NMos

cmos管宽长比，OC, OD门和线与逻辑，传输门，竞争冒险，三态门

https://blog.csdn.net/vivid117/article/details/100187137pmos,nmos宽长比https://blog.csdn.net/qq_34070723
dxz44444·2020-08-22 09:42

FPGA杂记（二）

其门级示意图如下：相应的CMOS结构如下：由一个PMOS和NMOS组成，PMOS做上拉，与VDD相连；NMOS做下拉，与GND相连。
day day learn·2020-08-21 22:31

Verilog 99题之001-009

PMOS衬底接电源，NMOS衬底接地002.反相器的速度与哪些因素有关？什么是转换时间（transitiontime）和传播延迟（propagationdelay）？反相器的速度与哪些因素有关。
weixin_30372371·2020-08-21 10:30

有刷直流电机H桥功率驱动电路的设计心得

有刷直流电机驱动电路可以说有太多太多的经典电路了，而基于MOS管的H桥驱动电路更普遍的应用到电机驱动中，而基于MOS的H桥驱动电路大类有两种设计方案：（1）、上桥臂采用PMOS管，下桥臂用NMOS管；（
genglinling·2020-08-21 05:35

MOS管的开关特性

图3.8(a)为由NMOS增强型管构成的开关电路。
zhoujk0520·2020-08-20 09:09

PMOS——用于电源开关浅析

1.简介在网上查了一些关于PMOS和NMOS哪个更适合用于电源开关这种场合，大部分都是从工艺，导通电阻Rds来解释，但随着半导体工艺的进步，现今的PMOS与NMOS之间差距已经不大了，从SOT-23的封装来看
霁风AI·2020-08-20 09:19

增强型mos管

1）NMOS与PMOS的区分PMOS(箭头背向栅极对外)NMOS（箭头指向栅极）2）寄生二极管PMOS的寄生
Darren_pty·2020-08-20 07:49

MOS管三个工作状态

MOS管三个工作状态##MOS管三个工作状态#MOSFET工作区域的判定方法（NMOS）：当VgsVth且VdsVth且Vds>Vgs-Vth时，饱和区(恒流区)。
小白流浪记·2020-08-20 05:27

线与逻辑与OC门、OD门关系

在硬件上，要用OC门（三极管，集电极开路）或OD门（NMOS，漏极开路）来实现。另外，为了防止灌电流过大，在输出端要加1个上拉电阻。我们先来说说集电极开路输出的结构。
cainiaoyizhiyang·2020-08-20 00:30

从原理的视角，一文彻底区分MOS MOSFET NMOS PMOS CMOS

从原理的视角，一文彻底区分MOSMOSFETNMOSPMOSCMOS傻傻分不清由基础说起MOSFET登场NMOS电路抽象PMOS电路抽象什么是CMOS双向导通开关MOS管本文为原创作品，转载请注明出处！
malcolm_110·2020-08-16 19:48

数字IC低功耗设计总结

短路功耗（内部功耗）：信号翻转时不可能瞬时完成，PMOS和NMOS存在同时导通构成通路，形成短路电流。
无信号·2020-08-16 16:46

低功耗入门笔记

功耗思维导图功耗相关例题1、下列功耗措施哪个可以降低峰值功耗A静态模块级ClockGatingBMemoryShutDownCPowerGatingD大幅度提高HVT比例解析：首先峰值功耗是属于动态功耗中的短路功耗，即NMOS
ECC&SM9·2020-08-16 14:50

RM的A型开发板中过压保护，反接保护，缓启动保护一体电路分析

先来看看我们要分析的保护电路，先上图：这是源于大疆RM开发板A型的电源输入保护电路，我这里抄到AD上了分析之前我们有必要了解一下电源保护电路中的主角————MOS管，图为一个NMOS的各引脚名称。
SUNNNQAQ·2020-08-15 12:42

1.1微处理器与微型计算机的发展概述

2.第二代微型计算机（1973~1978）1973年，出现了N沟道MOS集成电路（NMOS）、P沟道集成电路（PMOS）。1975~1976年，Motoro
将如何存在·2020-08-15 11:45

基于MOS的防反接电路

图1二极管防反接电路图2整流管防反接电路1、基于NMOS的防反接电路基于
剑侠蜀山·2020-08-15 07:21

逻辑门电路的延时分析

关于MOS管NMOS:PMOS:NMOS是栅极高电平（VGS>Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
weixin_30888413·2020-08-14 03:33

