模拟集成电路学习

mos实现管高频与高增益为何相互矛盾?

高频率:

MOSFET的fT就是输出电流随着频率的升高而下降到等于输入电流时的频率。器件的跨导gm越大,输出的电流就越大,则输出电流随频率的下降也就越慢,从而截止频率就越大,即fT与gm有正比关系。

在这里插入图片描述

由于fT与gm的正比关系,就使得fT与饱和电压(VGS-VT)也有正比关系,从而高频率就要求较大的饱和电压,同时越小的沟道长度越有利于实现高频,从另一个角度来看,在大电流时,电子都是以饱和速度运动,因此沟道长度越小,速度越快。

高增益:

因为MOSFET的电压增益是在源-漏电流一定的情况下、输出电压VDS对栅-源电压VGS的微分,则饱和状态的电压增益Avsat将要求器件具有较小的饱和电压(VGS-VT):
模拟集成电路学习_第1张图片
这是由于在IDsat一定时,饱和电压越低,饱和跨导就越大,故Avsat也就越大.

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