栅极第6页

模拟电子电路之场效应管（上）（J-FET）

场效应管三个引脚分别为栅极gateelectrode（G）、源极source（S）、

林一捆·2020-08-20 05:14

运放中输入偏置电流和输入失调电流的区别

运放的输入偏置电流:为了使运放输入级放大器工作在线性区,所必须输入的一个直流电流,在双极晶体管输入的运放,偏置电流就是输入管的基极电流,在MOS管输入的运放是指栅极漏电流.输入失调电流:与输入失调电压一样

zyboy2000·2020-08-18 18:16

MOS管：沟道分析

谢教授在这方面给了我莫大的帮助，本次转载主要是为了做好笔记，方便查询，原文请见谢教授的博客，http://blog.sciencenet.cn/blog-550717-464721.htmlMOSFET的核心部分是栅极及其下面的

Chipei Kung·2020-08-18 10:14

MOS管入门----只谈应用，不谈原理

1.三个极怎么判定G极(gate)—栅极，不用说比较好认S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边2.N沟道还是

君子不器。·2020-08-17 20:32

简单2路逻辑电平转换电路

示例解说：当LV连接器的TXI-1为3V3高电平信号（LV排针接3V3，HV排针接5V）时，Q1mos管的栅极和源极之间的压降为0V（TXI-1与LV排针之间的电压），此时Q1mos管不导通，TXO-1

mworkfun·2020-08-17 13:31

MOS管及其外围电路设计

全文框架1.栅极驱动部分常用的mos管驱动电路结构如图1所示，驱动信号经过图腾柱放大后，经过一个驱动电阻Rg给mos管驱动。其中Lk是驱动回路的感抗，一般包含mos管引脚的感抗，PCB走线的感抗等。

WillChan_·2020-08-16 03:21

扇形微带偏置线的分析与作用

原文：硬件之家，http://www.allchipdata.com/archives/3101例如，在设计功率放大器时，会涉及到功放管的栅极偏置电压Vg与源极偏置电压Vd。

电子飓风eStorm·2020-08-15 22:54

逻辑门电路的延时分析

关于MOS管NMOS:PMOS:NMOS是栅极高电平（VGS>Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

weixin_30888413·2020-08-14 03:33

揭秘MOS管前世今生的发展历程

因此，不难理解，n型的如图在栅极加正压会导致导通，而p型的相反。3、增强型相对于耗尽型，增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，如图。

weixin_43747182·2020-08-13 22:17

MOS管开关时的米勒效应

一、MOSFET的开通过程MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程，当给栅极施加驱动电压后，MOSFET开通过程会分为4个阶段，其中

qlexcel·2020-08-13 16:17

揭秘MOS管开关时米勒效应的详情

MOS管的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOS管的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后，MOS管就会进入开通状态;当MOS管开通后，Vds开始下降，ld开始上升

weixin_43747182·2020-08-13 11:12

模拟电子技术之场效应三极管及其放大电路

金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管MOSFET基本共源极放大电路图解分析法小信号模型分析法共漏极和共栅极放大电路1.金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管场效应管是一种具有放大作用的元件,它是构成放大电路的基本器件

Mr.郑先生_·2020-08-11 01:05

使用AO3400MOS管的电机驱动电路

因为栅极下面的一层二氧化硅很薄，GS两端有等效电容，少量的静电就可以产生很高的电压，不把这些静电泄放容易把栅极击穿。IN1接

阿兰你在哪·2020-08-09 11:55

开漏Open Drain 和推挽Push Pull 输出

栅极输入0时，NMOS的漏极和源极导通，输出0。栅极输入1时，NMOS不导通，漏极高阻，输出1（需要外部上拉电路，上升沿比较缓慢）。推挽PushPull推挽输出：可以输出高,低电平,连接数字器件。

硬件菜鸟备忘录·2020-08-08 16:17

5V转换3.3V电平的几种简单方法

1、用mos管搭建的转换电路栅极G连接低电源电压VCC3.3v源级S接"低电压"端总线线路SDA1漏级D接"高电压"端总线线路SDA2，R为上拉电阻。

Wrz。·2020-08-07 21:14

BQ25611D中文手册

inputreserve-blockingFET（RBFETQ1），high-sideswitchingFET（HSFETQ2），low-sideswitchingFET（LSFETQ3）和batteryFET（BATFETQ4），还有用于高侧栅极驱动的自举二极管

aa图图aa·2020-08-07 16:08

nor flash工作原理

http://wenku.baidu.com/view/17b8c6aad1f34693daef3e53.html一、存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理相同

nolatin·2020-08-07 15:40

NAND FLASH 和NOR FLASH工作原理

存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断，栅极的电流消耗极小，不同的是场效应管为单栅极结构，而FLASH

