vgs 第3页

浅析N沟道增强型MOS管的工作原理

1.vGs对i及沟道的控制作用MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。从图1(a)可以看出，增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。

weixin_43747182·2020-08-20 05:40

模拟电子电路之场效应管（上）（J-FET）

场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源。电压)来控制ID（漏极电流）。特点：输入电阻高，温度稳定性好，噪声小、功耗低、动态范围大。场效应管的抗辐射能力强。

林一捆·2020-08-20 05:14

MOS管三个工作状态

MOS管三个工作状态##MOS管三个工作状态#MOSFET工作区域的判定方法（NMOS）：当VgsVth且VdsVth且Vds>Vgs-Vth时，饱和区(恒流区)。

小白流浪记·2020-08-20 05:27

GlusterFS 部署双节点replica模式

准备：1、两台机器挂载一个硬盘/逻辑卷用于GlusterFS的存储/dev/mapper/vgs_dt01-GlusterFS4.9G155M4.4G4%/data/gluster2、关闭防火墙节点存储挂载主机名

houfeihi123·2020-08-19 10:26

半导体内存设计（下）

，噪音，功耗SSD（solidstatedisk）：NAND，FujioMasuoka，1986，东芝floatinggate技术已经在EEPROM有所应用，并不是新技术NAND结构，写入数据的方式，Vgs

summer_awn·2020-08-16 20:17

LVM-逻辑卷

logicalvolumepv:pvcreate,pvremove,pvscan,pvdisplay,pvmove,pvsvg:vgcreate,vgremove,vgextend,vgreduce,vgs

路或遥·2020-08-16 14:45

RM的A型开发板中过压保护，反接保护，缓启动保护一体电路分析

图片中左图为NMOS，右图为PMOSMOS管又分为PMOS和NMOS两种，图中的Q6为NMOS，Q4为PMOS，这两种MOS之前是有区别的：NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的

SUNNNQAQ·2020-08-15 12:42

逻辑门电路的延时分析

关于MOS管NMOS:PMOS:NMOS是栅极高电平（VGS>Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

weixin_30888413·2020-08-14 03:33

带你看懂MOS管的每一个参数，使你受益匪浅

二、VGS最大栅源电压:VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的

weixin_43747182·2020-08-13 22:17

MOS 管场效应管应用

一般MOS管的参数，Vgs和Vgs(th)分别是什么意思，区别是什么？？？？？

EmbededCoder·2020-08-13 19:56

MOS管开关时的米勒效应

MOSFET的开通过程MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程，当给栅极施加驱动电压后，MOSFET开通过程会分为4个阶段，其中Vgs

qlexcel·2020-08-13 16:17

MOSFET开时米勒平台的形成过程的详细解析！

MOS开通过程我们主要看3个信号：Vgs，Vds，Id，他们三个啥意思我就不解释了。

feiyingzaishi·2020-08-13 14:48

MOS管开启过程中VGS的台阶——米勒平台？

MOS管开启过程中VGS的台阶——米勒平台？

BlackwhiteXYC·2020-08-13 12:44

揭秘MOS管开关时米勒效应的详情

可以简单的理解为驱动源对MOS管的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后，MOS管就会进入开通状态;当MOS管开通后，Vds开始下降，ld开始上升，此时MOS管进入饱和区;但由于米勒效应，Vgs

weixin_43747182·2020-08-13 11:12

臭名昭著的MOS管米勒效应

首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs=2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？

