栅极

3.2主存储器的基本组成

SRAM和DRAMStaticRandomAccessMemory，即静态RAMDynamicRandomAccessMemory，即动态RAMSRAM用于Cache、DRAM用于主存DRAM芯片：使用栅极电容存储信息
小旺不正经·2023-10-16 09:28

GaN器件使用注意—GaN技术文档总结

器件概述二、器件的热设计三、GaN器件的测量注意六、GaN的spice模型使用九、GaN元件的PCB布局十、EZDrive电路十二、门极驱动电路设计一、GaN器件概述1、工作原理类似于MOSFET，在栅极和源极之间电压超过开启电压的时候
电气小能手·2023-10-15 10:02

增强型GaN器件的驱动电路

文章目录1.增强型GaN器件的驱动电压要求2.增强型GaN器件驱动的可靠性问题2.1.米勒导通问题2.2.自举驱动时栅极过电压问题2.3.动态导通电阻退化问题3.增强型GaN器件的驱动技术引用1.增强型
工具箱贰号·2023-10-15 10:58

GaN器件的工作原理

AlGaN/GaN功率晶体管（增强型器件）HD-GIT与SP-HEMTAlGaN/GaNHEMT器件工作原理（常开-耗尽型器件）来源：毫米波GaN基功率器件及MMIC电路研究（西电博士论文）注意：这里的栅极电压是负偏
幻象空间的十三楼·2023-10-15 10:55

三极管和MOS如何导通

参考图1：参考图2：PMOSMOSG为gate栅极，接地端。S为source源极。
柿子风年·2023-10-14 21:37

2ED2410-EM:12v / 24v智能模拟高侧MOSFET栅极驱动器

概述12v/24v智能模拟高侧MOSFET栅极驱动器。特性PRO-SILISO26262-准备根据ISO26262:2018条款8-13支持硬件元件评估的集成商。
ManGo CHEN·2023-10-12 06:03

AlGaN/GaN结构的氧基数字蚀刻

由于对栅极电介质厚度、均匀性、质量和表面形态的高要求，凹槽蚀刻在GaNHEMT的制造中是非常关键的步骤。通过使用氯
Insist_1122·2023-10-11 12:22

硬件学习笔记---“唐老师讲电赛”（五）元器件选型之三极管、MOS管

元器件选型之三极管1.单管共射放大电路的动态特性2.三极管的开关作用3.常用三极管元器件选型之MOS管分为PMOS和NMOS1.判断三个脚：先判断栅极（G），有交叉的是源极（S）、另一边为漏极（D）；箭头背向
amour918·2023-10-11 00:52

栅形状的影响及可靠性的优化

栅形状的影响VD-MOSFET单元结构采用平面栅极拓扑结构，栅极电极位于半导体的平坦上表面。
幻象空间的十三楼·2023-10-10 03:48

三星：3纳米GAA制程研发进度领先台积电

据外媒报道，三星电子设备解决方案(DS)业务部首席技术官JeongEun-seung宣布：“作为下一代代工微制造工艺的核心，全环绕栅极(Gate-All-Around，GAA)技术将尽早实现商业化。
咕噜咕噜88·2023-10-07 20:33

MS31703H 桥栅极驱动控制器，可P2P替代TI的DRV8703

MS31703NA是一款小型单通道H桥栅极驱动器。它使用四个外部N通道MOSFET，驱动一个双向刷式直流电机。PH/EN、独立半桥或PWM允许轻松连接到控制器电路。内部传感放大器提供可调的电流控制。
Yyq13020869682·2023-10-07 12:41

一文看懂功率MOSFET FCP190N60 N沟道 基础知识

什么是MOSFET的原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体），FET（FieldEffectTransistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（
Hailey深力科·2023-10-06 12:30

