栅极第4页

国鼎代理TP7512KTS1是75A，1200V高可靠性IGBT模块技术参数特征

sat)低开关损耗内置快恢复二极管Tvjop=150°CVCE(sat)带正温度系数极限参数除非另有说明,否则TA=25ºCIGBT,逆变器符号参数参数范围单位VCES集电极—发射极电压1200VVGES栅极

Gotinggz·2023-07-18 20:56

国鼎IGBT-TRW(E/G)5065NH1是50A，650V高可靠性IGBT，具有高速开关特性、及低导通损耗和开关损耗等特点

50A饱和压降为正温度系数，易于并联使用低开关损耗内置快恢复二极管高速开关特性高可靠性及热稳定性，良好的参数一致性极限参数除非另有说明,TA=25ºC符号参数参数范围单位VCE集电极—发射极电压650V栅极

Gotinggz·2023-07-18 20:25

SCT52240双路 4A/4A 高速MOSFET/IGBT栅极驱动器, 可并联输出

SCT52240是是一款宽供电电压、双通道、高速、低测栅极驱动器，包括功率MOSFET，IGBT。单个通道能够提供高达4A拉电流和4A灌电流的轨到轨驱动能力，并实现轨到轨输出。

Yyq13020869682·2023-07-18 13:31

电机驱动芯片——DRV8833、TB6612、A4950、L298N的详解与比较

NMOS管的栅极为高电平时导通，低电平时截止。2.H桥工作模式正转模式当Q1、Q4的栅

朽木白露·2023-07-15 03:16

通过联锁栅极驱动器来提高三相逆变器的鲁棒性

变频驱动器（VFD）是工业自动化机械的重要组成部分。它们能够高效地驱动泵、风扇、传送带、计算机数控机床和机器人自动化解决方案，有助于降低工厂的总能耗。若VFD发生故障会直接导致机器停机，进而造成工厂停工和生产损失。因此，VFD的可靠性和鲁棒性是机器制造商和工厂业主的关键要求。所示的三相逆变器结构是VFD的核心，能够将整流后的电源电压转换为输出到电机的可变频率和可变电压。逆变器的鲁棒性是确保VFD鲁

夏天来了85·2023-07-14 12:50

（LFPAK56）BUK7Y7R0-40HX 40V、N 通道BUK9Y6R5-40HX表面贴装汽车用MOSFET器件

Trench9MOSFET系列产品全部符合AEC-Q101标准，且超越了这一国际汽车级标准的要求，在包括温度循环(TC)、耐高温栅极偏置(HTGB)、耐高温反向偏置(HTRB)和断续工作寿命(IOL)等主要的可靠性测试方面达到了两倍的指标值

Summer-明佳达电子·2023-07-13 22:06

CMOS反相器的工作原理和电路结构

反相器的电路结构静态输入特性输出特性CMOS反相器的电路结构当输入为高电压的时候，下半部分导通，输出端接地当输入为低电压的时候，上半部分导通，输出端连接VDD静态输入特性从反相器输入端看进去输入电压与电流的关系因为栅极和衬底之间存在着以二氧化硅为介质的输入电容

严正安·2023-06-20 04:54

ASEMI场效应管12N65参数，12N65规格书，12N65特征

编辑-ZASEMI场效应管12N65参数：型号：12N65漏源电压（VDSS）：650V连续漏极电流（ID）：12A栅极阈值电压（VGS(TH)）：±30V功耗（PD）：140W漏源漏电流（IDSS）：

qyx3868·2023-06-19 20:23

ASEMI场效应管AO3401参数，AO3401规格，AO3401特征

栅源电压（VGS）：±12V连续漏极电流（I）：4.2A脉冲漏极电流（IDM）：30A功耗（PD）：1.4W结温和存储温度范围（TJ,TSTG）：-55to150℃漏源击穿电压（BVDSS）：-30V零栅极电压漏极电流

qyx3868·2023-06-19 20:53

1.4 场效应管

场效应管主要由一个导电的沟道和控制沟道导电性的栅极组成。栅极通过控制电场的强弱来调节沟道中的电流。根据栅极与沟道之间的材料结构和工作原理，场效应管可以分为三种主要类型：1.MOSFET（金属氧化物半

