mos

python3 导入自定义包 ModuleNotFoundError: No module named '__main__ 解决办法

界面和我的代码分开写方便之后应对那个传说中的上帝客户一开始在index.py这么写的from.UI.SearchEngineimportUiMainWindow这个是编辑器边提示我边打的然而没有啥卵用依然报错Traceback(mos
JwCode·2023-01-07 07:29

简谈BUCK降压电路

其中，开关管选用的为MOS管，也可以选择三极管。其源极接PWM波。PWM的高低起伏控制着MOS管的导通与
硬件一小白·2023-01-04 21:48

MOS管烧毁，90%以上的硬件工程师都会遇到的问题！

MOS管烧毁，我相信90%以上的硬件工程师在职场生涯中都会遇到这类问题。然而这类问题也总是让人防不胜防。那么今天小白就给大家讲解一下MOS管烧毁的几个常见原因。
硬件一小白·2023-01-04 21:18

Multisim 12.0 笔记

Transisitor库：三极管库，包含NPN、PNP、达林顿管、IGBT、MOS管、场效应管、可控硅等；5
Muse_Jony·2023-01-04 21:11

有关UC3842芯片输出PWM波形不连续以及PWM频率与RT和CT上的锯齿波频率不一样问题的调试心得记录

最近在调试基于UC3842芯片的BUCK降压电源，该BUCK电路使用非同步整流拓扑，高端的MOS管驱动使用的是自行使用分立器件搭建的自举升压驱动电路。
w14327885·2023-01-04 21:41

TypeC规范--CC连接

上次在TypeC与PD快充文章内我们在后面放了几张图；如下图：上图位于TypeC规范章节4.5.1.3.3我们以这个图为例介绍一下，我们可以看到在VBus上会有MOS去切换source和sink的通路，
大师匈·2023-01-04 21:02

模拟集成电路设计基础知识(一)：MOS管结构及其I/V特性

文章目录MOSFET的基本结构MOSFET的I/V特性模拟集成电路的设计与数字集成电路的设计不同，数字集成电路倾向于使用现有集成电路的器件、模型来实现一些高级的功能，而模拟集成电路一方面要将半导体器件看作一个黑箱，实现封装设计，另一方面还要深入理解器件的微观原理，知晓半导体材料的参杂、电导电容特性等基本概念，实现单元设计。有关于器件物理的知识可以参考台湾施敏编著的《半导体器件物理》以及国内刘恩科等
BigOrangeZee·2023-01-04 21:30

反激式开关电源电路测试记录（二）

由于课题组也在做氮化镓HEMT器件（更多的是在芯片设计和工艺部分，电路部分=没有），后续有做氮化镓开关电源来验证氮化镓HEMT器件的性能的想法，因此想从Si基MOS管反激式开关电源电路入手，逐步实现替代
ice_cream23333·2023-01-04 21:26

UC3842电源管理芯片详细解读

如图2所示，通常在电流感应引脚INSENSE串联一个电阻RS到地，电阻另一端接MOS管源极。
ice_cream23333·2023-01-04 21:18

stm32学习----正电原子精英板控制电机正反转

它是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术；它是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变
句号388·2023-01-04 15:08

GPIO的工作模式、GPIO复用

输入部分：输入的信号，不会反向的回流到输出电路，因为N-MOS、P-MOS不会被反向导通。（输入电路不会影响到输出电路）输入电路内部有两个电阻：上拉电
想文艺一点的程序员·2023-01-04 12:39

校园招聘攻略----硬件工程师基础问题(五)

问题41面试官：MOS管的选型如何考虑？学生：选N沟道还是P沟道，在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。
鲁棒最小二乘支持向量机·2023-01-04 09:04

图像质量评价领域前沿综述（2022）

NR-IQAFR-IQA其他IQA数据库主流IQA数据库美学和眼动等数据库图像质量评价（ImageQualityAssessment,IQA）主要包括两个部分，一是主观质量评价，即人对于图片的主观感知评价，一般使用MOS
百年后封笔·2023-01-02 22:11