XC1336 高侧过压保护器 30V过压保护IC 可做OVP、高压开关

XC1336由一个电荷泵、一个可配置的功率MOSFET、一个电压参考、一个栅极驱动器和一些逻辑和保护模块组成。XC1336可以对输入浪涌做出反应，并在小于0.1u的时间内关闭开关。
深圳恒森宇电子·2023-10-06 03:30

GD32F10x的输出模式

当N-MOS的栅极为0，N-MOS管导通。那么I/o输出0。当N-MOS的栅极为1，N-MOS管截止。那么I/o为高阻态。需要接上拉电阻。
牛牛ly·2023-09-30 10:52

SCT52A40，对标UCC27200、UCC27201半桥驱动IGBT/MOSFET栅极驱动器

特点：•8-24V宽供电电压•驱动高侧和低侧N通道MOSFET•4A峰值输出源电流和汇电流•升压电源电压范围可达120V•集成阴极负载二极管•TTL兼容输入，-10V输入•45ns传输延迟•1000pF负载下7ns上升和4.5ns下降时间•2ns延迟匹配时间•静态电流252uA•15ns输入去抖时间•最小脉冲宽度40ns•供电轨欠压锁定（UVLO）•在-40°C~150°C温度下运行•SOP-8L
Yyq13020869682·2023-09-29 10:09

国产化SCT52241双通道下管IGBT/MOSFET栅极驱动器，可替代UCC27525A、ISL89165等

可替代UCC27525A、ISL89165的SCT52241SCT52241是是一款宽供电电压、双通道、高速、低测栅极驱动器，包括功率MOSFET，IGBT。
Yyq13020869682·2023-09-29 10:09

数明SLM27517能驱动MOSFET和IGBT功率开关 低侧栅极驱动器兼容UCC27517

SLM27517单通道，高速，低侧栅极驱动器器件可以有效地驱动MOSFET和IGBT功率开关。
Hailey深力科·2023-09-29 10:39

国产SCT52A40，对标UCC27200、UCC27201，半桥驱动IGBT/MOSFET栅极驱动器

SCT52A40是一种宽电源，高频栅极驱动器，包括高压侧和低压侧驱动器，用于半桥、全桥和降压电路和驱动离散N型MOSFET的转换器。4A峰值电流和汇电流能力可提高功率转换器的功率效率。
Yyq13020869682·2023-09-29 10:09

可替代UCC27200和UCC27201的半桥驱动IGBT/MOSFET栅极驱动器SCT52A40

SCT52A40是一种宽电源，高频栅极驱动器，包括高压侧和低压侧驱动器，用于半桥、全桥和降压电路和驱动离散N型MOSFET的转换器。4A峰值电流和汇电流能力可提高功率转换器的功率效率。
Yyq13020869682·2023-09-29 10:38

硬件基本功--MOS管

1.上电时给MOS管的栅极一个确定的电平，防止上电时GPIO为高阻态时，MOS管的栅极电平不确定，从而受到干扰。
⁢稚子·2023-09-28 02:39

三极管和MOS管抗静电？|深圳比创达EMC

MOSFET的栅极源极之间是绝缘的，其GS之间有一个电容。根据U=Q/
szbcdEMC·2023-09-26 02:02

P-GaN栅极HEMT开关瞬态分析中的动态栅极电容模型

标题：DynamicGateCapacitanceModelforSwitchingTransientAnalysisinP-GaNGateHEMTs摘要在这项工作中，提出了一种用于P-GaN栅极HEMT
幻象空间的十三楼·2023-09-24 02:08

高电压+大电流 IGBT静态参数测试解决方案

IGBT静态参数主要包含:栅极-发射极阈值电压VGE(th)、栅极-发射极漏电流lGEs、集电极-发射极截止电流lcEs、集电极-发射极饱和电压VcE(sat)、续流
whpssins·2023-09-15 22:39

MOS管开关电路栅极为什么要串接电阻

在MOS管开关电路或者驱动电路中，常常会在MOS管的栅极串接一个电阻。这个电阻阻值一般是几十欧姆，那么这个电阻有什么作用呢？
小鱼教你模数电·2023-09-11 02:20

