg000367,IOerror0().2017-08-0214:40:37ERROROGG-01668PROCESSABENDING.查询mos发现相关解释APPLIESTO:OracleGol
made-in-china·2020-08-17 05:58

Verilog设计中的锁存器

但如果两者都由与非门搭建的话，锁存器耗用的逻辑资源要比D触发器少（D触发器需要12个MOS管，锁存器只需6个MOS管），锁存器的集成度更高。所以在的ASIC设计中会用到锁存器。
weixin_34001430·2020-08-16 21:27

从原理的视角，一文彻底区分MOS MOSFET NMOS PMOS CMOS

从原理的视角，一文彻底区分MOSMOSFETNMOSPMOSCMOS傻傻分不清由基础说起MOSFET登场NMOS电路抽象PMOS电路抽象什么是CMOS双向导通开关MOS管本文为原创作品，转载请注明出处！
malcolm_110·2020-08-16 19:48

EXP-00056: ORACLE error 932 encountered(ORA-00932: inconsistent datatypes)[转MOS]

1、问题？EXP-00056:ORACLEerror932encounteredORA-00932:inconsistentdatatypes:expectedBLOB,CLOBgotCHAREXP-00056:ORACLEerror932encounteredORA-00932:inconsistentdatatypes:expectedBLOB,CLOBgotCHAREXP-00000:Exp
lovehewenyu·2020-08-16 19:20

【程序】在联控智能STM32F405RG开发板（低压板）上用方波驱动24V无刷电机（使用3个预驱芯片IR2101S和6个IRF540N N-MOS管）

程序和开发板原理图的下载地址：https://pan.baidu.com/s/1gSrfLV3KZ4wMw1B5LAwrXQ（提取码：t8pf）本程序通过方波驱动联控智能的24V无刷电机。开发板为联控智能低压板，使用的单片机为STM32F405RG，晶振的大小为8MHz，如下图所示。程序实现了电机正转、反转、停转、速度增加和速度减小这五种功能，分别由按键1~5控制。程序为开环控制，没有实现PID速
巨大八爪鱼·2020-08-16 05:51

Oracle 官方给出声明——对于dblink产生影响

近期收到Oracle圈内分享得知在Oracle官方支持站点MOS上，最近发布了两篇告警文章OracleDatabasesNeedtobePatchedtoaMinimumPatchset/PSU/RUlevelbeforeApril2019
Ryan_Bai·2020-08-16 05:13

MOS管及其外围电路设计

全文框架1.栅极驱动部分常用的mos管驱动电路结构如图1所示，驱动信号经过图腾柱放大后，经过一个驱动电阻Rg给mos管驱动。其中Lk是驱动回路的感抗，一般包含mos管引脚的感抗，PCB走线的感抗等。
WillChan_·2020-08-16 03:21

基于STM32F103制作的小型焊台

基于STM32F103制作的小型焊台系统采用STM32F103C单片机作微控制器构建数字温度控制器，通过采集烙铁温度反馈来控制MOS来控制加热丝的工作，实现加热丝两端电压可变，从而控制焊接温度，使温度保持在设定值
youtiaodashi·2020-08-15 23:10

Oracle打补丁步骤

1、登录MOS，在patches&updates查找自己想要安装的补丁号或者bugcode，下载补丁。同时查阅readme，这里面写的是怎么安装补丁以及安装补丁的事项。
被Python玩的Kenny·2020-08-15 21:40

RM的A型开发板中过压保护，反接保护，缓启动保护一体电路分析

先来看看我们要分析的保护电路，先上图：这是源于大疆RM开发板A型的电源输入保护电路，我这里抄到AD上了分析之前我们有必要了解一下电源保护电路中的主角————MOS管，图为一个NMOS的各引脚名称。
SUNNNQAQ·2020-08-15 12:42

GPIO工作模式

共8种工作模式,4种输入,1.输入浮空模式2.输入上拉模式3.输入下拉模式4.模拟输入模式4种输出模式:开漏输出、开漏复用功能、推挽输出、推挽复用输出ps：mos管就是场效应管，三极管有的时候也叫晶体管
weixin_34148340·2020-08-15 11:55

1.1微处理器与微型计算机的发展概述

2.第二代微型计算机（1973~1978）1973年，出现了N沟道MOS集成电路（NMOS）、P沟道集成电路（PMOS）。1975~1976年，Motoro
将如何存在·2020-08-15 11:45

分位数映射数据后处理-Quantile Mapping后处理 (R语言)

早期的工作包括完善的预测(perfectprognosis)，模型输出统计（MOS）和模拟方法（analogmethod）等模型。
忠言睿长·2020-08-15 11:07

基于MOS的防反接电路

防反接电路一般用于电源入口处，在电源反接时，保证电源入口之后的电路不会受到损害。一般在电源电流较小、对1V左右的压降不敏感时可以使用二极管进行防反接。防反接的形式有直接在正极串联二极管（如图1），或使用整流桥的方式（如图2），但这两种方式均存在：1、存在二极管的管压降；2、过大电流时，二极管消耗的功率大，发热严重。这两个问题。图1二极管防反接电路图2整流管防反接电路1、基于NMOS的防反接电路基于
剑侠蜀山·2020-08-15 07:21

