vgs

MOS驱动电路

MOS管的驱动电路有两个要点：1、瞬态驱动电流要够大，所谓驱动MOS管，主要就是对MOS管门极的寄生电容的充电放电，也就是打开和关闭MOS管2、NMOS的Vgs(门-源电压)高于4V即可导通，PMOS的
power小狼·2020-07-08 07:30

MOS管应用概述(四):基本参数

mos管的基本参数，大家熟悉的必然是Ids电流，Ron导通电阻，Vgs的阈值电压，Cgs、Cgd、Cds这几项，然而在高速应用中，开关速度这个指标比较重要。
Quincy kuang·2020-07-08 02:03

MOS管电压开关电路原理-KIA MOS管

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的
树卡花·2020-07-08 02:13

基于MOS管的负载开关电路

若VgsVgs(th)，此处Vgs(th)为正值，NMOS导通，Vd=Vs=0V。当Switch_signal为低电平，Vgs=Switch_signal=0V，Vd=VCC，Q2截止
qq_40984643·2020-07-08 01:30

NMOS or PMOS?

在选择这两种MOS管之前，需要弄清两个问题：1.高端驱动2.低端驱动对于MOS管需要知道它的几个基本参数：Vgs：Vg与Vs之间的电压，也叫栅极门限电压，也就是达到这个电压，mos管才会导通，但只
Ruler.·2020-07-07 20:50

NMOS管和PMOS管开关控制电路原理及应用

下面先了解MOS管的开通/关断原理，请看下图：NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为510V（G电位比S电位高）；而PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS
红烧-愉快·2020-07-07 20:14

MOS管的工作原理

P沟道和N沟道MOS的原理要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。
ProgressChen·2020-07-07 13:08

MOS管参数每一个参数详解-收藏版

驱动的进程即是栅极电压的建立进程,这是经过对栅源及栅漏之间的电容充电来完成的,下面将有此方面的详细论述.gfs:跨导.是指漏极输出电流的改变量与栅源电压改变量之比,是栅源电压对漏极电流操控才能巨细的测量.gfs与VGS
树卡花·2020-07-06 18:19

NMOS和PMOS

1.导通特性NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低
depaJun·2020-07-06 15:26

VMware 安装/升级 macOS 10.15

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不改丶·2020-07-06 06:15

MOS管的高端驱动和低端驱动

对于NMOS，只有当Vgs大于开启电压时，MOS管才能导通。所以当未导通时，S处于一个不能确定的电位。
Soil_L·2020-07-05 08:12

VM15安装MacOS10.15.1系统

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IT大力水手·2020-07-05 03:23

模拟电路&仿真LTspice（5）：MOS管特性曲线

与三极管不同的是：三极管基极b加电流来改变特性曲线，而MOS管则是门极g加电压即Vgs来改变特性曲线，所以他们之间最明显的就是流控和压控的区别。
Smile_shao·2020-07-04 08:01

如何使用VPSS实现旋转功能

前言海思芯片里面VI，VPSS以及VGS都可以实现图片旋转功能。
ltshan139·2020-07-02 10:27

MOS管原理用法

先上一张图一、一句话MOS管工作原理NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V,其他电压，看手册）就可以了。
anlx27·2020-07-01 17:39

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imToken钱包·2020-07-01 07:46

NMOS和PMOS使用总结

1.导通特性NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可
李宜君·2020-06-29 22:29

MOS管的弥勒效应简介

米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值（图中t2~t3阶段），过后Vgs电压又开始上升直至完全导通。
千里沽山·2020-06-29 05:06

Linux磁盘管理：LVM逻辑卷的拉伸及缩减

①查看当前VG的信息，保证VG中有足够的空闲空间通过vgdisplay或者vgs命令[root@rusky~]#vgsrusky-vgVG#PV#LV#SNAttrVSizeVFreerusky-vg210wz
weixin_34029949·2020-06-28 10:24

反压过压保护电路设计

首先贴出设计出来的电路：图一该电路如图由三部分组成：反接指示灯，防反压电路，防过压电路反接电路主要由一个PMOS管组成，在源栅之间加了一个保护稳压二极管（D1，D2）防止VGS>VGS的最大值（20V）
hanlinson·2020-06-27 01:29