夏驰和徐策·2023-06-19 20:51

Mos管的结构特点

其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。

维库网锁货采购客服舒小姐·2023-06-19 01:12

650V IGBT 模块（FAM65V05DF1）NTMFD5C470NLT1G和NTMTS0D7N04CTXG（40V）表面贴装 MOSFET

FAM65V05DF1智能电源模块（IPM）是高度集成的固态电源开关，在单个模块中集成了基于IGBT或MOSFET的栅极驱动电路。IPM还包括电源系统免受短路、欠压和极端温度等问题的保护。

Summer-明佳达电子·2023-06-18 11:44

硬件系统工程师宝典（27）-----MOSFET、BJT搭配，干活不累

上篇我们说到场效应管的原理是通过“监测”栅极和源极间电压来实现控制漏极-源极之间电流的目的。今天我们来讲讲场效应管如何和BJT搭配设计控制电路。

电子工程学习圈·2023-06-16 22:20

针对纳米片环栅晶体管中制造锗化硅（SiGe）和硅（Si）选择性蚀刻的研究

引言栅极全能场效应晶体管（GAAFET）是一种很有前途的候选晶体管，可以用来提高FinFET性能。

Insist_1122·2023-06-14 12:22

ASEMI代理安森美MOS管FQL40N50参数，FQL40N50描述

编辑-ZFQL40N50参数描述：型号：FQL40N50漏源电压VDSS：500V漏极电流ID：40A漏极电流-脉冲IDM：160A栅极-源极电压VGSS：±30V功耗PD：460W操作和储存温度范围TJ

qyx3868·2023-06-13 19:12

FQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50

：110mΩ引脚数量：3工作温度：-55℃~150℃沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管FQL40N50特点40A，500V，RDS(on)=110mΩ（最大值）（VGS=10V且ID=20A时）低栅极

ASEMI99·2023-06-12 20:28

IXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q

IXYS/艾赛斯封装：TO-247最大漏源电流：4A漏源击穿电压：1000VRDS（ON）Max：3Ω引脚数量：3工作温度：-55℃~150℃沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管IXFH4N100Q特点低栅极电荷和电容

ASEMI99·2023-06-12 20:58

【资料分享】ESD保护电路优缺点

根据ESD防护器件的TLPI-V特性我们可将ESD器件分为回滞类和非回滞类两种：回滞类的ESD器件包括NPN三极管、栅极接地NMOS(GGNMOS,Gate-groundedNMOS)、可控桂(SCR,

岛主_Landor·2023-06-07 22:55

死区时间的分析与设置

出现死区的主要原因是因为MOS管的源极和栅极之间的结电容。现在在栅极加上一个门电路。

tilblackout·2023-04-21 02:09

MOS管特性和导通过程

特性一开始给GS端电容充电的过程中是有电流的，当MOS管完全导通后，栅极基本没有电流。

tilblackout·2023-04-21 02:09

STM32实验：利用PWM输出制作呼吸灯

脉冲宽度调制（Pulsewidthmodulation，即PWM）是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变

Mr_rustylake·2023-04-13 02:52

氮化镓充电器芯片 NV6128、NV6127、NV6125 QFN6x8mm

NV6128内部整合集成栅极驱动器，支持10-30V供电，且导通压摆率可编程。应用于300W图腾柱PF

Summer-明佳达电子·2023-04-12 21:17

MPCS-314P-T1一款光电耦合器适用于驱动功率IGBT和MOSFET 门驱动器光电耦合器

MPCS-314P-T1广泛应用于：隔离IGBT/功率MOSFET栅极驱动，工业逆变器，交流无刷和直流电机驱动，感应加热电磁炉等多种领域！特性：1.0.8A最大峰值输出