记得诚·2020-08-13 09:40

高级存储管理（逻辑卷，lvm设备建立，文件系统拉伸，缩减，lvm删除；vdo建立，vdo性能测试，vdo删除）

一.逻辑卷pv物理卷被处理过的物理分区pe物理扩展设定存储最小单元vg物理卷组捆绑pv到一个组中lv逻辑卷分配最终的使用设备1.监控建立过程：watch-n1'pvs;echo===;vgs;echo=

lijia9794·2020-08-11 17:08

linux的高级存储管理

1.逻辑卷pv物理卷被处理过的物理分区pe物理扩展设定存储最小单元市部开源vg物理卷组捆绑pv到一个组中lv逻辑卷分配最终的使用设备监控建立过程watch-n1"pvs;echo====;vgs;echo

lcqrehl·2020-08-11 17:56

海思3519 sample困惑理解

1）问题：vidump时为什么需要做一个VGS缩放动作？原因：因为当viget下来一帧是压缩后的YUV时，需要用VGS转成原始YUV数据，所以才调用。

自己喜欢的·2020-08-11 11:42

Linux系统的高级存储管理

一、lvm[逻辑卷]pv物理卷被处理过的物理分区vg物理扩展捆绑pv到一个组中lv逻辑卷分配最终的使用设备1.lvm设备建立过程1>监控建立，实时查看变化watch-n1"pvs;echo===;vgs

阳止甘十·2020-08-11 02:40

Linux 下 CentOs 内核服务器 root 磁盘空间扩容

卸载需要被扩容的磁盘分区将300G的磁盘卸载umount/dev/sdb1二、给root目录增加磁盘大小1、将已卸载的磁盘创建pvpvcreate/dev/sdb12、把pv加入vg中，相当于扩充vg的大小先使用vgs

WXWhowever·2020-08-09 15:20

使用AO3400MOS管的电机驱动电路

电路图比较经典的电机驱动电路了，AO3400是做为开关使用，SS14是续流二极管保护MOS管，R6为VGS提供偏置电压，说偏置其实不太合适，应是开启电压，还起到泄放电阻的作用，为什么要泄放？

阿兰你在哪·2020-08-09 11:55

记一次烧毁AO3400的过程

就是一个普通的电机驱动电路，MOS管用的AO3400，实际使用的过程中电源接反了，看到了MOS管被烧毁，这里原因不明白，为什么会烧毁MOS管，AO3400手册上面说的Vgs最大为±12v，用的电池是7v

阿兰你在哪·2020-08-09 11:55

AO3400的参数

手册上的产品总要：Vds30VId（Vgs=10v情况下）5.8ARds(ON)(Vgs=10v情况下)<28mΩRds(ON)(Vgs=4.5v情况下)<33mΩRds(ON)(Vgs=2.5v情况下

阿兰你在哪·2020-08-09 11:22

5V转换3.3V电平的几种简单方法

判断电平状态：SDA1为低电平时(0V)，MOS管导通(VGS>阈值时，2N7002的V

Wrz。·2020-08-07 21:14

MOS管之高端驱动与低端驱动

NMOS的S端输出只有2.6V，研究发现这种高端驱动应该使用PMOS；以下内容转自：http://blog.csdn.net/lg2lh/article/details/9124855一直以为PMOS是Vgs

qrshi·2020-08-04 22:45

MOS管防反接防过压电路

刚上电时因为NMOS管的体二极管存在，地回路通过体二极管接通，后续因为Vgs大于Vgsth门限电压，MOS管导通。当电源接反时，体二

硬件工程师炼成之路·2020-08-04 20:55

过压保护电路学习

/content/18/0110/11/21923670_720732097.shtml参考：直流过压保护电路S8550：VCE-0.6VVGS(th):-0.7-1-1.3V，Pmos管导通条件为：vgs

weixin_30810239·2020-08-04 19:08

基于PMOS的电源防反接电路

D1的作用是保护MOS的VGS不被反向击穿，在TI的该应用中的最高输入电压为28V，而这

weixin_30445169·2020-08-04 19:37

PMOS开关电路

AO3401产品参数VDS-30VID-4.2A(VGS=-10V)RDS(ON)<60mohm(VGS=-10V)<65mohm(VGS=-4.5V)<120mohm(VGS=-2.5V)

洪龙同学·2020-08-04 16:08

mos高压侧自举升压电路

如果不添加自举电路，举例如下：如果MOS的Drink极电压为12V，Source极电压原为0V，Gate极驱动电压也为12V，那么当MOS在导通瞬间，Soure极电压会升高为Drink减压减去一个很小的导通压降，那么Vgs

