vgs

NMOS、PMOS、PNP、NPN三极管 做开关使用时的电路设计

本文只介绍作为开关管使用时的电路设计介绍电路之前，我们需要了解一下压控和流控的概念压控：是指电压作为控制信号，理想状态下，对于MOS只要VGS的电压满足开启要求(Vth)，MOS管就导通流控：是指电流作为控制信号
越努力越幸运1314·2024-08-27 16:11

电源管理MOS管 18mΩ 贴片场效应管 50P06 TO-252 MOS管

贴片场效应管50P06的产品特点：VDS=-60VID=-50ARDS(ON)＜18mΩ@VGS=-10V封装：TO-252贴片场效应管50P06的用途：电池保护负载开关UPS不间断电源贴片场效应管50P06
mk015·2024-02-27 10:19

3.3V和5V双向电平转换电路

的器件通信时（IIC设备），电平转换就势在必行了”01经典电平转换电路1.1、这是一款经典的电平转换电路，该电路的核心是一个N沟道场效应管，外加2个不同电压的上拉电阻，基本原理：当节点1输入高电平H时，VGS
万里黄沙·2024-02-20 16:49

CentOS挂载lvm分区VG重名问题

具体原因是：公司业务其中一台centos服务器的操作系统启动不了，需要恢复其中的数据，将硬盘挂载到能正常启动的服务器上面，但是出现VG重名的问题，挂载不了的情况，具体解决思路如下1.使用pvs/lvs/vgs
忍冬行者·2024-02-20 09:34

MOS管的这个参数你必须要知道

NMOS管导通条件是Vgs大于Vgs(th)导通，PMOS管导通条件是Vgs小于Vgs(th)导通。
砖一谈芯·2024-02-02 01:48

【分立器件】紧凑型、高能效设计的 NVMFD5C470NT1G、NVMFD6H846NLT1G、NVMFS6H864NLWFT1G、NVMFS6H864NLT1G 汽车用功率MOSFET

11.4mΩ，双N沟道，逻辑电平技术：MOSFET（金属氧化物）配置：2N-通道（双）FET功能：-漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：11.7A（Ta），36A（Tc）不同Id、Vgs
Summer-明佳达电子·2024-01-30 10:21

电子技术——MOS管的CV特性

iD−vDSi_D-v_{DS}iD−vDS特性曲线为了测量MOS管的iD−vDSi_D-v_{DS}iD−vDS曲线，我们使用下面的电路：由上图可知，我们固定栅极电压vGSv_{GS}vGS然后调节源极
爱寂寞的时光·2024-01-26 14:01

【电路补习笔记】6、MOS管的参数与选型

目录符号寄生二极管（体二极管）的方向连接方法作用导通问题NMOSPMOS开关作用隔离作用引脚分辨常见型号NMOS的参数VDSS最大漏-源电压VGS最大栅源电压ID-连续漏电流VGS（th）RDS（on）
乙酸氧铍·2024-01-22 16:32

PMOS & NMOS电流流向及符号图

arrowpointsawayfromdeviceattheSource)withPMOS,currentflowsfromSource-to-drain(arrowpointstothedeviceattheSource)NMOS是栅极高电平（|VGS
sunvally·2024-01-15 09:45

【模拟IC学习笔记】Cascode OTA 设计

辅助定理增益=Gm*输出阻抗输出短路求Gm输入置0求输出阻抗求源极负反馈的增益随着Vin的增加，Id也在增加，Rs上压降增加，所以，Vin的一部分电压体现在Rs上，而不是全部作为Vgs，因此导致Id变得平滑
虫谷ALL·2024-01-09 11:00

IPB120N04S4-02-VB场效应管一款N沟道TO263封装的晶体管

**IPB120N04S4-02-VB****丝印：**VBL1402**品牌：**VBsemi**参数：**TO263；N—Channel沟道,40V；180A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V
VBsemi_MOS·2024-01-08 18:05