【面经】2022年初的面试记录（六）字节

帧对齐如何实现的端到端延时如何操作竞品质量测试关注的指标有哪些音频/视频客观的测评工具，如何使用P帧、B帧的区别音质测评（除了Mos打分外）APP的性能测试服务的性能测试比如噪音、啸叫如何评测飞书的升级
darlingmz·2022-12-31 16:32

v$asm_disk中free_mb低于300m导致加盘报ora-15041

某项目扩容加盘到磁盘组中报磁盘组空间耗尽的错误，如下明明是加盘，却报空间不足的错误，令人费解报错的磁盘组为normal冗余，且Usable_file_MB为负，且Free_MB剩余很少或为0问题排查：经查询MOS
Joyce.Du·2022-12-30 15:13

IPTV码流分析指标

针对IPTV码流可以分析如下指标（参考蓝拓扑公司的IPTV码流分析产品）视频内容质量分析被动式的视频平均意见分(MOS)测量实时对所选的IPTV和VOD节目进行音视频回放MPEGPESI,P,B帧率存在丢包的
雷霄骅·2022-12-29 07:30

rtpengine MOS值相关(RTCP)

rtpengine，是根据伴随rtp包而来的rtcp数据包计算MOS值的。根据rtcp中记录的流的质量生成mos值。在较旧的版本若通话语音流中不包括rtcp包是无法计算出mos值的。
Kamilio_OPS·2022-12-28 01:14

浅析MOS管串联并联的驱动应用

1.MOS管并联的可行性分析由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致某颗MOS管的电流比较大
weixin_43747182·2022-12-28 01:14

mos管结电容等效模型_MOS管GS之间并联的电阻的真正作用！

在mos管的驱动电路里,某些场合下,会看到这个电阻,在某些场合中,又没有这个电阻.这个电阻的值比较常见的为5k,10k.但是这个电阻有什么用呢?
达拉斯手记·2022-12-28 01:13

电容应用：MOSFET的门源极并联电容

MOSFET门源极并联电容后，开关可靠性得到提升开关电路如下图电路解释开关电路如下图电路解释1.该电路用于高边开关，当MOS_ON网络拉低到地时，开关Q1导通；2.电路中D3作用为钳位Q1门源电压在12V
ZHU_YONG_LI·2022-12-28 01:42

高压MOS管KNP41100A 2A/1000V【PDF数据手册】

高压MOS管KNP41100A2A/1000V半导体市场，现阶段1000-1500V超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，且存在价格高，交付周期长等弊端。
KIA半导体·2022-12-28 01:40

电工学习通：电路图符号知识大全

电路图符号知识我们常说的电路图呢是一种以物理电学标准符号来绘制各MOS管电子元器件组成和关系的电路原理布局图，听不懂也没关系，我们只要记住以下几点就可以了：电路图符号数量众多，大致可以分为四个类别：传输路径
KIA半导体·2022-12-28 01:40

高压MOS管1000V/2A 可代替IXFP4N100 数据表（PDF）

高压MOS管1000V/2A可代替IXFP4N100放眼半导体市场，现阶段1000-1500V超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，且存在价格高，交付周期长等弊端。
KIA半导体·2022-12-28 01:10

MOS管的作用及原理介绍

MOS管的英文全称叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。
KIA半导体·2022-12-28 01:40

功率MOS管并联方法的研究

在低压大功率的许多应用场合,如电动三轮车、旅游观光电动汽车、小型电动叉车等,无一例外的是采用MOS管并联的方法,但这些传统的并联方法大多数是把同一规格的MOS管并联在一起使用,并联前不会专门进行均流、发热温升测试后再选择并联
电动汽车砖家刘博士·2022-12-28 01:07

MOS管栅极反并联二极管的作用

  经常会看到MOS驱动电路中栅极电阻会反并联一个二极管。
gaoyong_wang·2022-12-28 01:36

资产监测设备研发中，为什么MOS管要并联个二极管

近期笔者在网页上看到一些网友说他们的快递在运输时，遇到了快递长时间不更新的情况，要是不急的快递还好，但是遇到比较急用的快递，总在路上耽误着，也不知道具体到那儿了，也不知道该联系谁。其实针对这些情况，可以使用资产监测设备，资产监测设备具有实时定位的功能，如果快递走偏或者在原地不动的话，都可以通过后台查看到，那样就可以及时提醒运输的快递人员。笔者在进行资产设备研发时，根据设备的使用情况，需要对硬件的材
瑞奇Ricky·2022-12-28 01:36

