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Maven
Linux
NMos
IC中的PVT
[1]1.25-CornermodelTT:
nmos
-Typicalcorner&pmos-TypicalcornerFF:
weixin_41515979
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2020-07-15 06:38
MOS管(三极管)——一些常用的硬件设计电路分析
2.应用2.1
NMOS
开关
霁风AI
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2020-07-13 21:16
躬耕硬件
嵌入式开发
硬件电路设计
H桥原理
下图就是一种简单的H桥电路,它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成,所以它叫P-
NMOS
管H桥。
若谷镧系
·
2020-07-13 07:57
电子
MOS管的开关特性
四类MOS管增强型运用较为普遍,下图是画原理图时增强型
NMOS
和PMOS管的符号:漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在
yedongnan001
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2020-07-12 18:46
嵌入式硬件
[note] 微电子学概论(3) PMOS和
NMOS
的区别,CMOS结构
文章目录怎样更好地区别PMOS和
NMOS
四个端口分类和区别状态变化的条件增强和耗尽型PMOS和
NMOS
的通断从CMOS电路重新认识两种元件怎样更好地区别PMOS和
NMOS
四个端口图中可以很清晰地看到四个端口
Honour Van
·
2020-07-12 14:30
通信物理
LTspice入门使用教程(导入元器件&电压电流波形&幅频特性曲线)
导入自定义参数的模型打开LTspice,新建原理图之后,选择工具栏里的component,在弹出的对话框中输入
nmos
4单击ok即可点击工具栏的SPICEDirective选项在弹出的对话框中输入要包含的文件名
Denny_liujq
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2020-07-11 20:44
通俗易懂 MOS管
先上一张图一、一句话MOS管工作原理
NMOS
的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V,其他电压,看手册)就可以了。
喜马拉雅苦行僧
·
2020-07-09 05:34
硬件
两种最基本的MOS管——N沟道与P沟道
我们常用的是
NMOS
,因为其导通电阻小,且容易制造。在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。
Husterbin
·
2020-07-09 05:53
模拟技术
MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管
MOS集成电路包括:
NMOS
管组成的
NMOS
电路、PMOS管组成的PMOS电路及由
NMOS
和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。
荷兰风车
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2020-07-09 03:14
硬件
MOS管寄生二极管方向判断,看完醍醐灌顶
实际应用中,
NMOS
居多。左边是N沟道的MOS管,右边是P沟道的MOS管寄
weixin_43747182
·
2020-07-08 21:39
解析MOS管的详细参数,看完这篇你就全都懂了
NMOS
管的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V,其他电压,看手册)就可以了。
weixin_43747182
·
2020-07-08 21:38
DC-DC直流升压模块电源12V升24V(5A)FP5207
内置短路保护功能CSpin对地电阻可以设定电流限制保护透过RTpin调整频率出色的线性与负载调整率内置软启动功能SOP-8L(EP)封装芯片型号:FP5207FP5207是异步升压控制IC,透过EXTPin控制外部
NMOS
yxdz13682528307
·
2020-07-08 18:16
直流升压
升压模块
电源模块
DCDC
FP5207
NMOS
和PMOS区别
在很多电路途中会出现
NMOS
和PMOS管,因为不是中文那么直接,都说管压降之类的,但其实它的导通很重要以及区别,关系到你点亮电子元件》参考:1.https://blog.csdn.net/lg2lh/article
weixin_30649859
·
2020-07-08 14:04
mos管的两种接法
参见:https://zhidao.baidu.com/question/575450692.html图中使用的是
NMOS
管,左边的电路中,控制端为0V时MOS管关断,S极的电平为0,当G极给一定电压U0
Mr qqtang
·
2020-07-08 07:19
嵌入式
MOS驱动电路
MOS管的驱动电路有两个要点:1、瞬态驱动电流要够大,所谓驱动MOS管,主要就是对MOS管门极的寄生电容的充电放电,也就是打开和关闭MOS管2、
NMOS
的Vgs(门-源电压)高于4V即可导通,PMOS的
power小狼
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2020-07-08 07:30
硬件
区分PMOS管和
NMOS
管的巧妙记忆方法
MOS管的管脚有三个:源极S(source)、栅极G(Gate)和漏极(Drain),但是实际工程应用中,经常无法区分PMOS管和
NMOS
管、各管脚的位置以及它们各自导通的条件。
