栅极电荷

CN3791 锂电池充电芯片详解及电路设计要点-国产芯片

锂电池充电芯片详解及电路设计要点》一、元器件功能分析与引脚作用详解（一）CN3791芯片引脚功能表引脚序号名称功能描述连接要求/注意事项1VG内部电压调制器输出，为驱动电路供电（内部驱动P沟道MOSFET的栅极

·2025-07-12 04:27

佰力博科技与您探讨电晕极化和油浴极化有什么区别？

电晕极化过程中，电荷主要通过电晕放电

2401_83530248·2025-07-11 22:20

佰力博PEAI压电分析仪-精准测量压电材料d33系数

d33值表示材料在受到机械应力时产生电荷的能力，是衡量压电材料在传感器、执行器等应用中的关键参数。

2401_83530248·2025-07-11 22:20

【氮化镓】低剂量率对GaN HEMT栅极漏电的影响

2024年2月22日，中国科学院新疆理化技术研究所的Li等人在《IEEEACCESS》期刊发表了题为《DegradationMechanismsofGateLeakageinGaN-BasedHEMTsatLowDoseRateIrradiation》的文章，基于实验分析和TCAD仿真，研究了低剂量率辐照下基于GaN的p型栅高电子迁移率晶体管（HEMTs）的栅漏电退化机制。实验采用60Coγ射线源

北行黄金橘·2025-07-11 09:17

【氮化镓】p-GaN栅极退化的温度和结构相关性

论文总结：本文献深入研究了带有p-GaN栅极的正常关断型(normally-off)高电子迁移率晶体管(GaN-HEMTs)在恒定电压应力下的时序退化行为。

北行黄金橘·2025-07-11 09:47

入门 | 现代量子理论与量子计算原理

器件的本征电容使其能够存储电荷。每个比特的电荷定义了其状态，进而决定了其值。晶体管通常由半导体材料（如硅）制成。

Turbo正则·2025-07-06 03:47

佰力博科技与您探讨压电材料的原理与压电效应的应用

压电材料的原理源于其独特的晶体结构和电-机械耦合效应，具体可分为以下核心要点：1.‌正压电效应与逆压电效应的定义‌‌正压电效应‌：当压电材料受到外力作用（如压力、拉伸或压缩）时，其内部电偶极矩因形变发生变化，导致表面产生等量正负电荷

2401_83530248·2025-07-05 21:05

A3938SLDTR-T Allegro电机预驱动器+高精度控制汽车级电机控制引擎！

A3938SLDTR-T（Allegro）产品解析一、产品定位A3938SLDTR-T是AllegroMicroSystems推出的三相无刷直流（BLDC）电机预驱动器，集成MOSFET栅极驱动和电流检测功能

深圳市尚想信息技术有限公司·2025-07-05 12:32

模拟ic学习1：效应总结

#I0是一个常数，表示当VGS=0时的漏电流VT=0.026#VT是热电压（thermalvoltage），约为25mV在常温下n=1.5#n是一个常数，被称为取决于器件的因子VGS=0.5#VGS是栅极

soulermax·2025-07-02 08:07

集成段码LCD驱动低功耗系列MM32L0130

灵活易用的段码LCD控制器最高288段码·可驱动40x4或36x8个段码·支持COM和SEG任意映射多种占空比和偏压·静态、1/2、1/3、1/4、1/6·1/2、1/3和1/4偏压内置电荷泵·可在1.8