Hailey深力科·2023-04-12 08:28

NCV8403ASTT1G 42V 14A 带温度和电流限制自保护低压侧驱动器

NCV8403ASTT1G是一种三端保护的低压智能离散电路装置保护功能包括过电流、超温、，ESD和集成漏极至栅极箝位，用于过压保护。

Hailey深力科·2023-04-12 08:27

基于ARM Cortex M0国产32位单片机MM32SPIN220B

灵动MM32SPIN220B使用高性能的ARM®CortexTM-M0为内核的国产32位MCU，内嵌两组具备有自举二极管的N通道半桥栅极驱动器。

EVERSPIN·2023-04-12 06:23

ASEMI代理艾赛斯IXTY02N50D-TRL车规级MOSFET

MOS管IXTY02N50D-TRL参数：型号：IXTY02N50D-TRL漏极-源极电压（VDS）：500V连续漏电流（ID）：200mA功耗（PD）：25W工作结温度（TJ）：-55to+150℃零栅极电压漏极电流

qyx3868·2023-04-12 00:14

电机驱动详解--从原理到智能车驱动（DRV8701）

可以控制栅极的电平高低，来控制NMOS管的开通与关闭，所以可以通过控制四个栅极的状态来控制MOS管的开通与关断，从而达到控制电机正反转的效果。

憨猪在度假·2023-04-11 15:16

BLDC智能栅极驱动芯片之TMC6140知识分享

今天和大家分享一颗智能栅极驱动芯片完全集成的通用三相MOSFET栅极驱动器，适用于PMSM伺服或BLDC电机.支持高达100A电机电流的外部MOSFET.三个底部分流放大器可以轻松检测电流并增强电机的换向

TMC_CHINA·2023-04-11 13:58

干货 | MOSFET开关：电源变换器基础知识及应用

MOSFET的控制是通过向栅极施加特定的电压来进行的。当MOSFET导通时，电流通过在体区（称为bulk或body）中形成的沟道，从MOSFET的漏极流向源极。

唯样商城123·2023-04-10 01:29

模拟IC设计——MOS计算及常见MOS管电路

（b）共漏极放大器，又称为源极输出器或源极跟随器，输入信号从漏极与栅极之间输入，输出

KGback·2023-04-09 03:45

NMOS 型的 LDO

这里所使用的栅极至源极

2013crazy·2023-04-08 14:36

第十七届智能车越野硬件篇——无刷电机驱动

无刷电机驱动硬件篇电机驱动板工作单元规划器件选型及原理图绘制电源部分电流检测栅极驱动及功率电路PCB绘制注意事项17届完赛资料电机驱动板工作单元规划该无刷驱动板使用的是航模3S电池为整个电路供电，使用MM32SPIN360C

爱小苒·2023-04-06 02:34

晶体管与场效应管的区别

场效应晶体管的栅极G、源极S、漏极D对应于晶体管的基极B、发射极E、集电极C，它们的作用相类似。一、场效应管用栅-源电压U-GS控制漏极电流I-D，栅极基本不取电流。

考琪·2023-04-04 16:11

硬件基础 - MOS管

常用于多级放大器的输入级作阻抗变换可以用作可变电阻可以方便地用作恒流源可以用作电子开关在电路设计上的灵活性大，栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作；另外输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易于跟前级匹配NMOSmos管的三个极分别是：G（栅极

如图所示z·2023-04-02 17:07

电压过零光隔离TRIAC驱动器应用

这些器件针对高电流高压晶闸管提供足够的栅极触发电流，同时保证线路和控制电路之间具有7.5kV的介电耐受电压。检测器芯片上的集成式过零开关可消除浪涌电流，解决很多应用中由此产生的电磁干扰(EMI)和可

