Mos

NAND VT Distribution 和失效模式

1从NMOSVt到FGNMOSVt阈值电压(Vt或Vth)的概念是从MOS(Metal-Oxide-Semicondutor)来的。
元存储·2023-02-07 08:23

2021-05-18 错过打卡后近一个月没有写日记了

完成了mos考试，感觉以后也用不上。但也思考了很多，我
来多喜·2023-02-02 20:39

Oracle数据库管理每周一例-第十五期 一些工具和小技巧

Oracle数据库管理每周一例（12.2,18c,19c）2020-09-20第十五期一些工具和小技巧1.EMCC2.MOS3.其他一些工具和技巧下期预告：第十五期一些工具和小技巧本周没啥事，但是由于一些原因
胖头鱼的鱼缸·2023-02-02 15:01

MoS2二硫化钼 1T，2H 结构分析

最近在东京大学物性研究所参加第一性原理计算的SummerWorkshop，期间要做一个Project，我选择的Exercise6是PerformthevariablecelloptimizationofasinglelayerofMoA2(A=S,Se,Te)inthe1T-and2H-structures,andcomparetheirtotalenergiesandbandstructures
jenny42·2023-02-01 08:35

io口三种状态

而强推挽输出就是有比较强的驱动能力，如图9-1中第三张小图，当内部输出一个高电平时，通过MOS管直接输出电流，没有电阻的限流
风情云·2023-02-01 01:40

2019-04-25 胜寒 今日反思

回顾目标：我要把MOS的Excel练习项目得实战一遍，但是我没有完成。
奔跑吧太盼·2023-01-31 23:57

LDO的dropout voltage

目录从一个设计错误谈起Dropout压降从芯片内部电路结构理解dropout压降MOS管=>低dropout压降的LDO进一步降低dropout压降的方法  在系统设计中，电源管理是不可或缺的，而LDO
潇洒的电磁波·2023-01-31 11:18

MOSFET 有几种类型

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS（DMP3056LDM-7）场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
维库网锁货采购客服舒小姐·2023-01-30 09:50

【半导体先进工艺制程技术系列】STI应力效应（LOD效应）

LOD效应对于利用STI作隔离的深亚微米CMOS工艺制程技术，STI沟槽中填充的是隔离介质氧化物，由于硅衬底和隔离介质氧化物的热力膨胀系数不同，导致STI会产生压应力挤压邻近MOS的有源区，引起器件的电参数发生变化
大彪爱工作·2023-01-30 07:50

STI、LOD与WPE概念：WPE效应对SPICE Model 的影响

WPE效应主要影响SPICE的WellProximityEffectModel，WPE对MOS特性的影响主要体现在阈值电压、迁移率和体效应上。
luobingyin·2023-01-30 07:49

STI、LOD与WPE概念：形成机理及对电路设计的影响

的概念STI的概念WPE的概念STI、WPE效应对电路设计的影响STI效应WPE效应LOD的概念LOD是LengthofDiffusion的缩写，当拥有相同的GateLength和GateWidth的两个MOS
luobingyin·2023-01-30 07:18

Multiplier和Finger的区别和优劣讨论

当芯片制造工艺越来越先进后，同样大小（宽长比）的mos器件在芯片不同的位置器件性能是不一样，这个不同的性能会通过仿真模型里面的版图寄生效应（layoutdependenteffect）来反应，前面有人提到了
Carol0630·2023-01-30 07:18

Landscape design-工艺-二级效应

所有的二级效应都对MOS管的沟道影响。后仿网表，WPE,PSE。OSE特别大会报出来，但一般工艺不会。
Carol0630·2023-01-30 07:18

MOS-day3

今天是MOS第3天，共计两个项目，10个知识点。
2队石头·2023-01-29 18:42

场效应管n道沟和p道沟怎么区分？

MOS管的电路符号1）G、D、S极怎么区分？G极是比较好区分的，大家一眼就能区分。不论是P沟道mos管还是N沟道，两根线相交的就是S极。不论是P沟道还是N沟道，单独引线的那边就是D极。
夏天来了85·2023-01-28 11:36

BLDC无刷电机控制器方案 12管 6管

BLDC无刷电机控制器方案12管6管该方案具有60度，120度选择功能，高低电平刹车选择，ELECTE-BRAKE功能，巡航功能，加速器调速功能LED指示：启动欠压过温度过流，MOS驱动部分IR2103
「已注销」·2023-01-27 08:19

二极管三极管和 MOS 管

二极管Diode只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。“整流（Rectifying）”功能。只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。
胖胖DE汉堡·2023-01-26 09:11

MOS评分标准

Thesingle-itemscaleaskstherespondenttoratethe‘‘overallimpression’’ofthesyn-thesizedspeechclipona1–5scale.Theotheritemsrelatetovariousaspectsofsyntheticspeechsuchaslisteningeffort,pronunciation,speed,p
cxxx17·2023-01-25 13:56

模拟工程师必备——tsmcN28工艺指南学习

目录1封装package2MOSMOSCAPFMOMHigh-RInductor2.1MOS管电容2.2FMOM金属插指结构2.3MOS作输入电阻High-RRin2.4MOS驱动和电感3RF-MOS实例参数
小头菜籽·2023-01-24 09:22