如何分辨NMOS和PMOS的电路符号

NMOS和PMOS电路符号最大的差异就是衬底这个箭头的方向，对于NMOS管，箭头方向指向栅极，对于PMOS管，箭头方向背向栅极。那么这个箭头的方向有什么含义
小鱼教你模数电·2023-09-11 02:19

MOS管为什么会存在寄生电感

其实分立的MOS管它是存在寄生电感的，并且栅极，源极和漏极都存在。在一些MOS的数据手册会提到这个寄生电感。那么MOS管寄生电感是怎么产生的呢？
小鱼教你模数电·2023-09-11 02:18

MSP430 PWM波控制蜂鸣器

脉冲宽度调制是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。这种方式能使电
d36a3fd5b3e4·2023-09-10 06:41

闪存芯片的冷知识

闪存芯片的核心部分是浮栅晶体管（FloatingGateTransistor），它是一种特殊的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），它有两个栅极（Gate），一个是控制栅（ControlGate
大囚长·2023-09-09 22:50

场效应管的参数

是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。3、UT—开启电压。
Sofie_6804·2023-09-06 12:55

CSC2121A

半桥架构的栅极驱动电路CSC2121ACSC2121系列是一款高性价比的半桥架构的栅极驱动专用电路，用于大功率MOS管、IGBT管栅极驱动。
QQ2169636881·2023-09-02 04:18

AMEYA360代理线：ROHM开发出EcoGaN™减少服务器和AC适配器等的损耗和体积！

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650VGaNHEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的PowerStageIC
ameya3600·2023-08-31 23:46

AMEYA360报道：ROHM宣布推出新型MOSFET

然而，一般MOSFET的特点是导致功率损耗的两个主要参数：导通电阻（RDS（on）），与芯片尺寸成反比，以及栅极漏极电荷（Qgd）与芯片尺寸成比例增加，这使得实现两者具有挑战性。罗姆
ameya3600·2023-08-31 23:45

FQPF27P06 P沟道增强型MOS管电压、原理、导通条件！

当施加正电压到晶体管栅极上时，电场会吸引正电荷到栅极下方，导致栅极上方的P沟道区域中形成一个N型的导电通道。这个导电通道连接了源极和漏极，允许电流流
Hailey深力科·2023-08-30 21:11

分享一款电机控制国产32位单片机MM32SPIN360C

国产32位单片机MM32SPIN360C拥有M0内核的高性能32位微控制器，5V输出的LDO稳压器、三组具备有自举二极管的N通道半桥栅极驱动器。
EVERSPIN·2023-08-24 14:26

如何用万用表对场效应管进行判别

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只
夏天来了85·2023-08-14 17:37

MOSFET（四）：区别JFET

一、JFET及工作原理N沟道JFET是一种三极结构的半导体器件，包含源极（S）、漏极（D）、栅极（G）工作原理是通过栅源电压控制反型沟道的导电特性。
Infinity_lsc·2023-08-11 19:26

MOS管规格书参数解析

在这之前，首先了解下三极管和MOS管的区别：三极管是电流控制型的器件，通过基极电流去控制集电极电流，实现电流、电压信号放大或者驱动负载工作；场效应管是电压控制器件，需要通过栅极（G）电压来控制场效应的导通
阴阳万物·2023-08-11 18:09

【计算机组成原理】24王道考研笔记——第三章 存储系统

存储器的性能指标二、主存储器1.基本组成半导体元件原理：存储芯片原理：存储芯片由半导体元件组成而成不同的寻址方式：总结：2.SRAM和DRAM上一节中做介绍的存储器芯片其实就是DRAM芯片，DRAM芯片使用栅极电容存储信息
木瓜星灵TT·2023-08-11 11:46