EVERSPIN·2025-07-01 12:42

IEC61000-4-2标准中静电电流标准

引言ESD是由于金属和非金属几何结构上电荷的积累，通常是摩擦起电。这种带电体直接或间接的相互作用是ESD放电发生的主要原因。ESD脉冲的泄放，使产品的软硬2种失效都有可能发生。

liuxizhen2009·2025-06-30 17:11

Deepoc大模型在半导体设计优化与自动化

通过强化学习框架（如PPO算法）动态调整掺杂浓度、栅极长度等关键参数，在3nm节点下实现驱动电流提升18%的同时降

Deepoch·2025-06-29 13:32

【最新资讯】远算科技邀您一起探索世界人工智能大会，与AI同行

禾赛结构一面（40min压力拉满）自我介绍对禾赛的了解介绍研究生课题与研究生课题创新点高中物理:电荷受

2301_79125642·2025-06-27 04:58

STM32-内部Flash写入原理与应用详解

STM32Flash存储架构深入解析1.物理结构与电气特性NANDvsNORFlash：STM32采用NORFlash，具有随机访问能力（无需先擦除再写入），但写入速度较慢存储单元结构：基本存储单元为浮动栅极晶体管

东方少爷·2025-06-19 10:18

随机存储器（RAM）随机访问性易失性高速读写低延迟高带宽

类型多样：DRAM（需刷新，主流）SRAM（无需刷新，速度更快，用于缓存）刷新机制（DRAM）：需定期刷新电荷保持数据。低延迟（特别是SRAM）：适用于缓存和高性能应用。支持多通道并

hitsz_syl·2025-06-18 16:45

低温对MOSFET的影响

这就意味着，在给定的栅极电压下，MOSFET更加难以开启，这就造成了MOSFET进入了亚阈值或者导通不完全的状态。对3.3v/1.8v这种低压驱动场合影响比较大。

hahaha6016·2025-06-16 12:24

材料的电性能包括哪几种

介电性则描述了材料在电场中储存电荷的能力，介电常数和介电损耗等参数对电容器和绝缘材料的设计至关重要。压电性体现了机械能与电能之间的相互转换，石英和压电陶瓷等材料在传感器领域应用广泛。

JZMSYYQ·2025-06-14 14:39

基础电学笔记

文章目录电荷电荷量定义电荷量的单位电荷量是标量净电荷量电荷守恒定律电荷转移起电摩擦起电接触起电感应起电验电器库伦定律力的大小力的方向距离计算点电荷适用范围例题电场和电场强度电场电场强度电场线特殊电场点电荷电场匀强电场叠加电场电势能与电势电势能电势参考

TomcatLikeYou·2025-06-14 07:04

闲置SSD数据保存秘籍

SSD的核心秘密在于"电荷陷阱"。想象一下，SSD芯片里藏着无数个比头

互联网之路.·2025-06-07 13:07

液晶显示器驱动板内部结构与功能解析

本资料详细解析了驱动板上的关键芯片及被动元件的功能和布局，包括主控芯片、电源管理芯片、LVDS接口芯片、时序控制器、GPIO扩展芯片和电荷泵等，并通过图片展示了它们在驱动板上的位置。

抽风的Lilith·2025-06-04 13:05

30V/150A MOSFET 150N03在无人机驱动动力系统中的性能边界与热设计挑战

30V,ID=150A(Tc=25℃)工艺特征：高密度元胞设计实现超低导通电阻双面散热架构：顶部裸露铜架+底部散热焊盘，热阻RθJC低至0.45℃/W可靠性验证：100%UIS（雪崩能量）与▽VDS（栅极阈值

Hailey深力科·2025-06-01 00:28

无源晶振如何起振的?

压电效应是指在某些晶体材料中，受到外力压力时，使其产生电荷变化的现象。无源晶振的晶体中，主要成分为石英晶体，这种晶体具有良好的压电效应。2.共振原理无源晶振的起振是基于共振原理的。振荡电路利用共

晶振厂家-晶发电子·2025-05-28 01:57

NV211NV212美光科技颗粒NV219NV220

与NV021、NV022等前代产品相比，新系列通过优化电荷捕获层材料，将写入寿命提升至15DW

18922804861·2025-05-27 11:52

静电平衡导体

当导体为孤立导体时，电荷为零；否则不为零3.导体的电荷只发布在外表面4.静电感应是定义在导体上的，也就是说只有导体才有感应电荷，非导体叫极化5.感应电荷产生的电池可以抵消外电场，极化电荷产生的电场只能削弱外电场