基于MOS缓启动电路笔记

缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有：串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等，分别如图1、2、3所示。串联电感时，由于电感隔交通直的特性，使得电流缓慢上升，从而实现缓启动，但在大功率场合，会导致，一方面电感因必须保证具有足够的通流量，所以体积很大，另一方面，增大了负载的感性负载大小，可能引起驱动源无法驱动。使用串接电阻时，在启动初期，使用串阻进行限流，容性负载电压已充电至安全阈值
剑侠蜀山·2020-08-15 07:21

【翻译自mos文章】Oracle db 12c中，每次日志切换时，会改变alert_sid.log的权限

12c中，每次日志切换时，会改变alert_sid.log的权限来源于：Alertlogfile'spermissionsChangewitheverylogswitchin12c(DocID1637367.1)适用于：OracleDatabase-EnterpriseEdition-Version12.1.0.1andlaterInformationinthisdocumentappliesto
msdnchina·2020-08-15 07:52

【翻译自mos文章】在数据库实例的alert日志中出现“WARNING: No cluster interconnect has been specified”

在数据库实例的alert日志中出现“WARNING:Noclusterinterconnecthasbeenspecified”来源于：NoInterconnectDefinedSignalledInAlert.Log(文档ID359268.1)适用于：OracleServer-EnterpriseEdition-Version:10.2.0.1andlater[Release:10.2andla
msdnchina·2020-08-15 05:15

#新闻拍一拍# Mozilla 和 Google 延长搜索交易三年，每年收入 4 亿美金 | Linux 中国...

导读：•Intel开发自己的操作系统mOS：Linux变种、百亿亿次超算专用•Android变成世界最大的地震监测网络•LibreOffice7.0发布首周下载量已接近50万本文字数：1203，阅读时长大约
技术无边·2020-08-15 04:26

【翻译自mos文章】怎么正确的使用SQLNET.ALLOWED_LOGON_VERSION参数

怎么正确的使用SQLNET.ALLOWED_LOGON_VERSION参数来源于：HowToUsetheParameterSQLNET.ALLOWED_LOGON_VERSIONCorrectly(文档ID1304142.1)适用于：OracleNetServices-Version9.2.0.8to11.2.0.4[Release9.2to11.2]Informationinthisdocume
msdnchina·2020-08-14 18:54

DRAM的刷新

4.DRAM的刷新动态MOS存储器采用“读出”方式进行刷新。从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全部刷新一遍为止，这一段时间间隔叫刷新周期。
laohan_·2020-08-14 17:06

weblogic的安装及补丁安装

OS：redhat7.6weblogic：10.3.6weblogic补丁：OracleWebLogicServerPatchSetUpdate10.3.6.0.190716在MOS网站上查询，weblogic10.3.6
文档搬运工·2020-08-14 12:09

Oracle scn健康状态检查脚本—scnhealthcheck.sql

我们都知道，之前在Oracle官方支持站点MOS上，最近发布了两篇告警文章，引发了用户的广泛关注，这两篇文章分别是：OracleDatabasesNeedtobePatchedtoaMinimumPatchset
雨丶花丶石·2020-08-14 11:09

p.563算法原理解析

p.563算法原理解析1.概览下图展示了，人工主观语音评估mos-lqs，双端和单端客观语音评估mos-lqo这三种方法的差异。
笨鸟东南飞·2020-08-14 07:03

离线快速部署Mirantis Openstack 9.0

MirantisOpenstack9.0简称为MOS9.0。它是Mirantis公司开发openstack自动化安装工具，这个工具还有个专门的名字，叫做Fuel。
weixin_34021089·2020-08-14 05:51

逻辑门电路的延时分析

关于MOS管NMOS:PMOS:NMOS是栅极高电平（VGS>Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
weixin_30888413·2020-08-14 03:33

关于IGBT(绝缘栅双极型晶体管）

来源：中投证券IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。
OnePlusZero·2020-08-14 03:24

在Windows下使用MQTT

密码配置在mos
link2dream·2020-08-14 02:10

一种简单的PCB加温电路设计

因此制定以下方案，使用电阻与NTC温敏电阻进行分压，对一只MOS管或三极管进行
athen21·2020-08-14 02:00

揭秘MOS管前世今生的发展历程

1、沟道上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。
weixin_43747182·2020-08-13 22:17

带你看懂MOS管的每一个参数，使你受益匪浅

一、VDSS最大漏-源电压:在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性。二、VGS最大栅源电压:VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的
weixin_43747182·2020-08-13 22:17

分析如何消除MOS管的GS波形振荡

下面就由立深鑫带领大家一起走进MOS管的世界，采用TVS二极管防止静分析如何消除MOS管的GS波形振荡？
weixin_43747182·2020-08-13 22:17