N-MOS电平转换电路分析

我们来看一下他是如何工作的：1、当左边为高电平时，Vgs=0,MOS管不通，则右边被3.3V上拉，为高电平；2、当左边为低电平时，右边的电通过MOS管的内部体二极管漏电到左边，那么右边
硬件技术交流·2020-06-25 08:57

LVM 的自定义报告（pvs vgs lvs各参数详解）

可使用pvs、lvs和vgs命令生成简洁且可自定义的LVM对象报告。这些命令生成的报告包括每行一个对象的输出结果。每行包含与该对象有关的属性字段顺序列表。
葡萄味的白兰地·2020-06-25 01:38

逻辑卷增加，扩容，缩小，删除操作步骤

使用pvcreate命令创建物理卷，然后查看物理卷信息（pvdisplay）4.创建卷组（VG）vgcreatedatavg01/dev/sdb1使用vgcreate命令创建物理卷，然后查看物理卷信息（vgs
jx_jy·2020-06-23 20:47

3.3V和5V电平双向转换——NMOS管

电路应用限制条件为：1，VDD1≤VDD2；2，SDA1/SCL1的低电平门限大于0.7V左右（视NMOS内的二极管压降而定）；3，Vgs≤VDD1；4，Vds≤VDD2。
硬件菜鸟备忘录·2020-06-23 17:16

MOS管

先上一张图一、一句话MOS管工作原理NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V,其他电压，看手册）就可
itopos·2020-06-23 16:15

Hi3516EV200进行H264/H265视频编码要点注意

目录说明开发环境和交叉编译工具链IMX307的MIPI配置VENC视频缩小和VGS关于同时启动的VENC编码通道数本文资源分享说明本博客性质属于个人学习记录，都是自己踩过的坑。
燕卫博·2020-06-22 07:53

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官方助理·2020-03-17 23:00

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合约空投·2020-03-14 10:34

创建逻辑卷及扩展

留一个磁盘、/dev/sdf;创建逻辑卷1、创建物理卷#pvcreate/dev/sd{a7,e1}#pvs#pvdisplay2、创建卷组#vgcreate-s16Mvg0/dev/sd{a7,e1}#vgs
BYF2017·2020-03-05 05:03

2019-06-15

TJ）FET功能：-栅源电压Vgss：±8V包装：剪切带（CT）,带卷（TR）对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求不同Id，Vgs
鲜花插在牛粪上·2020-02-24 22:58

再见，威古氏。

感恩，工号VGS023，一千四百多天，四年时间，相互见证成长，很幸运，我是幸运儿。接下去，勇敢的再次出发。
敖轩轩爱旅游·2020-02-18 13:45

威基狗（Weicky Dog）：MOAC墨客应用Dapp

基本信息应用名称：威基狗（WeickyDog）上线时间：2018.6.1发行代币：代币名称：VGS持币用户数量：146,486（2018.6.1数据）企业名称：VGame企业所在地：未知企业创立时间：未知官网
moacman·2020-02-08 00:40

LVM逻辑卷管理操作指南

本文介绍了管理LVM逻辑卷的常见操作创建LVM逻辑卷使用pvcreate将三块磁盘标记为LVM物理卷$pvcreate/dev/sda1/dev/sdb1/dev/adc1将LVM物理卷组成卷组其名为myg，使用vgs
hhhan·2020-01-16 10:27

逻辑卷lvm消失问题.

背景:突然发现/dev/mapper/下vglv都没了.没了lvs看了下有个报错.发现盘有问题,处理完成后,依然报错.lvscan搜索下可以发现了.现在执行lvs不报警了.vgs也不报警了.但是/dev
lvusyy·2020-01-05 01:00

在线扩展逻辑卷

#vgs要获取可用的物理扩展大小，运行以下命令
党党999·2019-12-29 17:56

2018-06-10

0xFaFaE755cBaF09Cff8f5B0a0f1E0A4A719a9C32a即可獲得50000ManitoS2：EOSP（撸888个）合约地址0x1EdA8487d6865D294423c6080d4C65B9ee28A5143：VGS
会飞的小小强·2019-12-26 01:40