MOS管开启过程中VGS的台阶——米勒平台？

米勒平台1、首先是MOS管2、MOS管特性（NMOS的）3、开启过程4、米勒效应最近突然发现一个现象，NMOS管开启过程中，VGS的上升沿波形有一段小台阶，或者说小回勾，时间为纳秒级，回勾出现的位置要比
BlackwhiteXYC·2020-08-13 12:44

臭名昭著的MOS管米勒效应

如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。
记得诚·2020-08-13 09:40

CMOS 与 TTL 比较

由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC（ComplementaryMOSIntegratedCircuit）。
makebuaa·2020-08-11 12:45

OVP使用小知识

作者：[email protected]本文所有权归作者Aircity所有注意，OVP里面的MOS管是NMOS，为了降成本。
AirCity123·2020-08-09 05:42

开漏Open Drain 和 推挽Push Pull 输出

栅极输入0时，NMOS的漏极和源极导通，输出0。栅极输入1时，NMOS不导通，漏极高阻，输出1（需要外部上拉电路，上升沿比较缓慢）。推挽PushPull推挽输出：可以输出高,低电平,连接数字器件。
硬件菜鸟备忘录·2020-08-08 16:17

MOS管之高端驱动与低端驱动

MOS管之高端驱动与低端驱动有个项目需要对一个模块的电源进行控制，最初选择NMOS，系统使用3.3V，模块使用的也是3.3V，上电发现NMOS的S端输出只有2.6V，研究发现这种高端驱动应该使用PMOS
qrshi·2020-08-04 22:45

温度和芯片供电电压影响芯片的速度和性能

阈值电压Vt下降使芯片速度加快，但通常温升导致迁移率下降更快，总的影响是温度升高速度变慢（a）PMOSFET（b）NMOSFET的VT随温度的变化曲线1)、无论是NMOS还是PMOS，它们VT的绝对值都是随温度升高而下降
xavi_siege·2020-08-04 22:30

NMOS和PMOS区别

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effecttransistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简
CC攻城狮·2020-08-04 21:52

分析N沟道MOS管和P沟道MOS管在电路中的详细应用

MOS管集成电路包括:NMOS管组成的NMOS管电路、PMOS管组成的PMOS管电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。
weixin_43747182·2020-08-04 21:18

MOS管防反接防过压电路

NMOS管防反接电路如上图当电源正确接入时。电流的流向是从Vin到负载，在通过NMOS到GND。
硬件工程师炼成之路·2020-08-04 20:55

三极管和MOS管驱动电路的正确用法

有P沟道MOS管（简称PMOS）和N沟道MOS管（简称NMOS），符号如下（此处只讨论常用的增强型MOS管）：2三极管和MOS管的正确应用（1）P型三极管，适合
weixin_33736048·2020-08-04 20:47

论MOS管开关对电源的影响

1.前言MOS管做为开关是一种常用的方式，在电路中比较常用的是一个三极管加一个MOS管，或者一个NMOS加一个PMOS。常用电路如图1图2所示。
风中月隐·2020-08-04 19:25

常用电路防反接小结

文章目录串联二极管整流桥串联保险丝、并联二极管NMOS管防反接PMOS管防反接NMOS管和PMOS管拓展参考串联二极管在电路中串联一个二极管，电路简单、成本低，不过在导通的时候会有≤0.7V的管压降，对于大电流的电路会造成较大的损耗
膨胀的小石头·2020-08-04 17:39

Buck型开关电源之TPS54160

TPS54160为内部集成NMOS开关的降压型BUCK集成稳压器芯片，输入电压范围：3.5~60VDC；输出电流1.5A（开关峰值限制电流1.8~2.7A）；开关频率100kHz~2MHz，由外部5脚电阻取值设置
breeziness123·2020-08-04 17:28

MOS管当开关控制时，为什么一般用PMOS做上管NMOS做下管？

了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。
pan0755·2020-08-04 16:58

mos管复习

N、P型的区别，就是一个为正电压启动(NMOS)，一个为负电压启动(PMOS)。即：NMOS的g端为高电平时，d端与s端导通，为低电平时d端与s端断开；PMOS相反。
那颗流星·2020-08-04 15:24

关于一个NMOS+PMOS开关电路失效的分析

最近一个项目用到了PMOS+NMOS作为开机信号，开机要求为高电平开机，最小电压为1.8V，耐压可达17V，为使可靠，选择5V左右（14V4通过100K和56K分压，设计者是这么想的）。
shuiqinghan2012·2020-08-04 15:27