月光还是我的月光·2025-05-25 21:05

工业相机基础知识

相机成像过程：电荷产生，电荷转移，信号输出相机成像原理：使用感光元件将光信号转变为电信号，再经模/数转换后记录于存储卡上的。CCD：电荷耦合元件CM

chowhounds_xhw·2025-05-25 08:10

精密几何测量技术在电子芯片制造中的重要性

通过精密几何测量技术，能够精确测量晶体管的栅极长度、宽度、氧化层厚度等几何参数。例如，在7nm制程中，栅极氧化层厚度每减少0.1nm，漏电流可能呈指数级增加。

CHOTEST中图仪器·2025-05-24 23:09

CCD与CMOS（sCMOS）

CCDCCD是一种在光电效应基础上发展起来的半导体光电器件，CCD的工作过程主要包括：电荷产生、电荷收集、电荷包转移和电荷包测量。

M_MMY1·2025-05-24 10:13

SAR ADC 是选择先置位再比较，还是先比较再置位

先进行置位，再比较（逻辑1）采样阶段：VINP/VINN接入，上下两排cap全接Vrefp：上面一排的采样电荷为：(Vinp-Vrefp)*4C(1)下面一排的采样电荷为：(Vinn-Vrefp)*4C

芯辰则吉--模拟芯片·2025-05-22 21:02

半桥驱动模块

设计特性适用于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的隔离式栅极驱动支持适用于半桥的2个IGBT栅极驱动器输入电压：15V支持每个IGBT的正负偏置输出：+15V和-6.8V输出功率：2W(单个IGBT)，单路输出额定电流

陈亮_E·2025-05-17 23:26

MOS管米勒效应的罪魁祸首--Cgd

2、等效电路为便于理解，我们以带有栅极偏置的共源极放大电路作为分析对象。如下图所示，首先画图其直流通路，比较简单

硬件微讲堂·2025-05-17 19:00

Image Signal Processor（ISP）技术总结

ＣＭＯＳ图像传感器将外界可见光信号通过感光二极管转换成电荷信号，再通过内部量化等处理转换成电压信号或者电流信号，使其能被后续电路系统组件识别。

chinamaoge·2025-05-15 07:56

（七）近场与远场差在哪里？电场、磁场、电磁波的基本差异？电场探棒与磁场探棒差在哪里？

一、近场和远场近场和远场的区别如下1.距离范围不同：近场是距离电荷或电流源较近的区域，而远场则是距离较远的区域。

m0_64937140·2025-05-11 12:53

视频编解码学习六之视频采集和存储

2.光电转换感光传感器：CCD（电荷耦合器件）：通过光电效应生成电荷，逐行转移电

小虎卫远程打卡app·2025-05-10 21:17

电导调制效应_二极管的电容效应和等效电路与开关特性

事实上，当PN结两端加正向电压时，PN结变窄，结中空间电荷量减少，相当于电容"放电"，当PN结两端加反向电压时，PN结变宽，结中空间电荷量

Duke Yu·2025-05-04 03:03

电导调制效应_一文搞懂二极管的电容效应、等效电路及开关特性

事实上，当PN结两端加正向电压时，PN结变窄，结中空间电荷量减少，相当于电容"放电"，当PN结两端加反向电压时，PN结变宽，结中空间电荷量

喻以流年·2025-05-04 03:03

基于STM32L4XX、HAL库的 DRV8301驱动程序设计

一、简介：DRV8301是德州仪器(TI)推出的一款三相无刷电机栅极驱动器，具有以下特点：集成三相MOSFET栅极驱动器内置降压稳压器(提供3.3V或5V输出)可编程栅极驱动电流(10mA至1000mA