2018-06-10

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会飞的小小强·2019-12-23 16:46

LVM扩容

#查看剩余空间vgs#（1）剩余空间都扩容到根(/)目录lvextend -l +100%FREE  `df|grep -w '/'|awk '{print$1}'`#（2）扫描磁盘识别已扩容空间，磁盘为
叶俊海·2019-12-23 15:22

MOAC墨客上发币应用

项目名称代币名称发币时间发行量金通金通/AUP2018.5.3未知易孔链YIP2018.5.3未知社区活力CEC2018.5.3未知ECT电商链ECT未知未知智链通ICT未知未知威基狗VGS未知未知时光链
moacman·2019-12-17 20:06

LVM（逻辑卷管理）

2pvcreate/dev/sd*3pvdisplay/pvs列出当前的物理卷pvremove/dev/sd*3准备卷组vgcreatevg1/dev/sd*1/dev/sd*2/dev/sd*3vgdisplay/vgs
王小T·2019-12-14 19:00

逻辑卷的扩容

今天发现服务器上好多容器服务会突然死掉，仔细以看，root满了，还好当初装系统时用的逻辑卷，于是把它扩容了500G.涉及到一些操作：1.pvs查看物理卷2.vgs查看卷组3.lvs查看逻辑卷4.lvextend-L
abb_ceo·2019-11-04 14:35

N沟MOS管与P沟MOS管的区别，助厂家更好选择MOS管！

区别一：导通特性N沟MOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。而PMOS的特性，V
游倪君·2019-11-01 18:48

redhat lv分区 扩容 缩小

阅读更多1硬盘-->pv-->vg-->lvpv有多个，vg一个，lv有多少个命令：pvs,vgs.lvsLVM模块介绍Physicalvolume(PV)、Volumegroup(VG)、Logicalvolume
hui8080·2019-09-27 12:13

目录迁移至逻辑卷

home目录迁移至逻辑卷查看剩余可用的磁盘、分区pvcreate生成物理卷、使用pvs或pvdisplay查看结果vgcreate创建卷组，并把物理卷加入卷组、vgs或vgdisplay查看卷组信息(加入
芒酪·2019-03-27 19:11

20181212 Lvm Fs扩容

LvmFs扩容一.lv扩容[root@dong~]#vgs查看VG的剩余容量datavg220wz--n-1.99g1.80g[root@dong~]#lvs看当前LV的大小lv1datavg-wi-ao
橙风破浪go·2018-12-12 18:33

VMware虚拟机CentOS7增加硬盘容量（逻辑卷管理LVM的容量扩展）

在虚拟机系统中，下面的操作都在虚拟机的系统中）；格式化新的分区（如果提示找不到分区，需要重启下虚拟机中的系统）；用新分区创建物理卷，pvcreate/dev/sda3；向卷组中增加物理卷：用df-h和vgs
qq_35776048·2018-11-23 09:29

第10课--10_04_LVM之二

扩展逻辑卷创建分区就是创建物理边界物理边界内部创建文件系统文件系统边界称为逻辑边界逻辑边界紧靠物理边界先扩展物理边界在扩展逻辑边界lvextend-L[+]#/path/to/lvresize2fsresize2fs/path/to/lv5G修复逻辑卷边界到5Gresize2fs-p/paht/to/lv扩展到物理边界大小vgs
laobi3·2018-11-13 09:13

BUCK电路中的BOOT电容

一般的其拓扑结构如下：当VCC电压与VO电压接近时，高管的VGS过小使得高管无法打开。对于MOSFET，导通的条件是栅-源极之间的电压(Ugs)大于某个阀值，这个阀值不同的管其值不尽相同。
athen21·2018-10-24 16:52

模拟集成电路学习

由于fT与gm的正比关系，就使得fT与饱和电压（VGS-VT）也有正比关系，从而高频率就要求较大的饱和电压，同时越小的沟道长度越有利于实现高频，从另一个角度来看，在大
羊藤枝·2018-09-27 16:34

CentOS 7.4 LVM扩容根分区

->n-->p-->1-->回车-->回车-->t-->8e-->p-->w#partx/dev/sdb#fdisk-l|grep"/dev/sdb1"4、查看扩容前pv、vg和lv的状态：#pvs#vgs
Marion0728·2018-09-14 23:08
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