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mos
半导体器件基础08:
MOS
管结构和原理(2)
说在开头:关于海森堡和泡利(3)索末菲每周都要和学生们谈话,跟每个学生都保持了密切联系,他推荐泡利和海森堡去哥廷根大学找玻恩学习,玻恩很赏识这两个年轻人。玻恩也有一个研讨班,搞了一班优秀的学生在深造,研讨班的气氛相当自由开放:愚蠢的问题不仅被允许,而且很受欢迎。大家无拘无束,热热闹闹的。下课后,海森堡站起来一回头看见希尔伯特大师就坐在教室后面,原来他跑到这个班上听课来了。他在物理学方面的功底也深不
牧神园地
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2023-03-24 02:18
03_半导体器件基础
嵌入式硬件
硬件工程
半导体器件基础09:
MOS
管特性和应用(1)
说在开头:关于泡利不相容又一次要聊到泡利不相容了,这说明它在量子论中是多么地重要。泡利来到了哥本哈根理论物理研究所,玻尔给了他一个苦差事:研究反常赛曼效应。正常的赛曼效应光谱在磁场下会分裂成三条;可反常赛曼效应的光谱远多于三条,间距也不一致,这样用过去的计算方法就对不上了。泡利发现反常塞曼效应的光谱决定于最外层电子,里边轨道的电子都挤满了,而只要排满了就不会引起反常赛曼效应。玻尔老师说,电子总是喜
牧神园地
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2023-03-24 02:18
03_半导体器件基础
嵌入式硬件
硬件工程
半导体器件基础09:
MOS
管特性和应用(3)
说在开头:关于德布罗意的电子波(2)好,德布罗意已经成功的将一个电子变成了一个波。他说:电子其实本身就是一个波!纳尼?德布罗意将相波的证明作为他的博士论文提交了上去,但是在博士答辩中,所有人都异口同声的说:“证据在哪里?如果电子是一个波,那么就让我们看看它作为波的衍射和干涉图文。”当时德布罗意并没有说服所有的评委,虽然他凭借出色的答辩最终获得了博士学位。但人们更倾向于认为相波只是一个方便计算的理论
牧神园地
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2023-03-24 02:18
03_半导体器件基础
嵌入式硬件
硬件工程
半导体器件基础08:
MOS
管结构和原理(1)
说在开头:关于海森堡和泡利(2)如果要用一个词来形容泡利,那就是聪明,聪明绝顶。不过他的教父更牛,是哲学大神马赫。泡利1918年刚刚中学毕业,就带着父亲写的推荐信来找索末菲;他要求不上本科了,直接读研究生,索末菲吓了一跳,再一问,原来泡利在高中就已经把大学课程给自学了(想想我自己本科那混混样,真想抽自己两大嘴巴);索末菲就答应了下来,那阵子德国《大百科全书》正在准备编写“广义相对论”的词条,索末菲
牧神园地
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2023-03-24 02:47
03_半导体器件基础
硬件工程
嵌入式硬件
元器件学习(2):
MOS
管
目录一、基本概念管脚特点导电沟道(反型层的形成)预夹断寄生二极管作用二、
MOS
管作开关电路连接开关条件三、特性曲线一、基本概念场效应晶体管(FET)可分为结场效应晶体管(JFET)和
MOS
场效应晶体管(
ChristianLuuu
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2023-03-24 02:17
学习
嵌入式硬件
半导体器件基础09:
MOS
管特性和应用(2)
说在开头:关于德布罗意的电子波(1)德布罗意家族的历史悠久,他的祖先中出了许许多多将军、元帅、部长,参加过法国几乎所有的战争和各种革命,后来受到路易.腓力的册封,继承了这最高世袭身份的头衔:公爵。路易斯.德布罗意的哥哥:莫里斯.德布罗意便是第六代德布罗意公爵;当1960年莫里斯去世以后,路易斯终于从他哥哥那里继承了这个光荣称号:第七代德布罗意公爵。路易斯.德布罗意从小对历史很感兴趣,他的哥哥莫里斯