捡蘑菇的小竹篓·2020-08-04 16:56

MOS管当开关控制时，为什么一般用PMOS做上管NMOS做下管？

下面先了解MOS管的开通/关断原理，请看下图：NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；而PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS

pan0755·2020-08-04 16:58

DC/DC电路——自举电容（boost）的作用

看芯片手册的内部结构，此芯片的MOSFET为N沟道的MOSFET，N沟道的MOSFET开通电压VGS要大于某一阈值，结合DC/DC的拓扑结构，当开关管关断时，A点，电感电流通过二极管续流，此时A点电位约等于

ma_clelo·2020-08-04 10:28

MOS管的工作原理浅显易懂

先上一张图一、一句话MOS管工作原理NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V,其他电压，看手册）就可以了。

爱学控制的猫·2020-07-30 22:09

经典的MOS管电平转换电路

分四种情况：1、当SDA1输出高电平时：MOS管Q1的Vgs=0，MOS管关闭，SDA2被电阻

Genezhang工作室·2020-07-30 12:44

一个IIC的5V和3.3V电平转换的经典电路分享

MOS-FET管的门极和源极都是3.3V，所以它的VGS低于阀值电压，MOS-FET管不导通。这就允许“高电压”部分的总线线路通过它的上拉电阻Rp拉到5V。

longcai1988·2020-07-30 12:18

MOS管简单理解

优势：（来自http://www.pinlege.com/hangyezixun/45.html）1.NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用

用户昵称已经存在·2020-07-30 06:54

官方最新imtoken合约空投领取地址

等待_0c34·2020-07-29 14:40

模拟集成：Veff过驱动电压的定义

Veff=VGS-VTH，表示过驱动电压。也就是说，其实过驱动电压不是一个很神秘的东西，是之前已有的概念进行延伸的，表示的是栅源电压-阈值电压。

ABeiTian·2020-07-16 03:35

LVM卷组的导入、导出操作以及PV LV VG的删除

属性、状态字符串#pvs命令中物理卷的属性：1(d)uplicate,(a)llocatable,(u)sed2e(x)ported3(m)issing#vgs命令中卷组的属性：1许可:(w)riteable

Nice_young·2020-07-14 20:29

2019-01-29

TrenchFET®包装：带卷（TR）技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.3A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id，Vgs

鲜花插在牛粪上·2020-07-14 02:46

《Digital Integrated Circuits》读后笔记(二)

chapter5TheCMOSInverterinvertergatecoststaticbehaviordynamicresponseenergyandpowerconsumptionTheStaticCMOSinverterMOS:when∣VGSVT∣|V_{GS}>V_{T}|∣VGS

fengchuixia·2020-07-12 21:59

最近收货的币圈糖果

这几天朋友分享几个糖果，也就是币圈项目方空投的币，我现在整理一段分享一下～.领取30万个VGS合约地址：0x4c9d5672ae33522240532206ab45508116daf263转进转出一次以后会增加到

追梦的兔子ahui·2020-07-12 17:10

开关电源损耗分析以Buck为例

解释1：MOS工作区域的划分可以根据Vds与Vgs-Vth的大小关系判定（Vds表示漏源电压），具体如下：当然，处于线性和饱和区之间，归结在任意一区域即可。

隔壁老余·2020-07-10 17:18

功率场效应晶体管(MOSFET)原理

N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面，N沟道的Vgs是正的，P沟道的Vgs是负的。只要Vgs达到了打开的门限值，漏级和源级就可以过电流了。

zyboy2000·2020-07-09 06:43

MOS管

NMOSPMOS有Vgs才会有Id有Vsg才会有Id(G极的电压可以高于电压电压，因为它与其他极绝缘)场效应管栅极(G)和其它电极是绝缘的，不产生电流，截止情况下没有Id电流因为是电压控制电流型，输入阻抗极高

叶知秋霜·2020-07-09 05:02

通俗易懂 MOS管