分立元件构成的电平转换电路及其详解

低电平的传输左边3V3_IO给低电平，UGSU_{GS}UGS>UGS(th)U_{GS(th)}UGS(th)，NMOS导通，5V_IO也为低电平右边5V_IO给低电平，由于si2300的续流二极管，
Nydxsst·2020-08-04 14:45

基准电压的电源

因为NMOS耗尽管的阈值电压为负值，并且具有负温度系数，因此由式(1)可知，耗尽管电流随温度上升而变大。
chisi9974·2020-08-04 13:01

AP5152输出电流2500mA启动电压2.7V降压恒流芯片

AP5152是一种输出电流可调的,低压差的LED恒流驱动器,仅需一个外接电阻和一个NMOS管就可以构成一个完整的LED恒流驱动电路,调节刻外接电阻就可以调节输出电流,输出电流可调范围为100mA到3000mAAP5152
a18923843922·2020-08-04 12:54

电子设计（5）MOS管防电源反接电路

写在前面：看网上很多MOS管防反接电路都是不太对，写的不够详细，如下博主用NMOS和PMOS各画了一个，非常详细。
记得诚·2020-08-04 11:09

电荷泵自制MOS管高压驱动电源

另一方面，由于PMOS导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动方式也，通常还是用NMOS，这样就要求门极驱动电压在驱动电压的基础上再增加5-10V，也就是说，如果驱动负载的
一路狂奔的兔子·2020-08-04 11:25

LSI系统介绍

LSI：LargescaledICSOC：Systemonachip摩尔定律：集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔两年便会增加一倍硅特性，P型半导体，N型半导体，PN结，二极管，NMOS，PMOS长沟道模型
summer_awn·2020-08-04 01:39

MOS管的工作原理浅显易懂

先上一张图一、一句话MOS管工作原理NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V,其他电压，看手册）就可以了。
爱学控制的猫·2020-07-30 22:09

IC基础知识整理

什么是CORENER集成电路设计的基础单元是晶体管，在最终制造时，晶体管有2种：NMOS和PMOSNMOS和PMOS在制作过程中肯定会存在误差，如果这种误差超过电路设计者的预期，将会导致成品的不良率增加
nankaizhen·2020-07-30 19:15

I2C双向电平转换电路

如果电平不同，一个高电平是3.3V，另外一个是1.8V，那么就需要接入其它的器件来做一下电平转换，通常是接入NMOS管。如上图，此图来源于I2C官方协议，协议标准文件里面已对此作了一些说明。
硬件工程师炼成之路·2020-07-30 12:25

I2C总线双向电平转换实用电路

这里介绍一种电路，使用简单的NMOS管和上拉电阻完成这样的双向电平转换。电路原理如图所示。此电路来自于飞利浦的一篇设计指导文档
justinjewcci·2020-07-30 12:33

MOS管简单理解

1.判断G、S、D级G极(gate)—栅极，不用说比较好认S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边一般常用NMOS
用户昵称已经存在·2020-07-30 06:54

数字电路基础（CMOS电路、低功耗方法）

CMOS电路——功耗2.1.时钟门控2.2.动态电压频率调整DVFS2.3.多阈值电压技术2.4.多电源多电压技术一、CMOS器件1.1.CMOS反相器CMOS反相器实现非门功能，由一个PMOS管和一个NMOS
Mr.翟·2020-07-28 23:02

TPS73601DBVR线性稳压器

描述TPS736xx系列低压差（LDO）线性稳压器采用新型拓扑结构：电压跟随器配置中的NMOS传输元件。采用低ESR的输出电容，这种拓扑结构非常稳定，甚至可以在没有电容的情况下工作。
szrileyH·2020-07-28 12:25

LDO稳压器详解（二）－选型指标

Vin(min)>2.5V:可以考虑使用PMOS类型的LDOVin(min)>1.0V:需要使用外加偏置电路或内置电荷泵升压偏置的NMOS型LDOVin(max)对于一般LDO，最大输入电压会分为如下几档
sternlycore·2020-07-28 11:19

工艺角，PVT, TT,SS,FF,FS,SF

如图，其思想是：把NMOS和PMOS晶体管的速度波动范围限制在由
白山头·2020-07-27 22:59

动态功耗计算

短路功耗：指管子在翻转过程中，PMOS和NMOS同时导通，从电源VD
diedai7174·2020-07-27 21:39

TPS73601DBVR 低压差（LDO）线性稳压器TI

描述单路输出LDO、400mA、可调节电压（1.2至5.5V）、无电容、低噪声、反向电流保护TPS736xx系列低压差（LDO）线性稳压器采用新型拓扑结构：电压跟随器配置中的NMOS传输元件。
szriley123·2020-07-27 13:41
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