ProgressingForever
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2020-07-08 07:46
模拟电子技术
基于MOS管的负载开关电路
若VgsVgs(th),此处Vgs(th)为正值,
NMOS
导通,Vd=Vs=0V。当Switch_signal为低电平,Vgs=Switch_signal=0V,Vd=VCC,Q2截止
qq_40984643
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2020-07-08 01:30
微电子电路——期末总结
时间轴:1946第一台计算机诞生(belllab)1947年晶体管发面,代替电子管1958第一个半导体集成电路诞生(TI实验室)1959硅平面工艺的单片集成电路1960第一个mos管诞生1963pmos与
nmos
HNU君陌
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2020-07-08 01:03
微电子电路
NMOS
or PMOS?
MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流;而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。选择NMOSorPMOS?在选择这两种MOS管之前,需要弄清两个问题:1.高端驱动2.低端驱动对于MOS管需要知道它的几个基本参数:Vgs:Vg与Vs之间的电压,也叫栅极门限电压,也就是达到这个电压,mos管才会导通,但只
Ruler.
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2020-07-07 20:50
硬件电路设计
NMOS
管和PMOS管开关控制电路原理及应用
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管、
NMOS
做下管比较方便。使用PMOS做下管、
NMOS
做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用。
红烧-愉快
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2020-07-07 20:14
电子元器件使用
MOS管发热原因分析一
其中一项是客户需要非标准POE供电,可输出的POE供电电压为12/24/30/48V切换,最大输出功率设计为24W,电路采用反激式电源方案(电源芯片MP3910,芯片厂商提供方案),在调试该部分电路时出现MOS管(
NMOS
liuyh_
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2020-07-07 14:31
MOS管与三极管
场效应管导通条件
场效应管开关状态工作情况表(注:假设其他工作条件已符合)FET类型符号工作条件开关状态备注N沟道结型UGS=0D、S导通UGSUGS(OFF)>0D、S断开
NMOS
耗尽型UGS=0D、S导通衬底与源极S
lin1612
·
2020-07-07 13:17
场效应管
MOS管的工作原理
当在
NMOS
的栅上施加相对于源的正电压VGS时,栅上的正电荷在P型衬底上感应出等量的负电荷,随着VGS的增加,衬底中接近硅-二氧化硅界面的表面处的负电荷也越多。
ProgressChen
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2020-07-07 13:08
电子技术
STM32应用-第2节-MOS管使用方法
NMOS
和PMOS顾名思义,
NMOS
为阴性,因此箭头向内,PMOS为阳性,箭头向外。
NMOS
特性:G>S时导通,也就是阴性的G级电压为正时,MOS导通,电流从D流向S(G对面,
book_drabit
·
2020-07-07 04:40
MOS管学习笔记
(以
NMOS
为讨论对象)一、首先需要注意的是MOS的内部GDS两两间均存在结间电容,所以我认为对于MOS的导通截止,是在对GS间的电容充电放电,所以为了让MOS更快地导通截止,可以从这个结间电容来考虑,
a1556595783
·
2020-07-07 02:20
电子元器件
MOS管参数解读(热阻、输入输出电容及开关时间)
以下用到的SPEC参数是Rohm的
NMOS
管RE1C001UN热阻定义:热阻指的是当有热量在物体上传输时,在物体两端温度差与热源的功率之间的比值,单位是℃/W或者是K/W。
记得诚
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2020-07-06 20:11
电子元器件
NMOS
和PMOS
我们常用的是
NMOS
,因为其导通电阻小,且容易制造。在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。
depaJun
·
2020-07-06 15:26
三极管和MOS管驱动电路的正确用法
有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称
NMOS
),符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管):图22三极管和MOS管的正确应用(1)NPN型三
张家顺子
·
2020-07-06 12:03
电子技术
3.7V升压12V电路
参数AX5302FP6296输入电压3.0Vto24V2.7Vto12V输出电压12V、15V、18V、24V<13VMOS管需外置
NMOS
管内置15mΩ,10A,14VM
兲行健
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2020-07-06 09:27
硬件
传输门为什么是P/N双MOS结构
传输门为什么是P/N双MOS结构为什么不是直接单独的PMOS或者
NMOS
组成?