July工作室·2025-05-03 10:37

计算机组成原理三种译码方式,计算机组成原理第三章存储系统

利用双稳态触发器保存信息T1通、T2止，存0T1止、T2通、存1分析：1保持信息：不打扰，不送地址选通信号；2读出：送地址，发读命令；3写入：送地址，送数据发写命令2.单管动态MOS存储单元电路存储机理：依靠MOS电路栅极电容来存储信息电容上有电荷

冷艳抠脚大婶·2025-04-28 02:12

什么是ESD（静电放电）及ESD保护电路的设计

静电放电(ESD)定义为，给或者从原先已经有静电(固定的)的电荷(电子不足或过剩)放电(电子流)。电荷在两

GJZGRB·2025-04-27 21:08

电子电路原理第一章(半导体)

铜原子核中包含29个质子(带正电荷),当它表现出电中性时，29个电子(带负电荷)像行星环绕太阳一样环绕着

电子硬件笔记·2025-04-24 20:05

12V-24V升压36V-48V宽电压升压芯片WT3206

WT3206，这款热情洋溢的异步升压控制IC，通过其内建的栅极驱动器引脚，为驱动外部N-MOSFET提供了强大的动力。

ye15012777455·2025-04-24 18:50

「数据可视化 D3系列」入门第十一章：力导向图深度解析与实现

其核心原理是通过模拟粒子间的物理作用力（电荷斥力、弹簧引力等）自动计算节点的最优布局。核心API详解

八了个戒·2025-04-22 23:07

电池中电量换算的基本概念：安时（Ah）与库伦（C）以及电池容量W还有度

库伦（Coulomb）和安时（Ampere-hour）都是电荷量的单位，用于描述电流的数量。库伦是国际单位制中的电荷单位，等于单位时间内通过导体中的电流所携带的电荷量。

王者级废铁·2025-04-21 14:24

【模拟电路】变容二极管

N区那边失去电子带正电荷，P区那边得到电子带负电荷。由于N区和P区积累了电子和空穴，其导电率很高，相当于金属导体。从这一结构来看，PN结等效于一个两个极板

码上通天地·2025-04-15 19:23

电容详解：定义、作用、分类与使用要点

一、电容的基本定义电容（Capacitor）是由两个导体极板（正负极）和中间绝缘介质组成的储能元件，其基本特性为存储电荷。

美好的事情总会发生·2025-04-15 18:48

从电容到晶体管的基本介绍

电容器电容器是一种能够储存电荷的元器件。电容器的核心是两个电极，它们之间隔着一层介质。当电容器接通电源时，电荷会在电极之间的介质中积聚，从而储存能量。电容器的容量通常用法拉（Farads）来表示。

ONEYAC唯样·2025-04-07 10:04

太翌氏变加速_弹射突防复合制导方案

**物理定律突破**-90%方案需违反现有守恒律（如能量/动量/电荷守恒）-典型案例：自指涉武器要求时空曲率半径＜1.6×10^-35米（普朗克尺度）2.*

太翌修仙笔录·2025-03-29 23:11

纳米尺度仿真软件：Quantum Espresso_（19）.输运性质计算

输运性质计算在纳米尺度仿真软件中，输运性质计算是研究材料和器件中电荷和热能输运的重要工具。

kkchenjj·2025-03-20 07:42

电容器基础观念

电力线起于正电荷，终止于负电荷。金属互相越靠近，电容越大。Maxwell电容矩阵有负号，SPICE电容矩阵没有负号。Maxwell电容矩阵、SPICE电容矩阵可互相转换，GroundNet需定义清楚。

David WangYang·2025-03-19 23:03

专门为高速连续扫描设计的TDI工业相机

TDI（TimeDelayIntegration，时间延迟积分）工业相机是一种基于特殊CCD（电荷耦合器件）技术的成像设备，主要用于高速、高灵敏度、高分辨率的图像采集场景。

51camera·2025-03-19 21:49

工业相机的主要参数及计算

当被摄物体反射的光线通过工业镜头折射后，会投射到相机的感光传感器上，这个感光传感器通常是电荷耦合器件（CCD）或互补金属氧化物半导体（CMOS）。