AP9435GM-VB场效应管一款P沟道SOP8封装的晶体管

：**VBsemi-**封装：**SOP8-**沟道类型：**P-Channel-**额定电压（Vds）：**-30V-**额定电流（Id）：**-6A-**导通电阻（RDS(ON)）：**40mΩ@VGS
VBsemi_MOS·2024-01-08 18:05

AOD414-VB场效应管一款N沟道TO252封装的晶体管

VBsemiAOD414-VBMOSFET参数：-封装：TO252-沟道类型：N—Channel-最大电压：30V-最大电流：100A-RDS(ON)：2mΩ@VGS=10V,VGS=20V-阈值电压：
VBsemi_MOS·2024-01-08 18:04

IRF9520NPBF-VB一款P沟道TO220封装MOSFET应用分析

详细参数说明和应用简介：**-**参数：**-丝印：VBM2102M-品牌：VBsemi-封装：TO220-类型：P—Channel沟道-额定电压：-100V-额定电流：-18A-RDS(ON)：167mΩ@VGS
VBsemi_MOS·2024-01-08 18:04

FQP85N06-VB一种N沟道TO220封装MOS管

型号:FQP85N06-VB丝印:VBM1615品牌:VBsemi参数:TO-220;N-Channel沟道,60V;60A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.9V;
VBsemi_MOS·2024-01-08 18:04

IRFR13N15DTRPBF-VB场效应管一款N沟道TO252封装的晶体管

IRFR13N15DTRPBF-VB丝印：VBE1158N品牌：VBsemi参数：-封装：TO252-沟道类型：N—Channel-最大耐压：150V-最大电流：25A-开态电阻：RDS(ON)=70mΩ@VGS
VBsemi_MOS·2024-01-08 18:04

BUK662R7-55C-VB一种N沟道TO263封装MOS管

BUK662R7-55C-VB丝印:VBL1603品牌:VBsemi参数:-封装类型:TO263-沟道类型:N-Channel-额定电压:60V-最大电流:210A-开态电阻:RDS(ON)=3.2mΩ@VGS
VBsemi_MOS·2024-01-08 18:03

FDN360P-NL-VB一种P沟道SOT23封装MOS管

详细参数说明和应用简介：**-**参数：**-丝印：VB2355-品牌：VBsemi-封装：SOT23-类型：P—Channel沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.6A-RDS(ON)：47mΩ@VGS
VBsemi_MOS·2024-01-08 18:33

FR1205-VB一种N沟道TO252封装MOS管

型号:FR1205-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi参数:N沟道,60V,45A,RDS(ON)24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:TO252详细参数说明和应用简介
VBsemi_MOS·2024-01-08 18:33

电源输入端保护电路与器件

MOS防反接电路:串联二极管防反接图中使用的NMOS管，电源正接时，当Vgs>Vgs(th)时MOS管导通，NMOS管内部会存在一
honey ball·2023-12-30 19:00

3.3VPWM转24VPWM电路

MOS管的两个重要参数VGS(th)：开启电压VGS(off)：预夹断电压VDS(max)漏源破坏电压1、MOS管：当0=VGS(th)，VDS>0，NMOS管导通。
天涯铭月刀·2023-12-01 22:42

观海微电子---基础电子元器件--场效应管

特点:场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制Id（漏极电流）。MOS管导通特性:导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
9亿少女的噩梦·2023-12-01 20:02

表面贴装型-N-通道-60V-180mA（Ta）-370mW（Ta）-SOT-23

AEC-Q101规格FET类型N通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）60V电流-连续漏极（Id）（25°C时）180mA（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）5V不同Id，Vgs
龙凤胎妈妈·2023-11-26 23:13

SI2325DS-T1-GE3详情参数

GE3规格FET类型P沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）150V电流-连续漏极（Id）（25°C时）530mA（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）6V，10V不同Id，Vgs
weixin_44218980·2023-11-26 23:43

AlGaN/GaN HFET 五参数模型

AFive-ParameterModeloftheAlGaN/GaNHFET来源：IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES（15年）摘要—我们引入了AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFET）漏极电流Id（Vgs
幻象空间的十三楼·2023-11-12 14:14