墨墨无文·2020-08-07 11:45

LCM驱动电压VGH&VGL产生电路原理分析

在液晶显示屏驱动电路中，VGH电压负责对TFT栅极电容进行充电开启，并使电容电压保持一个场周期，VGL电压负责TFT栅极的关闭。

沙漠的甲壳虫·2020-08-04 22:05

利用AO3401A实现电路电源防反接和电池充电管理功能

今天在工作中用到了mos管AO3401，它的内部示意图如下，G（gate）栅极，D（drain）漏极，S（source）源极1，mos常被用作为开关管，以下用作电池的防反接正是运用了mos管的这个特性。

底线发球·2020-08-04 21:14

功率MOS管保护电路设计

功率MOS管保护电路主要有以下几个方面：1）防止栅极di/dt过高：由于采用驱动芯片，其输出阻抗较低，直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断，有可能造成功率管漏源极间的电压震荡，或者有可能造成功率管遭受过高的

wtbcx2012·2020-08-04 21:33

三极管和MOS管驱动电路的正确用法

有NPN型三极管（简称P型三极管）和PNP型三极管（简称N型三极管）两种，符号如下：MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。

weixin_33736048·2020-08-04 20:47

晶体管电路设计学习笔记（一）

而FET则是在输入端（栅极）的电压来控制输出端（漏级）的电流。二、放大电路的工作原理2.1放大电路使用multisim仿真：遇到的问题：书上的是2SC2458,而仿真软件没有。

weixin_30432007·2020-08-04 19:05

开关稳压器详解（四）－Buck降压型开关稳压器自举电路

在同步结构中对于开关管的使用一般有两种方式：上管为P-MOS,下管为N-MOS；无需外部自举电路上下管均为N-MOS；需要外部自举电路从上图可知，由于N-MOS导通条件是栅极电压比源极电压高。

sternlycore·2020-08-04 18:53

带有控制芯片的VFD显示屏灯丝和负压的连接

VFD显示屏的显示原理类似于CRT显示器，灯丝发射电子，栅极控制对应区域的显示与否，段控制单独点、划、符号的显示。为了保证灯丝发射的电子数量满足显示要求，灯丝要供电，灯丝具体

farmanlinuxer·2020-08-04 14:02

基准电压的电源

同时将该输出接到基准电源第二级电路中M2管的栅极，减弱了该点随电源电压的变化，从而有效地进步了基准输出真个电源按捺特性。(1)温度系数。该电流就是通过增强管M6的电流。。

chisi9974·2020-08-04 13:01

功放的偏置注意事项

目录使用大电感做栅极偏置改用大电阻偏置电路在放大器设计中扮演着很重要的角色，不合理的设计会导致振荡，或者增加功耗等等。本文对使用电感偏置的振荡现象进行分析。

潇洒的电磁波·2020-08-04 11:46

dayidson·2020-08-04 10:20

电路中负电源的注意事项

目录不需要供电电流的负电压需要供电电流电源管理中常犯的错误将输出接地，将地接输出产生负压仅使用电荷泵产生负压在电路设计中常常会使用到负电源，比如耗尽型场效应管的栅极控制电压，双电源的运算放大器等等。

潇洒的电磁波·2020-08-04 10:58

CMOS工艺名词解

poliside——也为一种工艺，乃在栅极poly上淀积硅化物。

qinxi·2020-08-03 20:53

MOS管开关电路

MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。

STM32F103_2018·2020-07-31 14:48

MOS管的工作原理浅显易懂

先上一张图一、一句话MOS管工作原理NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V,其他电压，看手册）就可以了。

爱学控制的猫·2020-07-30 22:09

PCB设计抗静电释放(ESD)的方法

来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层；损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极；CMOS器件中的触发器锁死；短路反偏的PN结；短路正向偏置的

pcb_honglijie·2020-07-30 12:35

LDO:A 318 nA quiescent IEEE文章解读

，解读一篇文章作讲解说明.整个电路包括三部分：ErrorAmplifier，Buffer和PassElementBuffer这一级采用了动态电流偏置的方法来减小输出阻抗,当Mp的驱动电流较大时，Mp的栅极电压随之降低