揭秘MOS管在音响功放中的详细应用

MOS管跟三极管的区别;MOS管是电压控制器件，它只要小量的Qg驱动电流就能动作了。而三极管是电流驱动器件。B极电流越大，IC就越大。MOS管到底好在哪里呢?好就好在它的电流控制能力。
weixin_43747182·2020-08-13 22:16

MOS 管 场效应管 应用

一般MOS管的参数，Vgs和Vgs(th)分别是什么意思，区别是什么？？？？？
EmbededCoder·2020-08-13 19:56

MOS 管 场效应管

一、什么是MOS管？
EmbededCoder·2020-08-13 19:56

图解MOS管的驱动技术及应用

MOS管作为功率开关管，已经是是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOS管作为电压型驱动器件，其驱动表面上看来是非常简单，但是详细分析起来并不简单。
少林达摩祖师·2020-08-13 18:05

【转】MOS管应用概述(三):米勒振荡的应对

A、减缓驱动强度1、提高MOS管G极的输入串联电阻，一般该电阻阻值在1~100欧姆之间，具体值看MOS管的特性和工作频率，阻值越大，开关速度越缓。2、在MOS管G
Quincy kuang·2020-08-13 18:18

【转】MOS管应用概述(二):米勒振荡

上一节讲了MOS管的等效模型，引出了米勒振荡，可以这么讲，在电源设计中，米勒振荡是一个很核心的一环，尤其是超过100KHz以上的频率，而作者是做超高频感应加热电源的，工作频率在500K~1MHz范围，功率大于
Quincy kuang·2020-08-13 18:18

【转】MOS管应用概述(一):等效模型

MOS管相比于三极管，开关速度快，导通电压低，电压驱动简单，所以越来越受工程师的喜欢，然而，若不当设计，哪怕是小功率MOS管，也会导致芯片烧坏，原本想着更简单的，最后变得更加复杂。
Quincy kuang·2020-08-13 18:18

MOS管开关时的米勒效应

一、MOSFET的开通过程MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程，当给栅极施加驱动电压后，MOSFET开通过程会分为4个阶段，其中Vgs、Ig、Vds、Id之间的关系如下图：t0-t1：Vgs快速上升，Ig逐渐降低。因为Vgs还没上升到MOSFET的开通电压，因此Id一直为0。t1-t2：Vgs上升到Vgs(th)，MOSF
qlexcel·2020-08-13 16:17

【翻译自mos文章】找到'cursor: pin S wait on X' 等待事件的阻塞者session(即：持有者session)

找到'cursor:pinSwaitonX'等待事件的阻塞者session(即：持有者session)来源于：HowtoDeterminetheBlockingSessionforEvent:'cursor:pinSwaitonX'(DocID786507.1)适用于：OracleDatabase-EnterpriseEdition-Version10.2.0.1to11.2.0.3[Releas
msdnchina·2020-08-13 16:19

MOSFET开时米勒平台的形成过程的详细解析！

MOS开通过程我们主要看3个信号：Vgs，Vds，Id，他们三个啥意思我就不解释了。
feiyingzaishi·2020-08-13 14:48

ORACLE 参数 O7_DICTIONARY_ACCESSIBILITY

该参数是ORACLE的一个安全机制,目的就是为了防止非sysdba访问系统关键数据字典,让sys用户成为sysdba,不能以普通用户登陆MOS文档:WhatisO7_DICTIONARY_ACCESSIBILITYandhowshoulditbeset
与尔同销万古愁·2020-08-13 14:41

MOS管开启过程中VGS的台阶——米勒平台？

MOS管开启过程中VGS的台阶——米勒平台？
BlackwhiteXYC·2020-08-13 12:44

「MOS管知识汇总」分类、区分、寄生二极管、导通条件、开关电路、串联电阻、米勒效应

相关博客学习：MOS管参数解读（热阻、输入输出电容及开关时间）文章目录一、分类二、区分三、寄生二极管四、导通条件五、基本开关电路六、与三极管比较七、GS串联电阻八、G极串联电阻十、米勒效应1.概述2.产生原因一
记得诚·2020-08-13 11:24

揭秘MOS管开关时米勒效应的详情

MOS管的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOS管的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后，MOS管就会进入开通状态;当MOS管开通后，Vds开始下降，ld开始上升
weixin_43747182·2020-08-13 11:12

Golang并发编程基础

内存芯片——即我们所知道的内存颗粒，是一堆MOS管的集合，在半导体称呼里面，很多MOS管组成一个半导体（组module），很多个module组成一个管芯（die），这个die即是内存颗粒，当然，更上一级即很多
网络小朋友·2020-08-13 10:00

米勒电容和米勒效应

之前我们在介绍MOS和IGBT的文章中也有提到米勒电容和米勒效应的概念，在IGBT的导通过程分析的文章中我们也简单提到过米勒平台，下面我们来详细地聊一聊。
Cherylzzx·2020-08-13 10:07
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