电路设计_MOS管在电源控制中的应用

MOS是通过控制栅极和源极之间的电压差（Vgs）来实现导通和截止的。下图是N沟道MOS管。Vgs
万象君_1024·2023-11-11 22:58

【硬件】P沟道和N沟道MOS管开关电路设计

P沟道MOS管开关电路PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，当VgsVg,管子导通。S点的电压会传到D点。若Vs=0，Vg=Vd=24V。烧管子。
米杰的声音·2023-11-11 22:51

硬件基础——mos管

文章目录前言一、技术理论二、增强型NMOS管三、增强型PMOS管四、寄生参数五、器件选型1.MOS管类型2.Vgs电压3.Id电流4.Vds电压5.开关性能前言MOS管设计重点一、技术理论场效应管分类：
陈思朦·2023-11-11 22:21

centos7系统 虚拟机磁盘动态扩容

[root@localhost~]#pvcreate/dev/sda然后vgs看看效果[root@localhos
玄辰星君·2023-11-06 09:06

Linux系统在线扩容磁盘

你可以使用vgs命令来确认这一点。你的输出显示vgdata卷组有300G的可用空间，所以应该足够。
ascarl2010·2023-11-04 15:29

功率MOS管选型

栅源电压额定值VGS{V}_{GS}VGS测试条件:漏源之间短路。假设MOS管额定VGS{V}_{GS}VGS=±20V，则栅源电压大于20V或小于-20V时都会击穿那层很薄的二氧化硅绝缘层。
何必见幽人·2023-10-23 17:00

ROS rosdep update 更新失败

引文链接：ROSrosdepupdate更新失败（简单解决）_长沙有肥鱼的博客-CSDN博客_rosupdate失败源链接https://mp.weixin.qq.com/s/VGs8oWdhHH6XsHcx21lN4Q
懒惰的小猫·2023-10-23 11:56

深力科电子/J30H10K 100A 30V 电动工具专用N沟道MOS管

特性：1.VDS=30V,ID=100ARDS(ON)<5.5mΩ@VGS=10V(Typ:4mΩ)2.超低Rdson的高密度电池设计3.充分表征雪崩电压和电流4.具有高EAS的良好稳定性和均匀性
Hailey深力科·2023-10-21 14:53

Linux系统中安装FFmpeg过程记录

gitlibtoolmakemercurialnasmpkgconfigzlib-devel2.下载FFmpeg包打开官网地址，进入下载页：https://ffmpeg.org/download.html百度网盘:百度网盘请输入提取码提取码:5vgs3
万能同桌·2023-10-11 05:47

低功耗情况下的防反接，防倒灌电路——唐老师讲电赛笔记

推荐型号：3，使用nmos，pmospmos:推荐使用pmosnmos：选型注意输入电压Vin<Vgs*80%百分之八十是考虑了实际情况功耗p=i2*Rds选取Rds小的mos管保护在GS极之间接一个稳压二极管
Slh010·2023-10-11 00:23

无标题文章

0xFaFaE755cBaF09Cff8f5B0a0f1E0A4A719a9C32a即可獲得50000ManitoS2：EOSP（撸888个）合约地址0x1EdA8487d6865D294423c6080d4C65B9ee28A5143：VGS
寒风_294f·2023-10-07 17:44

P-GaN栅极HEMT开关瞬态分析中的动态栅极电容模型

DynamicGateCapacitanceModelforSwitchingTransientAnalysisinP-GaNGateHEMTs摘要在这项工作中，提出了一种用于P-GaN栅极HEMT的高效开关瞬态分析模型，该模型考虑了开关瞬态过程中的动态栅极电容CG(VDS,VGS
幻象空间的十三楼·2023-09-24 02:08

Lvm磁盘挂载及缩容扩容

创建卷组挂载磁盘基本命令介绍Pv管理工具1、pvs：简要PV信息显示2、pvdisplay：详细显示信息创建pv1、pvcreate/dev/name删除pv1、pvremove/dev/namevg管理工具1、vgs2
放手啊·2023-09-22 04:24

