vgs 第6页

RHCE实验16：storage management存储设备管理lvm 2

pvcreate/dev/sdb1 #创建物理卷pvs或者pvdisplay #查看物理卷列表3.vgcreate myvg/dev/sdb1 #创建myvg卷组，并把sdb1加入到myvg卷组vgs

fireweb·2014-03-22 11:38

36-Linux-磁盘管理-LVM-扩展与缩减

无需卸载逻辑卷往LV里塞完PE后,FileSystem不识别,需resize2fs 步骤 1)确保VG中有足够的空闲空间 vgdisplay #vgs

wuqinfei_cs·2014-03-14 23:00

三极管漏电流导致MOS无法关断，根源在于开关电源纹波过大……

但是到了这里MOS管永远常开，测量R6下端电压为7.2V，使得VGS=-3V以上，MOS管打开，但是理

reatherboly·2013-11-01 17:19

LVM 逻辑卷的扩容/缩容

[1]创建逻辑卷123456789101112131415161718192021[root@hyperStor~]#vgs//查看当前卷组VG#PV#LV#SNAttrVSizeVFreevg0220wz

暗黑魔君·2013-10-10 10:39

LVM 逻辑卷的扩容/缩容

[1]创建逻辑卷123456789101112131415161718192021[root@hyperStor~]#vgs//查看当前卷组VG#PV#LV#SNAttrVSizeVFreevg0220wz

暗黑魔君·2013-10-10 10:39

MOS管常识

先上一张图一、一句话MOS管工作原理 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。

hujianhua·2013-08-03 10:00

LVM逻辑卷管理

然后将这两个分区创建成物理卷；创建物理卷用pvcreat；使用pvs查看，也可以用pvdisplay查看详细信息；此时PE大小为0，只有把pv加入到vg中以后才有PE大小把这两个PV创建成一个卷组，用vgcreate使用vgs

维ags·2013-07-24 21:58

LVM逻辑卷管理

然后将这两个分区创建成物理卷；创建物理卷用pvcreat；使用pvs查看，也可以用pvdisplay查看详细信息；此时PE大小为0，只有把pv加入到vg中以后才有PE大小把这两个PV创建成一个卷组，用vgcreate使用vgs

维ags·2013-07-24 21:58

NMOS和PMOS区别

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

七水_SevenFormer·2013-06-18 23:39

NMOS和PMOS区别

一直以为PMOS是Vgs>Vt就导通，原来正好相反。PMOS是Vgs小于Vt（阈值电压）时，导通！

lg2lh·2013-06-18 23:00

Linux创建伪超大磁盘做实验

021474836480zero"|dmsetupcreatetestdevlvcreate-L500M-ncowdevvgsecho"021474836480snapshot/dev/mapper/testdev/dev/vgs

nkwd·2013-05-15 17:11

xml问题之解

packagecom.suning.ebuy.vgs.airticket.globalImpl;importjava.io.IOException;importjavax.xml.parsers.ParserConfigurationException

q7forever·2013-04-16 11:00

xml标签内容获得迷惑

packagecom.suning.ebuy.vgs.airticket.globalImpl;importjava.io.IOException;importjavax.xml.parsers.ParserConfigurationException

q7forever·2013-04-16 11:00

linux中逻辑卷的创建

#pvcreate /dev/sda8 创建物理卷#pvs 查看物理卷#vgcreatevgrhel /dev/sda8 创建卷组#vgs#lvcreate-L100MB -n lvrhel

kengen·2013-03-15 17:24

MOS管主要参数：

3.漏源击穿电压BVDS·在VGS=0（增强型

hilaochen·2012-12-17 16:00

Linux挂载LVM分区的方法

attr psize pfree /dev/sdc3 vg_plan lvm2 a- 49.00g 0 ################################## 再用这个命令查看 vgs

ylq365·2012-12-15 22:00

Linux挂载LVM分区的方法

attr psize pfree /dev/sdc3 vg_plan lvm2 a- 49.00g 0 ################################## 再用这个命令查看 vgs

ylq365·2012-12-15 22:00

Linux挂载LVM分区的方法

attr psize pfree /dev/sdc3 vg_plan lvm2 a- 49.00g 0 ################################## 再用这个命令查看 vgs

ylq365·2012-12-15 22:00

MOS管原理用法

先上一张图一、一句话MOS管工作原理 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。

anlx27·2012-07-09 16:00

[原]LVM管理问题解决

之后检查PVS，VGS LVS，发现其中均有如此现象，但是通过fdisk -l 其实是可以检查到当前的 /dev/sdb。检查 /etc/mta

·2012-07-06 11:00

【场效应管】之【场效应管型号技术参数】

场效应管型号技术参数SI230x系列说明：贴片高频MOS管SI2300SOT-232.3A/20V，RDS(on)=70mΩ可作电源管理、电池保护，负载开关等（VGS=10V，ID=3.0A）用途。

ConanYang·2012-05-04 23:00

MOSFET驱动电路应用实例

极限参数有：最大漏源电压VDS、最大栅源电压VGS、最大漏极电流ID，最大功耗PD。在使用中不能超过极限值，否则会损坏器件。

zhoujk0520·2011-12-14 15:00

扩展一个OpenLayers.Map对象

* */ Vgs.WebMap=OpenLayers.Class(OpenLayers.Map,{ initialize:function(div,options) { if(!

lozpeng·2009-11-25 23:00