详解MOS管并联注意事项和采取措施

MOSFET管并联工作时，需要考虑两个问题：1）满载时，并联器件完全导通时的静态电流分配是否均衡。2）通断转换过程中它们的动态电流是否分配均衡。在并联工作的情况下，无论是静态还是动态情况，如果一个MOSFET管分担了相对较多的电流，它发热将会更厉害，很容易造成损坏或者造成长期的可靠性隐患。静态电流分配不均衡是由于并联器件的Rds不相等引起的。Rds较低的器件分担了比平均值更大的电流。由于MOSFE
KIA半导体·2022-12-28 01:04

Silvaco TCAD仿真10——MOSFET结构仿真

代码MOS器件结构goatlas#定义网格#二维非均匀网格meshx.ml=0.0spacing=0.3x.ml=0.5spacing=0.018x.ml=2.5spacing=0.018x.ml=3spacing
桐桐花·2022-12-27 17:27

学习笔记——STM32摄像头OV7725（一）

由于CCD的像素由MOS电容组成，读取电荷信号是需要使用电压相当大的（至少2V）的二相/三相/四相的时序脉冲信号
青玉巨兽·2022-12-26 03:21

我了解的一些线阵相机知识

（RGB相机和TDI相机除外）关于线阵相机的传感器70年代大多数使用的是MOS，而从70年代末CCD开始迅速发展，一直到现在也是主流，CMOS
J-A·2022-12-24 03:51

基础电路设计知识：电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管！

电阻1概念电阻元件的电阻值大小一般与温度，材料，长度，还有横截面积有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。导体的电阻通常用字母R表示，电阻的单位是欧姆（ohm），简称欧，符号是Ω（希腊字母，读作Omega)，1Ω=1V/A。比较大的单位有千欧（kΩ）、兆欧（MΩ）（兆=百万，即100万）。1TΩ=1000GΩ；1GΩ=1000MΩ；1MΩ=1
chooseboy·2022-12-23 06:03

YOLO系列-yolov4

SpatialPyramidPooling)CSPNet(CrossStagePartialNetwork)CBAMSAMPAN（PathAggregationNetwork)激活函数Mish整体网络架构Mos
dzm1204·2022-12-22 10:44

IIC信号为什么要加上拉电阻

主要原因就是IIC芯片的SDA和SCL的引脚是开漏输出，就是只有一个NMOS管，不像推挽输出有两个MOS管。当芯片S
小鱼教你模数电·2022-12-21 22:59

半导体器件和工艺模拟：使用Silvaco设计构建NMOS并提取各项工艺及器件参数

3、学会用Silvaco软件提取MOS晶体管的各种参数4、掌握MOS晶体管器件模拟二．要求1.用Anthena构建一个NMOS管，要求沟道长度不小于0.8微米，阈值电压在-0.5v至1V之间，要说明在工艺中如何调整阈值电压
Clear Aurora·2022-12-20 21:22

PRISEMI芯导科技推出PDG7115直驱型E-Mode氮化镓功率IC

PRISEMI芯导科技推出PDG7115直驱型E-Mode氮化镓功率IC氮化镓以开关速度快，导阻低，低输入输出电荷的优势，应用在快充上逐渐取代了传统的高压硅MOS管。
SZKOYUELEC深圳光与电子·2022-12-20 18:35

使用STM32pwm呼吸灯和定时练习

它是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术；它是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开
凌(✪▽✪)·2022-12-20 09:44

Transpose转置SRAM(TSRAM)论文阅读简记

A0.62mWUltra-Low-PowerConvolutional-NeuralNetworkFace-RecognitionProcessorandaCISIntegratedwithAlways-OnHaar-LikeFaceDetectorisscc2017下图即为TSRAM的具体结构，添加了一个解耦MOS
Joejwu·2022-12-19 10:43