高速互连系统——基本硬件单元

二象限变跨导模拟乘法器暂无四象限吉尔伯特模拟乘法器基本吉尔伯特单元下图参考1在论文中提到，假设图中所有MOS管工作于饱和区，满足MOS管平方工作规律，尺寸满足跨导K∗K_*K∗相同，即尺寸相同。
Kimho-emo·2023-01-24 09:22

硬件学习_ESP8266_IOT_ESP-01(S)继电器模块_简单解决ESP8266上电IO抖动

本期主角淘宝上常见的使用ESP-01的继电器一、MOS管驱动款↓二、光耦隔离款↓使用模块很久之前买ESP-01的时候顺便买了一块第一款的继电器，也就是老款的。前段时间想做个ESP01的继电器。
YelloooBlue·2023-01-22 08:08

计组存储系统笔记

需要说明的是，DRAM芯片的每一个存储元由一个电容和一个MOS管组成，存储的01信息在电容内。
EDG_Clearlove_7·2023-01-17 07:15

【数电】理解MOS管的Vth（增强型）

其实就是，对NMOS来说，栅极底下是P型半导体，有空穴和B-离子，栅衬之间加电压，电子往栅极底下跑，与空穴复合，此时形成耗尽层（虽然因为B-离子的原因带负电，但无法自由移动）；当电压超过Vth，多余电子来到栅极底下，可自由移动，形成沟道。
suifeng_123123·2023-01-13 09:28

Mos结电容Cgd、Cgs、Cds与分布参数Ciss、Crss、Coss

Cgd在BJT（双极性晶体管）中也称为米勒电容(Cbc)栅控器件的驱动本来只需要一个控制电压而不需要控制功率，但是下作频率比较高的时候，结电容的存在会消耗可观的驱动功率，频率越高，消耗的功率越大。在实践中，为了分析问题的方便，一般并不直接用结电容参数进行分析，而是重新定义了三个变量，统称为分布电容，具体如下。输入电容(lnputCapacitance)：Ciss=Cgd十Cgs输出电容(Outpu
姜浩鑫·2023-01-10 18:26

为什么CMOS门电路在传输过程存在延时

其中R是MOS导通时的等效电阻，比较小。C是驱动的后端负载，后端一般接的也是MOS电路，MOS管的Gate和衬底之间等效为一个电容。同MOS的导通等效电阻和栅衬等效电容，构成了MOS电路中RC结构。
马可瓦尔多_·2023-01-08 17:48

python3 导入自定义包 ModuleNotFoundError: No module named '__main__ 解决办法

界面和我的代码分开写方便之后应对那个传说中的上帝客户一开始在index.py这么写的from.UI.SearchEngineimportUiMainWindow这个是编辑器边提示我边打的然而没有啥卵用依然报错Traceback(mos
JwCode·2023-01-07 07:29

简谈BUCK降压电路

其中，开关管选用的为MOS管，也可以选择三极管。其源极接PWM波。PWM的高低起伏控制着MOS管的导通与
硬件一小白·2023-01-04 21:48

MOS管烧毁，90%以上的硬件工程师都会遇到的问题！

MOS管烧毁，我相信90%以上的硬件工程师在职场生涯中都会遇到这类问题。然而这类问题也总是让人防不胜防。那么今天小白就给大家讲解一下MOS管烧毁的几个常见原因。
硬件一小白·2023-01-04 21:18

Multisim 12.0 笔记

Transisitor库：三极管库，包含NPN、PNP、达林顿管、IGBT、MOS管、场效应管、可控硅等；5
Muse_Jony·2023-01-04 21:11

有关UC3842芯片输出PWM波形不连续以及PWM频率与RT和CT上的锯齿波频率不一样问题的调试心得记录

最近在调试基于UC3842芯片的BUCK降压电源，该BUCK电路使用非同步整流拓扑，高端的MOS管驱动使用的是自行使用分立器件搭建的自举升压驱动电路。
w14327885·2023-01-04 21:41

TypeC规范--CC连接

上次在TypeC与PD快充文章内我们在后面放了几张图；如下图：上图位于TypeC规范章节4.5.1.3.3我们以这个图为例介绍一下，我们可以看到在VBus上会有MOS去切换source和sink的通路，
大师匈·2023-01-04 21:02

模拟集成电路设计基础知识(一)：MOS管结构及其I/V特性

文章目录MOSFET的基本结构MOSFET的I/V特性模拟集成电路的设计与数字集成电路的设计不同，数字集成电路倾向于使用现有集成电路的器件、模型来实现一些高级的功能，而模拟集成电路一方面要将半导体器件看作一个黑箱，实现封装设计，另一方面还要深入理解器件的微观原理，知晓半导体材料的参杂、电导电容特性等基本概念，实现单元设计。有关于器件物理的知识可以参考台湾施敏编著的《半导体器件物理》以及国内刘恩科等
BigOrangeZee·2023-01-04 21:30