腾恩科技·2023-04-02 08:09

有趣的MOS管

MOS管原理，以NMOS为例：栅极加正向电压时，将吸引源极和漏极的电子聚集在二氧化硅，将贴近衬底表面耗尽层的“变性”为反型层，即这部分的区域也变成了N型区，这样就将源区和漏区连接起来了，形成了导电沟道，

和风化雨·2023-03-23 19:30

ChatGPT助力校招----面试问题分享(三)

以下是它们之间的一些主要区别:1.结构:MOS管有一个金属栅极、一个绝缘层和一个半导体底座，而三极管有一个集电极、一个基极和一个发射极。MOS管是一个四极器件，而三极管

鲁棒最小二乘支持向量机·2023-03-13 22:21

绝缘栅场效应管(MOS管)

绝缘栅场效应管的栅极和源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，它一般有耗尽型和增强型两种。

xusiman·2023-03-11 06:11

【FLASH存储器系列二十】固态硬盘之RD&DR&SCL Cache

对这些晶体管来说，有点像在做轻微的“写入（Program）”，长此以往，由于电子进入浮栅极过多，从而导致比特翻转：1→0。当出错比特数超出ECC的纠错能力时，数据就会丢失。

highman110·2023-03-10 18:52

电子管晶体管集成电路简要介绍

增加一个栅极就成了三极管，栅极能控制电流，栅极上很小的电流变化，能引起阳极很大的电流变化，所以，三极管有放大作用。当然还有多极管，它是在三极管内增

文德华·2023-02-02 13:22

寄生感知共质心 FinFET 布局和布线以实现电流比匹配

然而，与传统平面CMOS技术相比，基于FinFET技术的工艺变化导致的栅极错位问题和互连线产生的寄生电阻变得更加严重。这种栅极未对准和不想要的寄生电阻可能会增加阈值电压并降低晶体管的漏极电流。

我好方^-^·2023-01-30 07:51

几道题目总结(CMOS)

天马行空的博客·2023-01-30 07:19

【数电】理解MOS管的Vth（增强型）

其实就是，对NMOS来说，栅极底下是P型半导体，有空穴和B-离子，栅衬之间加电压，电子往栅极底下跑，与空穴复合，此时形成耗尽层（虽然因为B-离子的原因带负电，但无法自由移动）；当电压超过Vth，多余电子来到栅极底下

suifeng_123123·2023-01-13 09:28

MOS管烧毁，90%以上的硬件工程师都会遇到的问题！

VGSS:栅极与源极之间所能施加的最大电压值。IDC:漏极允许通过的最大直流电流值。Tch

硬件一小白·2023-01-04 21:18

stm32学习----正电原子精英板控制电机正反转

它是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术；它是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变

句号388·2023-01-04 15:08

IXFP4N100参数及代换型号数据表（PDF）中文资料

IXFP4N100参数及代换KNX41100AKNX41100产品特征：符合RoHSRDS（ON）.typ=9.6Ω@VGS=10V低栅极充电可尽量减少开关损耗快速恢复体

KIA半导体·2022-12-28 01:40

MOS管栅极反并联二极管的作用

经常会看到MOS驱动电路中栅极电阻会反并联一个二极管。

gaoyong_wang·2022-12-28 01:36

使用STM32pwm呼吸灯和定时练习

它是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术；它是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开

凌(✪▽✪)·2022-12-20 09:44

stm32f103zet6的GPIO基础知识

MOS管的管脚有三个：源极S（source）、栅极G（Gate）和漏极（Drain）图片引用：htt

MAR-Sky·2022-12-19 03:00

硬件茶谈（B站up主爱上半导体）

本章来学习MOS管的基本工作原理栅极无电压的时候，就截止，有电压的时候，漏极和源极就导通下面是N型半导体，N为Negative的意思，无论是N型还是P型都是由纯净的硅掺入少部分的磷和硼而形成的。

Mr529302·2022-12-18 15:39

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