项目场景：paddlepaddle FatalError Segmentation fault is detected by the operating system

infer.py正常gpu运行infer.py报错#问题描述：环境paddlepaddle-gpu2.1.0.post101python3.8.5cuda10.1cudnn8.0.5C++Traceback(mos
mtl1994·2022-12-19 08:44

stm32f103zet6的GPIO基础知识

IO数量16*7=112个，GPIOA~GPIOG7组,共144个引脚IO模式很多IO口既可以做为输入，也可以做为输出输入模式VSS指的是地，VDD是高电平，MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor
MAR-Sky·2022-12-19 03:00

硬件茶谈（B站up主爱上半导体）

本章来学习MOS管的基本工作原理栅极无电压的时候，就截止，有电压的时候，漏极和源极就导通下面是N型半导体，N为Negative的意思，无论是N型还是P型都是由纯净的硅掺入少部分的磷和硼而形成的。
Mr529302·2022-12-18 15:39

MOS驱动自举电容和限流电阻的选取

自举电容选取最近做逆变时出现了异常，使用2104驱动MOS管蓝色为滤波后双端带载时出现的波形，一端带载时没有问题放大波形后发现输出波形在占空比满值时垮掉，产生严重的震荡可以看到波形顶部斜向下，我们可以推断是驱动自举电容值偏小
悟黎678·2022-12-18 09:39

学电源遇到的波形

最近收集了一些波形，分享给大家H桥输出波形异常给驱动输入方波信号，输出的波形缺失输出波形异常（原因：输出地和驱动地未连接）MOS管驱动信号产生振铃ISO7720隔离输出波形异常（未接地）过零比较LM393
悟黎678·2022-12-18 09:08

mos管闩锁效应理解学习

以下为一个反相器，左边为nmos，右边为pmos。pmos是做在N-well中的，在N-well中会形成PNP三极管。NPN的发射极：nmos的N+注入层，基极：p-sub，集电极：pmos的n-wellnmos连接p-sub衬底，会形成NPN三极管。NPN的发射极：pmos的P+注入层，基极：n-well，集电极：p-sub在p-sub和n-well中分别存在两个电阻，衬底电阻Rs和n-well
Evan.lu·2022-12-17 21:32

基于51单片机蓝牙直流电机控制（IR2104S驱动H桥）

主要目标：（1）用51系列单片机作为控制器；（2）采用由四个MOS管组成的H桥电机驱动电路，并由IR2104S来驱动H桥；（3）可实现电机正、反转，启停，加、减速；（4）可采用蓝牙、按键进行效果切换，并加有
ZSTU_zhoubenshan·2022-12-14 09:27

五款单按键开关机电路图

电路上电后，P-MOS管Q1的G极和S极都是为高电平，所以Q1处于截止状态，VCC出
Kent Gu·2022-12-13 08:37

stm32的点亮led的基础知识

文章目录led所需要的知识前言一、stm32的led所需要工作方式二，硬件设计三，软件设计1.led的初始化配置2.main.c的配置四，知识充电1.mos管介绍2.TTL肖特基触发器五，总结前言作为一名刚刚学习完
嵤迪·2022-12-12 11:11

记录基于STM32的独轮车测试板构建（三）PCB篇

首先是供电部分，创新的单开关控制两路电源，又犯了野路子常见的错误，MOS管的导通条件VGS是G相对于S的电压，而不是相对于GND的电压。单开关双电源原理图从原理图其实已经能看出问
ChTomt·2022-12-11 16:21

模拟版图设计工程师要学些什么？从入门到入行，你想知道的都在这里了

**下面我们来聊一聊版图学习最好有一些工艺的基础，了解MOS的基本工作原理，比如PN结是怎么回事，电子空穴是什么，简单的知道CMOS制造流程，有了这个基础可以更好地入门。版图入门也是一个逐步的过程，一
移知·2022-12-10 15:21

二极管，三极管，MOS管，CMOS笔记

半导体基础知识半导体物理中的一些基本概念在讲解其工作原理之前，先简单的介绍下半导体物理中的一些基本概念。半导体半导体是介于导体和绝缘体之间的一种介质，在不同的条件下可以表现出导电或者不导电的特性。电子半导体器件所用的材料大部分为硅、锗等在元素周期表中处于金属非金属交界处的四价元素。本征半导体本征半导体(intrinsicsemiconductor))是指完全不含杂质的纯净半导体。因为不含杂质，其中
Z1Tester·2022-12-07 10:28
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