AP100N75 MOS 100V75A SGT DFN5×6

Features100V,75ARDS(ON)<9.2mΩ@VGS=10VRDS(ON)<13.5mΩ@VGS=4.5VAdvancedSplitGateTrenchTechnologyExcellentRDS
世微 如初·2023-09-04 23:12

Linux学习之NAS服务器搭建

lvs、vgs和pvs结合起来看，sdb和sdc没有被使用。sdb和sdc没有被使用，接下来就使用这个两块磁盘组成基本的NAS存储。重新分区要是对于分区不清楚的话，可以参考
seasidezhb·2023-09-04 06:56

电源防反接电路设计

对于PMOS，相比NOMS导通需要Vgs大于阈值电压，由于其开启电压可以为0，DS之间的压差不大，比NMOS更具有优势。保险丝防护当电源接反时，电路中存在短路，产生大电流，进而将保险丝熔断，起
gd1984812·2023-08-29 04:29

正点原子HAL库入门1~GPIO

F1系列的IO端口施密特触发器：将非标准方波，整形为方波当输入电压高于正向值电压，输出为高；当输入电压低于负向值电压，输出为低；当输入在正负向值电压之间，输出不改变MOS管：压控型元件，控制栅源电压(Vgs
B.D.S.·2023-08-05 20:32

ad+硬件每日学习十个知识点（19）23.7.30 （LDO参数介绍）

（右下角图）6.瞬态响应（负载电流突变时，引起输出电压Vout的最大变化）1.LDO的压差dropout答：原因在上一天介绍过，是因为Vgs和Vds的导通电压。
阿格在努力·2023-08-04 05:38

ad+硬件每日学习十个知识点（13）23.7.24（MOS管纠错！！！）

6.让MOS管运行在非饱和区做开关，就是让Vgs>Vgs（th），并且不让Vd太大（默认s接地了）。7.两种方法取电阻值，让三极管运行在饱和区做开关！！！
阿格在努力·2023-07-29 14:50

GaN HEMT主要性能指标有哪些？宽禁带材料电性能测试方案

以阈值电压Vgs（th）为例，其值的大小对研发人员设计器件的驱动电路具有重要的指导意义。静态测试方法，一般是在器件对应的端子上加载电压或者电流，并测试其对应参数。与Si基器件不同的
whpssins·2023-07-20 03:02

linux挂载新的磁盘

sdbmklabelgpt(Y)mkpartprimaryext40-1(I)print(查看)quit3、创建物理卷pvcreate/dev/sdb14、创建卷组vgcreatevgdb/dev/sdb15、查看卷组vgs6
邦杠·2023-07-19 10:31

Centos系统 LVM磁盘扩容

查看vgs信息vgsvg空间在线扩容,vfree有空间时lvextend-L+1GB指定文件系统磁盘lvextend-L+1GB/dev/data/lv-datavfree空间不足，先对vg空间扩容vgextendvg
Grey_002·2023-06-21 10:57

ASEMI场效应管12N65参数，12N65规格书，12N65特征

编辑-ZASEMI场效应管12N65参数：型号：12N65漏源电压（VDSS）：650V连续漏极电流（ID）：12A栅极阈值电压（VGS(TH)）：±30V功耗（PD）：140W漏源漏电流（IDSS）：
qyx3868·2023-06-19 20:23

ASEMI场效应管AO3401参数，AO3401规格，AO3401特征

编辑-Z场效应管AO3401参数：型号：AO3401漏源电压（VDS）：30V栅源电压（VGS）：±12V连续漏极电流（I）：4.2A脉冲漏极电流（IDM）：30A功耗（PD）：1.4W结温和存储温度范围
qyx3868·2023-06-19 20:53

【场效应管】之【场效应管型号技术参数】

场效应管型号技术参数SI230x系列说明：贴片高频MOS管SI2300SOT-232.3A/20V，RDS(on)=70mΩ可作电源管理、电池保护，负载开关等（VGS=10V，ID=3.0A）用途。
conanyang·2023-06-19 20:21
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