当时皓月·2020-07-30 11:09

MOS管简单理解

mos管简单应用三个步骤：1.判断G、S、D级G极(gate)—栅极，不用说比较好认S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，

用户昵称已经存在·2020-07-30 06:54

MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理的学习（1）

1.MOSFET相对于三极管的优势其中一个优势是，MOSFET器件在高频开关应用中使用应用非常重要。MOSFET晶体管更加容易驱动，因为其控制电极与导电器件隔离，所以不需要连续的导通电流。一旦MOSFET晶体管开通，它的驱动电流几乎为零。而且，控制电荷大量减少，MOSFET晶体管的存储时间也相应大幅减少。这基本上消除了导通压降和关断时间之间的设计权衡问题，而开通状态压降与控制电荷成反比。2.影响开

纯天然无公害的小白·2020-07-29 07:30

MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理学习（2）

1.PWM直接驱动驱动主开关晶体管栅极的最简单方法是利用PWM控制器的栅极驱动输出，如图（1）如图8中所示，PWM控制器和MOSFET之间可能有较大距离。

纯天然无公害的小白·2020-07-29 07:30

从7nm到5nm，半导体制程

所谓的XXnm指的是集成电路的MOSFET晶体管栅极的宽度，也被称为栅长。栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管。

wujianming_110117·2020-07-28 23:48

CPU 工艺与发热量关系

最近讨论单核和多核手机，一阵狂喷，总结如下：在集成电路设计制造的过程中，有一条重要的指标就是“宽长比”，就是晶体管栅极的宽度和长度的比。

伏心救赎·2020-07-28 15:41

手机处理器的nm制造工艺

现在的CPU内集成了以亿为单位的晶体管，这种晶体管由源极、漏极和位于他们之间的栅极所组成，电流从源极流入漏极，栅极则起到控制电流通断的作用。

bobuddy·2020-07-28 13:58

论STA | SOCV / POCV 之 variation （2）

工艺偏差会导致芯片物理参数偏差，如：线宽、沟道掺杂浓度、线厚、临界尺寸、栅氧厚度；而物理参数偏差会导致电特性参数偏差，如：线的电容电阻、阈值电压、饱和电流、栅极电容；电特性参数偏差会导致celldelay

diedai7174·2020-07-27 21:39

CPU制作工艺中的14nm工艺

14nm主要以栅极线宽指标为准，即图1中gate（栅极）的宽度（在3d晶体管中指的是顶面宽的长度），当然也伴随晶体管本身的缩小，电流由source源极流向drain漏极，而栅极控制着电流的开关，而开关代表的就是数字世界的基础

笨小孩的明天·2020-07-27 13:03

分立半导体产品贴片型AO3423

该AO3423采用先进的沟槽技术提供了优秀的研发DS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V。这装置适合于用作负载开关或以PWM应用程序。这是ESD保护。

一米阳光888·2020-07-14 09:14

H桥原理

桥臂上的4个场效应管相当于四个开关，P型管在栅极为低电平时导通，高电平时关闭；N型管在栅极为高电平时导通，低电平时关闭。场效应管是电压控制型元件，栅极通过的电流几乎为“零”。

若谷镧系·2020-07-13 07:57

台积电向2nm制程冲刺：已找到路径

7月13日消息，据台湾媒体报道，台积电冲刺先进制程，在2nm研发有重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术(gate-all-around，简称GAA)技术。

TechWeb·2020-07-13 00:00

MOS管的开关特性

个人博客：http://brainware360.cn/数字电路中MOS管常被用来作开关管，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，根据构成和导通特性可分为四类MOS管：g被称为栅极，d为漏极，s为源极，

yedongnan001·2020-07-12 18:46

[note] 微电子学概论(3) PMOS和NMOS的区别，CMOS结构

S端：源极(Source)，载流子的来向D端：漏极(Drain)，载流子的去向G端，栅极(Gate)，栅是门，用于控制电流通断。B端：衬底(sub

Honour Van·2020-07-12 14:30

FPGA在QuartusⅡ平台生成的可调PWM

脉冲宽度调制是一种模拟控制方式，其根据相应载荷的变化来调制晶体管栅极或基极的偏置，来实现开关稳压电源输出晶体管或晶体管导通时间的改变，这种方式能使电源的输出电压在工作条件变化时保持恒定，

qq_41399566·2020-07-11 20:06

在设计PCB时如何增强防静电ESD功能