牧神园地
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2023-03-24 02:16
03_半导体器件基础
嵌入式硬件
硬件工程
MOS
瘦身美白
MOSTLYTINY冰岛地衣面膜如果你皮肤长痘如果你皮肤长粉刺那么你就必须用PUGEE面膜了PUGEE冰岛面膜消炎祛痘的效果极好冰岛地衣是一种极地藻类常年经受极端温度、强烈的紫外线在如此极端环境下冰岛地衣被赋予了极强的抗压能力具有高效的修复力!冰岛地衣现已然成为珍稀的护肤原料!一款适合任何肤质无添加的产品补水效果超级好婴儿孕妇都可以用的产品敏感肌的救星无任何添加剂防腐剂等群星推荐!图片发自App图
公子念清
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2023-03-24 02:27
场效应管的输出特性曲线及转移特性曲线记忆
3)结型还是
MOS
和风化雨
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2023-03-23 19:30
基础工作
集成电路
电子
有趣的
MOS
管
MOS
管原理,以NMOS为例:栅极加正向电压时,将吸引源极和漏极的电子聚集在二氧化硅,将贴近衬底表面耗尽层的“变性”为反型层,即这部分的区域也变成了N型区,这样就将源区和漏区连接起来了,形成了导电沟道,
和风化雨
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2023-03-23 19:30
集成电路
集成电路
mos
认证对java开发者有用吗_
mos
国际认证值得考吗?
作为一个微软认证讲师,Office软件培训师,
MOS
2013和
MOS
2016认证大师,以及在大学时期通过了国家计算机二级考试的人,我想尽量客观地表达我的个人看法。
勃恩泽
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2023-03-23 02:49
【FLASH存储器系列二】非易失性存储器基本原理之EEPROM和FLASH
个人主页:highman110作者简介:一名硬件工程师,持续学习,不断记录,保持思考,输出干货内容1EEPROM通过EPROM的原理分析我们知道,由于叠栅雪崩注入
MOS
晶体管(SAMOS)的结构特性(浮栅周围是二氧化硅的绝缘层
highman110
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2023-03-21 19:18
FLASH存储器
硬件工程
1024程序员节
2021-04-14 每日打卡
昨日完成情况:1.运动-瑜伽❌+沙滩排球❌2.读书《所以一切都是童年的错吗》3.报名确定
mos
考试时间!!!✅报名下周末的考试,这周五之后出考位4.gan7日打卡预习!
来多喜
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2023-03-19 02:53
场效应管工作原理
简单解释一下
MOS
场效应管的工作原理。
MOS
场效应管也被称为MOSFET,既MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。
一米阳光888
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2023-03-17 10:13
MOS
考2016好,还是2019好?
MOS
(MicrosoftOfficeSpecialist)认证考试,中文全称是微软办公软件国际认证考试,它是由微软官方为自家的Office软件推出的认证考试。
Kukmoon谷月
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2023-03-15 23:04
CBB电容如何解决噪声问题?
