杂谈『内存(RAM)简单存储原理』
前言
内存芯片最底层就是无数个开关，什么样的原理？它可以保存数据，为什么一旦断电会丢失所有数据(多少人悔青了肠子=.=)，本文就从一个个的开关开始探讨..
1.一个可以做开关的晶体管
这个晶体管内部，两个导体加一个半导体的材料隔开。关于半导体，只要初中物理不是音乐老师教的应该都知道。1
它有一个控制端(ctr)，一个输入端(in)，一个输出端(out)
控制端(ctr)充当一个开关的作用：
当(in)输入电流时， (ctr)不输入电流，这是一个断开的状态，(out)为 0。(以有电为1，无电为0)
反之这是闭合状态。(out)为 1。
2.电路逻辑
为了方便理解，我们把电信号转为布尔代数，true（电信号1），false(电信号0)，把它抽象出一层，组成电路逻辑单元。
2.1 与门（AND）
仅当输入均为高电压（1）时，输出才为高电压（1）时2(在CSDN..应该都不用多解释)
电路结构：
非常简单，需要用到两个晶体管，第一个的(out)接入第二个的(in)，如图
条件1和条件2，任何一个为false, 其最后结果处都是false。
例，条件1 = true, 条件2 = false
封装一下，用这样的一个符号表示它。
2.2 或门（OR）
只要两个输入中至少有一个为高电平（1），则输出为高电平（1）；若两个输入均为低电平（0），输出才为低电平（0）。3
电路结构：
使用两个晶体管，并联(in) 端与(out)端，如图
条件1和条件2，任何一个为true, 其最后结果处都是true。
例，条件1 = true, 条件2 = false
同样，封装一下，用这样的一个符号表示它。
2.3 非门（NOT）
也叫反相器，与输入的刚好相反，输入高电平（1），则输出为低电平（0）；输入低电平（0），则输出为高电平（1）。
电路结构：
只需要一个晶体管，但是它有点特殊，需要接地；默认的，条件false，它的结果是true。如图
一旦接地，(in)端的电流会喜欢更好更易通过的接地线路，而结果端会输出 false（0）。
继续，用这样的一个符号表示它。
3. 储存 1bit
先来看看，这样连接的一个OR逻辑门
如果Input E 端输入一个高电平:
一瞬间它会回到另一个Inuput 接口，之后 Inuput E 无论如何操作 Output 都不会改变。
( •̀ ω •́ )✧ 终于有一个可以存储1bit 的电路逻辑了！
到这里你应该已经明白了，为什么断电会丢失数据；它没有任何物理标记，依赖于持续的电流保存记录，一旦断电所有数据为（0），即使再次恢复电流，也找不回当初的状态。
3.1 改进
可是有个问题，这个改变是永久的，把它改进一下
现在有两个输入端 Input E 和 Input F;
如果我需要存储一个高电平(1)的bit, 在 Input E 端输入一个高电平信号。
如果我需要存储一个低电平(0)的bit, 在 Input E 端输入一个低电平信号(0), 在 Input F 端输入一个高电平信号(1)。
可是这仍然不够好，存储一个低电平(0)的bit，需要两个输入，而且还不好理解，下图更完美，[]~(￣▽￣)~*
真正的内存远没有那么简单，要把它们组合成大空间，线路需要多路复用，内存地址，更好的电路逻辑门。
可能会写一篇关于内存地址的博文，wait..
- 半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。 ↩
- 与门 -维基百科 ↩
- 或门 - 维基百科 ↩