崽象肚里能撑船
·
2020-07-06 05:08
待完善
CMOS构成的常见电路
MOS门电路有三种类型:使用P沟道管的PMOS电路、使用N沟道管的
NMOS
电路和同时使用PMOS和
NMOS
管的CMOS
weixin_34194087
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2020-07-06 00:53
门电路的基本原理——算术逻辑运算单元——计算机组成原理
文章目录1.门电路的基本组件:2.非门(Notgate)3.与门(Andgate)4.或门(ORgate)5.异或门(XORgate)6.总结:1.门电路的基本组件:现代集成电路使用的是:MOS晶体管:
NMOS
想吃猪蹄
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2020-07-05 19:19
计算机组成原理
MOS管的高端驱动和低端驱动
对于
NMOS
,只有当Vgs大于开启电压时,MOS管才能导通。所以当未导通时,S处于一个不能确定的电位。
Soil_L
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2020-07-05 08:12
智能车
技术
MOS管导通条件
PMOS增强型管:uG-uS|uGS(th)|,uGS|th|是开启电压;
NMOS
增强型管:uG-uS>0,且|uG-uS|>|uGS(th)|,uGS|th|是开启电压;PMOS导通是在G和S之间加G
红了芭蕉,绿了樱桃:)
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2020-07-05 08:07
MOS管
电路
PMOS和
NMOS
在开关应用中高侧和低侧驱动的对比
一说到开关,我们脑海中首先浮现的就是各式各样的机械开关,常见的有自锁开关、拨码开关、船型开关等等。区别于这类常见的机械开关,我们在电子电路中常用的还有各类半导体开关,例如三极管开关、使用三极管级联的达林顿管开关、MOS管开关、晶闸管开关等等。我们可以看到普通机械开关与半导体开关最大的差异就在于开关速度上的优劣。机械开关通常是由人手动操作,其动作时间一般是几十毫秒到几百毫秒之间。而半导体开关呢?拿D
隐风之龙
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2020-07-04 19:38
模拟与数字电路
MOS管驱动
MOS管开关
模拟电路
三相电机 驱动
驱动电路原型如下,全是
NMOS
,高电平导通:一、普通的驱动方法1.1驱动方法描述驱动方法大致可以描述为,高电压端PWM驱动上桥,低电压端普通IO驱动下桥。
gtkknd
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2020-07-04 16:49
模拟电路
32
CMOS电路的功耗
比如对于下面的CMOS非门中:当Vin=0时,PMOS管导通,
NMOS
管截止;VDD对负载电容进行充电;当Vin=1时,PMOS管截止,
NMOS
管导通;VDD对负载
bleauchat
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2020-07-04 12:11
IC设计相关
NPN 、PNP 三极管开关形式的典型接法(注意上下拉电阻)
类似的
NMOS
和PMOS也是如此。因此,为了获得相应的控制电位差,把npn的射级对地,你比较容易获得一个开启信号。
bigbearger
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2020-07-04 12:55
模拟电路&仿真LTspice(5):MOS管特性曲线
MOS管特性曲线主要又Id漏极电流和Vds漏-源电压组成(
NMOS
管型号:BSS1445为例,Vds=100V,Rds=3.5欧)。
Smile_shao
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2020-07-04 08:01
模拟电路&仿真LTspice
门电路的基本原理
而MOS晶体管又主要有两种类型:一种我们称为N型MOS管,也简称为
NMOS
,上图就是
NMOS
的符号表示。它对外有三个连接:一个是源,一个漏,一
gsllz
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2020-07-04 00:31