PFC的整流桥后边的CBB电容用474就会很响,换成224的噪音就会明显减少,在10CM的距离听不见,建议建议把整流器下面那个薄膜电容横过来放,且再利用底层铜箔连接开关管加速关断的PNP管应该放在靠近
MOS
东莞模具清洗剂
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2023-03-15 04:53
胜寒反思20190418
MOS
对我来说,是机遇也是挑战是一个考验,我能否坚持到最后。我觉得楚君老师为了开
mos
付出很多,还有荔枝老师和小果班主任,不努力,不认真对待,就对不住他们的辛勤付出。
奔跑吧太盼
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2023-03-14 14:16
ChatGPT助力校招----面试问题分享(三)
1ChatGPT每日一题:
MOS
管与三极管的区别问题:
MOS
管和三极管的区别有哪些ChatGPT:
MOS
管(金属氧化物半导体场效应管)和三极管(双极性晶体管)是两种不同的半导体器件,它们在工作原理、结构和性能方面存在一些重要的区别
鲁棒最小二乘支持向量机
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2023-03-13 22:21
笔记
校园招聘分享
chatgpt
嵌入式硬件
面试题目分享
校园招聘
人工智能
2019-04-22
MOS
Day7
项目11:任务1在“销售情况”工作表上,修改单元格区域的条件格式规则,使用内置规则将该列中所有高于平均值的数值的字体颜色更改为绿色。这一题,要读懂题意使用条件格式操作。选中数据,条件格式——管理规则——新建规则——编辑规则——编辑格式规则——选择规则类型(仅对高于或低于平均值的数值设置格式)——格式——颜色(绿色)——确定——应用——确定。任务1中,用公式时出了一点小错误,反复操作验证了几次。在群
晨E战到底
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2023-03-13 17:53
绝缘栅场效应管(
MOS
管)
MOS
管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。绝缘栅场效应管的栅极和源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离,它一般有耗尽型和增强型两种。
xusiman
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2023-03-11 06:11
mos
管驱动与米勒平台介绍、消除
mos
驱动设计1.选择适当的驱动芯片为了控制MOSFET,需要使用专门的驱动芯片。选择合适的芯片需要考虑MOSFET的电压和电流需求。常见的驱动芯片包括IR2110、IR2184、MIC4424等。
最后一个bug
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2023-03-11 03:27
嵌入式硬件
arm开发
嵌入式硬件
dsp开发
看不懂自己,怎么看懂世界呢?
MOS
,考试明天正式开启。我一马当先立即抢占了,
奔跑吧太盼
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2023-03-10 13:57
微软
MOS
办公软件认证的注册那些事
最近很多人因为看到了我们之前发的
MOS
认证介绍,报名的童鞋很多,然后也付款了,注册上面有点懵了,不知道怎么继续了:1去哪里注册2如何填写信息3邮寄地址怎么写去哪里注册强调:微软
MOS
国际认证是微软背书及发证
资越Office
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2023-03-09 14:08
[oeasy]python0091_仙童公司_八叛逆_intel_8080_altair8800_牛郎星
编码进化个人电脑计算机通过电话网络进行连接极客利用技术做一些有趣的尝试极客文化是认真研究技术的文化计算机不再是高校和研究机构高墙里面的神秘事物而是生活中常见的家用电器ibm蓝色巨人脚步沉重dec小型机不断蚕食低端市场甚至组成网络干掉大型机基础不断进步有新的cpu不断出现intel的8080moto的6800
mos
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2023-02-23 13:31
python
MOS
管相关知识
目录常见封装三个重要参数VgsthRdsonCgsnmos和pmos性能对比三极管常见封装三个重要参数Vgsth打开
mos
管需要的gs电压Rdsonmos管被完全打开时的DS电阻Cgsg跟s之间的寄生电容一般
GC_718
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2023-02-07 09:57
电子设计
嵌入式硬件
低压差线性稳压器和开关稳压器
LDODCDC设计实例开关电源物料选型LDO和DCDC对比LDO钽电容寄生电阻大,陶瓷电容寄生电阻小,该芯片利用了钽电容的寄生电阻才能正常工作输出电压输出电流DCDC设计实例开关电源物料选型芯片不包含
mos
GC_718
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2023-02-07 09:27
电子设计
嵌入式硬件
NAND VT Distribution 和失效模式
1从NMOSVt到FGNMOSVt阈值电压(Vt或Vth)的概念是从
MOS
(Metal-Oxide-Semicondutor)来的。
元存储
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2023-02-07 08:23
NAND
闪存
存储
闪存
驱动开发
嵌入式硬件
2021-05-18 错过打卡后近一个月没有写日记了
完成了
mos
考试,感觉以后也用不上。但也思考了很多,我
来多喜
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2023-02-02 20:39
Oracle数据库管理每周一例-第十五期 一些工具和小技巧
Oracle数据库管理每周一例(12.2,18c,19c)2020-09-20第十五期一些工具和小技巧1.EMCC2.