对p-n结/AlGaN/GaN HEMTs中n-GaN掺杂浓度对栅极可靠性的影响

目录第35届功率半导体器件与集成电路国际研讨会论文集2023年5月28日至6月1日，中国香港南方科技大学电气电子工程系，深圳标题：Impactsofn-GaNDopingConcentrationonGateReliabilityofp-nJunction/AlGaN/GaNHEMTs摘要信息解释研究了什么文章创新点文章的研究方法文章的结论第35届功率半导体器件与集成电路国际研讨会论文集2023年
幻象空间的十三楼·2023-08-11 09:43

应用在电源MOSFET驱动器中的光耦

MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步DC/DC转换器和高达100V的电源电压来驱动两个N沟道MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容MOSFET中的开关损耗。
nanfeng775a·2023-08-11 09:26

IGBT是什么东西 中国IGBT前五大品牌排名

它通常具有三个端子：集电极、发射极和栅极。集电极和发射极都带有金属层，而栅极上的金属材料包含二氧化硅层。IGBT实际上是一个由四层半导体构成的器件，其中包括PNP和NPN晶体管的排列。
深圳市颖特新科技有限公司·2023-08-11 06:27

[国产MCU]-BL602开发实例-PWM

PWM1、BL602的PWM介绍2、PWM驱动API介绍3、PWM使用示例脉冲宽度调制（Pulsewidthmodulation，简称PWM）是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置
视觉&物联智能·2023-08-10 07:19

场效应管的使用注意事项

如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结，Ｎ沟道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压，等等。（3）MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、储藏中必须将引出脚短路，要用金
维库网锁货采购客服舒小姐·2023-08-06 22:13

LC串联谐振的意义-MOS管栅极G串联电阻

B站对应视频：LC串联谐振的意义-LC滤波器-MOS管G极串联电阻作用我一直有一个感觉：咱们硬件工程师，会遇到各种各样的问题，亦或是各种各样的现象，总会有一个非常简单的解释，一句话或者是几句话，我们见多了这个解释，就自以为明白了，当别人再问起我们的时候，我们也会拿这句话去给别人解释。比如说，寄生电感这个字眼就经常出现，特别是引线电感。我们解释一些问题的时候都是直接套用的，默认它的存在。可实际上是，
硬件工程师炼成之路·2023-08-04 16:20

SSD 读写擦相关知识

1.简述闪存的工作原理及存储和记录数据每个闪存芯片中有海量的存储单元（Cell），下图是一个闪存存储单元的示意图，从上到下包括控制栅极、氧化层、浮栅层、隧道氧化层和衬底；左侧是源极，右侧是漏极。
我就闷着冲冲冲·2023-08-03 23:24

FDS8884介绍

安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SO-8通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:8.5ARdsOn-漏源导通电阻:23mOhmsVgs-栅极
QUEQUE123·2023-07-30 06:03

SGT技术MOS

ShieldGateTrenchMOSFET)，MOS器件第一个深沟槽(DeepTrench)作为“体内场板”在反向电压下平衡漂移区电荷，这样可以降低漂移区的电阻率，从而降低器件的比导通电阻(RSP)和栅极电荷
keery·2023-07-28 06:07

MOS管的工作原理

然后在这块P型半导体上制作两个高度掺杂的N型半导体，分别是源极S和漏极D，在P型半导体上面制作一层SIO2绝缘层，在SIO2上制作一层金属铝，作为栅极G，这样就构成了一个N沟道增强型MOS管。
小鱼教你模数电·2023-07-28 02:01

三极管和MOS管的区别

而对于MOS管来说，栅极和
追风~Archer·2023-07-27 16:47

10N60-ASEMI品质大功率场效应管

芯片尺寸：漏电流：特性：大电流、场效应管工作温度：-55~+150℃10N60的电性参数：最大正向平均电流10A；最大反向峰值电压600V场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的
ASEMI99·2023-07-20 05:21
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