反激式开关电源电路测试记录（二）

由于课题组也在做氮化镓HEMT器件（更多的是在芯片设计和工艺部分，电路部分=没有），后续有做氮化镓开关电源来验证氮化镓HEMT器件的性能的想法，因此想从Si基MOS管反激式开关电源电路入手，逐步实现替代
ice_cream23333·2023-01-04 21:26

UC3842电源管理芯片详细解读

如图2所示，通常在电流感应引脚INSENSE串联一个电阻RS到地，电阻另一端接MOS管源极。
ice_cream23333·2023-01-04 21:18

stm32学习----正电原子精英板控制电机正反转

它是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术；它是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变
句号388·2023-01-04 15:08

GPIO的工作模式、GPIO复用

输入部分：输入的信号，不会反向的回流到输出电路，因为N-MOS、P-MOS不会被反向导通。（输入电路不会影响到输出电路）输入电路内部有两个电阻：上拉电
想文艺一点的程序员·2023-01-04 12:39

校园招聘攻略----硬件工程师基础问题(五)

问题41面试官：MOS管的选型如何考虑？学生：选N沟道还是P沟道，在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。
鲁棒最小二乘支持向量机·2023-01-04 09:04

图像质量评价领域前沿综述（2022）

NR-IQAFR-IQA其他IQA数据库主流IQA数据库美学和眼动等数据库图像质量评价（ImageQualityAssessment,IQA）主要包括两个部分，一是主观质量评价，即人对于图片的主观感知评价，一般使用MOS
百年后封笔·2023-01-02 22:11

【面经】2022年初的面试记录（六）字节

帧对齐如何实现的端到端延时如何操作竞品质量测试关注的指标有哪些音频/视频客观的测评工具，如何使用P帧、B帧的区别音质测评（除了Mos打分外）APP的性能测试服务的性能测试比如噪音、啸叫如何评测飞书的升级
darlingmz·2022-12-31 16:32

v$asm_disk中free_mb低于300m导致加盘报ora-15041

某项目扩容加盘到磁盘组中报磁盘组空间耗尽的错误，如下明明是加盘，却报空间不足的错误，令人费解报错的磁盘组为normal冗余，且Usable_file_MB为负，且Free_MB剩余很少或为0问题排查：经查询MOS
Joyce.Du·2022-12-30 15:13

IPTV码流分析指标

针对IPTV码流可以分析如下指标（参考蓝拓扑公司的IPTV码流分析产品）视频内容质量分析被动式的视频平均意见分(MOS)测量实时对所选的IPTV和VOD节目进行音视频回放MPEGPESI,P,B帧率存在丢包的
雷霄骅·2022-12-29 07:30

rtpengine MOS值相关(RTCP)

rtpengine，是根据伴随rtp包而来的rtcp数据包计算MOS值的。根据rtcp中记录的流的质量生成mos值。在较旧的版本若通话语音流中不包括rtcp包是无法计算出mos值的。
Kamilio_OPS·2022-12-28 01:14

浅析MOS管串联并联的驱动应用

1.MOS管并联的可行性分析由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致某颗MOS管的电流比较大
weixin_43747182·2022-12-28 01:14

mos管结电容等效模型_MOS管GS之间并联的电阻的真正作用！

在mos管的驱动电路里,某些场合下,会看到这个电阻,在某些场合中,又没有这个电阻.这个电阻的值比较常见的为5k,10k.但是这个电阻有什么用呢?
达拉斯手记·2022-12-28 01:13

电容应用：MOSFET的门源极并联电容

MOSFET门源极并联电容后，开关可靠性得到提升开关电路如下图电路解释开关电路如下图电路解释1.该电路用于高边开关，当MOS_ON网络拉低到地时，开关Q1导通；2.电路中D3作用为钳位Q1门源电压在12V
ZHU_YONG_LI·2022-12-28 01:42

高压MOS管KNP41100A 2A/1000V【PDF数据手册】

高压MOS管KNP41100A2A/1000V半导体市场，现阶段1000-1500V超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，且存在价格高，交付周期长等弊端。
KIA半导体·2022-12-28 01:40

电工学习通：电路图符号知识大全

电路图符号知识我们常说的电路图呢是一种以物理电学标准符号来绘制各MOS管电子元器件组成和关系的电路原理布局图，听不懂也没关系，我们只要记住以下几点就可以了：电路图符号数量众多，大致可以分为四个类别：传输路径
KIA半导体·2022-12-28 01:40

高压MOS管1000V/2A 可代替IXFP4N100 数据表（PDF）

高压MOS管1000V/2A可代替IXFP4N100放眼半导体市场，现阶段1000-1500V超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，且存在价格高，交付周期长等弊端。
KIA半导体·2022-12-28 01:10

MOS管的作用及原理介绍

MOS管的英文全称叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。
KIA半导体·2022-12-28 01:40

功率MOS管并联方法的研究

在低压大功率的许多应用场合,如电动三轮车、旅游观光电动汽车、小型电动叉车等,无一例外的是采用MOS管并联的方法,但这些传统的并联方法大多数是把同一规格的MOS管并联在一起使用,并联前不会专门进行均流、发热温升测试后再选择并联
电动汽车砖家刘博士·2022-12-28 01:07
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