MOS
3.其他一些工具和技巧下期预告:第十五期一些工具和小技巧本周没啥事,但是由于一些原因
胖头鱼的鱼缸
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2023-02-02 15:01
Oracle
数据库
MoS
2二硫化钼 1T,2H 结构分析
最近在东京大学物性研究所参加第一性原理计算的SummerWorkshop,期间要做一个Project,我选择的Exercise6是PerformthevariablecelloptimizationofasinglelayerofMoA2(A=S,Se,Te)inthe1T-and2H-structures,andcomparetheirtotalenergiesandbandstructures
jenny42
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2023-02-01 08:35
io口三种状态
而强推挽输出就是有比较强的驱动能力,如图9-1中第三张小图,当内部输出一个高电平时,通过
MOS
管直接输出电流,没有电阻的限流
风情云
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2023-02-01 01:40
2019-04-25 胜寒 今日反思
回顾目标:我要把
MOS
的Excel练习项目得实战一遍,但是我没有完成。
奔跑吧太盼
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2023-01-31 23:57
LDO的dropout voltage
目录从一个设计错误谈起Dropout压降从芯片内部电路结构理解dropout压降
MOS
管=>低dropout压降的LDO进一步降低dropout压降的方法 在系统设计中,电源管理是不可或缺的,而LDO
潇洒的电磁波
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2023-01-31 11:18
电源管理
线性稳压器
LDO
dropout
voltage
线性稳压器输出电压不对
稳压器输出电压偏低
MOSFET 有几种类型
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和
MOS
场效应晶体管。而
MOS
(DMP3056LDM-7)场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
维库网锁货采购客服舒小姐
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2023-01-30 09:50
【半导体先进工艺制程技术系列】STI应力效应(LOD效应)
LOD效应对于利用STI作隔离的深亚微米CMOS工艺制程技术,STI沟槽中填充的是隔离介质氧化物,由于硅衬底和隔离介质氧化物的热力膨胀系数不同,导致STI会产生压应力挤压邻近
MOS
的有源区,引起器件的电参数发生变化
大彪爱工作
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2023-01-30 07:50
半导体先进工艺制程技术系列
嵌入式硬件
mcu
硬件工程
stm32
硬件架构
STI、LOD与WPE概念:WPE效应对SPICE Model 的影响
WPE效应主要影响SPICE的WellProximityEffectModel,WPE对
MOS
特性的影响主要体现在阈值电压、迁移率和体效应上。
luobingyin
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2023-01-30 07:49
模拟IC设计
模拟IC设计
工艺制程
基本器件
SPICE模型
STI、LOD与WPE概念:形成机理及对电路设计的影响
的概念STI的概念WPE的概念STI、WPE效应对电路设计的影响STI效应WPE效应LOD的概念LOD是LengthofDiffusion的缩写,当拥有相同的GateLength和GateWidth的两个
MOS
luobingyin
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2023-01-30 07:18
模拟IC设计
模拟IC设计
工艺制程
基本器件
Multiplier和Finger的区别和优劣讨论
当芯片制造工艺越来越先进后,同样大小(宽长比)的
mos
器件在芯片不同的位置器件性能是不一样,这个不同的性能会通过仿真模型里面的版图寄生效应(layoutdependenteffect)来反应,前面有人提到了
Carol0630
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2023-01-30 07:18
工艺
linux
Landscape design-工艺-二级效应
所有的二级效应都对
MOS
管的沟道影响。后仿网表,WPE,PSE。OSE特别大会报出来,但一般工艺不会。
Carol0630
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2023-01-30 07:18
版图学习
Landscape
MOS
-day3
今天是
MOS
第3天,共计两个项目,10个知识点。
2队石头
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2023-01-29 18:42
场效应管n道沟和p道沟怎么区分?