202001
计算机组成与设计(三)—— 门电路的基本原理
集体管现在集成电路中常使用MOS集体管:Metal-Oxide-Semiconductor(金属-氧化物-半导体)晶体管有两种类型:N型和P型,由
NMOS
和PMOS共同构成的互补型MOS集成电路(CMOS
dianshu1593
·
2020-07-04 00:03
专用集成电路 -- CMOS组合逻辑设计
.组合逻辑性能优化2.1逻辑努力,门努力2.2组合逻辑链最小延迟计算3.CMOS逻辑门中的功耗3.1开关活动性的静态部分3.2开关活动性的动态虚假翻转3.3降低组合逻辑的开关活动性4.有比逻辑4.1伪
NMOS
4.2
love小酒窝
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2020-07-01 21:11
IC笔试
数字集成电路
反相器
MOS管原理用法
先上一张图一、一句话MOS管工作原理
NMOS
的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V,其他电压,看手册)就可以了。
anlx27
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2020-07-01 17:39
模拟电子
双阱工艺
从而达到分别调节
NMOS
和PMOS衬底掺杂浓度的目的。衬底掺杂浓度不同会影响器件很多性能,最主要的是MOS的阈值电压,阈值电压作为MOS器件的最关键参数,它的大小直接受衬底掺杂浓度的高低影响。
zhangzker
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2020-06-30 14:15
cmos工艺
cmos双阱工艺
NMOS
和PMOS使用总结
1.导通特性
NMOS
的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可
李宜君
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2020-06-29 22:29
模电
3.3V与5V的电平转换
TR1、TR2为分立的
NMOS
三极管,S为源极,D为漏极,G为栅极。Rp为上拉电阻,一个连接在S与VDD1之间;另一个连接D与VDD2之间。G端连接VD
霁风AI
·
2020-06-29 22:07
硬件电路设计
躬耕硬件
单片机XTAL引脚引出的晶振分析
当使用内部时钟时,此二引线端用于外接石英晶体和微调电容;当使用外部时钟时,用于接外部时钟信号,
NMOS
接XTAL2,CMOS接XTAL1。原理:XTAL1和XTAL2分别是一个反相器的输入和输出。
abloume
·
2020-06-27 07:19
单片机原理
用
NMOS
搭建自动双向电平转换电路
以下内容摘自“AN97055”2.3Deviceswithdifferentlogiclevelsconnectedviathebi-directionallevelshifter.Thebi-directionallevelshifterisusedtointerconnecttwosectionsofanI2C-bussystem,eachsectionwithadifferentsupply
Jimbo_Zhang
·
2020-06-26 19:17
硬件设计
V-shifter
【电机驱动芯片(H桥、直流电机驱动方式)——DRV8833、TB6612、A4950、L298N的详解与比较】
文章目录一.全H桥电路基础知识1.原理图(以全
NMOS
管为例)2.H桥工作模式正转模式反转模式电流衰减模式3.补充二.DRV8833芯片介绍1.基本介绍2.引脚功能3.功能框图4.结构详细介绍5.逻辑控制
默默无闻小菜鸡
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2020-06-26 03:25
电路模块/芯片使用
步进电机使用总结
步进电机使用总结1、步进电机励磁顺序2、驱动电路3、步进电机驱动芯片UPA1759G为
NMOS
。4、需要注意的几点:1)我们使用的步进电机800pps为最佳。
joqian
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2020-06-23 23:50
STM32
LPC1788
驱动模块
单片机
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