MOS
管的电路符号1)G、D、S极怎么区分?G极是比较好区分的,大家一眼就能区分。不论是P沟道
mos
管还是N沟道,两根线相交的就是S极。不论是P沟道还是N沟道,单独引线的那边就是D极。
夏天来了85
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2023-01-28 11:36
BLDC无刷电机控制器方案 12管 6管
BLDC无刷电机控制器方案12管6管该方案具有60度,120度选择功能,高低电平刹车选择,ELECTE-BRAKE功能,巡航功能,加速器调速功能LED指示:启动欠压过温度过流,
MOS
驱动部分IR2103
「已注销」
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2023-01-27 08:19
算法
二极管三极管和
MOS
管
二极管Diode只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。“整流(Rectifying)”功能。只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断(称为逆向偏压)。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。
胖胖DE汉堡
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2023-01-26 09:11
MOS
评分标准
Thesingle-itemscaleaskstherespondenttoratethe‘‘overallimpression’’ofthesyn-thesizedspeechclipona1–5scale.Theotheritemsrelatetovariousaspectsofsyntheticspeechsuchaslisteningeffort,pronunciation,speed,p
cxxx17
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2023-01-25 13:56
TTS学习笔记
语音合成
模拟工程师必备——tsmcN28工艺指南学习
目录1封装package2MOSMOSCAPFMOMHigh-RInductor2.1
MOS
管电容2.2FMOM金属插指结构2.3
MOS
作输入电阻High-RRin2.4
MOS
驱动和电感3RF-
MOS
实例参数
小头菜籽
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2023-01-24 09:22
模拟电路
cmos集成电路基础
工艺学习
射频工程
硬件架构
学习
高速互连系统——基本硬件单元
二象限变跨导模拟乘法器暂无四象限吉尔伯特模拟乘法器基本吉尔伯特单元下图参考1在论文中提到,假设图中所有
MOS
管工作于饱和区,满足
MOS
管平方工作规律,尺寸满足跨导K∗K_*K∗相同,即尺寸相同。
Kimho-emo
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2023-01-24 09:22
硬件学习_ESP8266_IOT_ESP-01(S)继电器模块_简单解决ESP8266上电IO抖动
本期主角淘宝上常见的使用ESP-01的继电器一、
MOS
管驱动款↓二、光耦隔离款↓使用模块很久之前买ESP-01的时候顺便买了一块第一款的继电器,也就是老款的。前段时间想做个ESP01的继电器。
YelloooBlue
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2023-01-22 08:08
硬件学习
物联网
计组存储系统笔记
需要说明的是,DRAM芯片的每一个存储元由一个电容和一个
MOS
管组成,存储的01信息在电容内。
EDG_Clearlove_7
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2023-01-17 07:15
考研
【数电】理解
MOS
管的Vth(增强型)
其实就是,对NMOS来说,栅极底下是P型半导体,有空穴和B-离子,栅衬之间加电压,电子往栅极底下跑,与空穴复合,此时形成耗尽层(虽然因为B-离子的原因带负电,但无法自由移动);当电压超过Vth,多余电子来到栅极底下,可自由移动,形成沟道。
suifeng_123123
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2023-01-13 09:28
数电
信号处理
Mos
结电容Cgd、Cgs、Cds与分布参数Ciss、Crss、Coss
Cgd在BJT(双极性晶体管)中也称为米勒电容(Cbc)栅控器件的驱动本来只需要一个控制电压而不需要控制功率,但是下作频率比较高的时候,结电容的存在会消耗可观的驱动功率,频率越高,消耗的功率越大。在实践中,为了分析问题的方便,一般并不直接用结电容参数进行分析,而是重新定义了三个变量,统称为分布电容,具体如下。输入电容(lnputCapacitance):Ciss=Cgd十Cgs输出电容(Outpu
姜浩鑫
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2023-01-10 18:26
硬件
单片机
嵌入式硬件
为什么CMOS门电路在传输过程存在延时
其中R是
MOS
导通时的等效电阻,比较小。C是驱动的后端负载,后端一般接的也是
MOS
电路,
MOS
管的Gate和衬底之间等效为一个电容。同
MOS
的导通等效电阻和栅衬等效电容,构成了
MOS
电路中RC结构。
马可瓦尔多_
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2023-01-08 17:48
数字电路
fpga开发
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