栅极

无刷无感电调原理

《无感无刷直流电机之电调设计全攻略》文章基础上做补充电调开发难易排序：低压低速小负载有感电调---高压高速大负载无感电调要注意的事项：内转子还是外转子电机、mos管选型、mos管限流电阻选取、mos管栅极驱动器选择
Sky_Lannister·2020-07-10 16:42

MOS管

NMOSPMOS有Vgs才会有Id有Vsg才会有Id(G极的电压可以高于电压电压，因为它与其他极绝缘)场效应管栅极(G)和其它电极是绝缘的，不产生电流，截止情况下没有Id电流因为是电压控制电流型，输入阻抗极高
叶知秋霜·2020-07-09 05:02

通俗易懂 MOS管

先上一张图一、一句话MOS管工作原理NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V,其他电压，看手册）就可以了。
喜马拉雅苦行僧·2020-07-09 05:34

三极管和场效应管的区别

场效应管（FET）的三个脚命名为：栅极、源极、漏极。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
Norton-Linux内核研究·2020-07-09 02:27

MOS管，三极管基础知识总结

场效应管是电压控制型元器件，只要对栅极施加电压，DS就会导通。三极管是电流控制型元器件，只要基极B有输入（或输出）电流就可以对这个晶体管进行控制。
霁风AI·2020-07-09 01:30

BJT与MOS区别

----三极管与场效应管区别1、三极管是电流控制电流，场效应管是电压控制电流（主要区别）2、三极管功耗大（极大的限制了三极管在大规模集成电路中的应用），场效应管功耗小（集成电路中应用广泛）3、场效应管栅极几乎不取电流
架起彼岸的桥·2020-07-09 00:40

场效应管检测方法与经验

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极确定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另
维库网锁货采购客服舒小姐·2020-07-08 22:43

一文详解MOS管耐压特性及栅极电荷影响，你了解吗？

功率比较小的单管变换器的主开关通常采用MOS管，其优点是电压型控制，驱动功率低，低电压器件中MOS管的导通压降和开关速度是最佳的。MOS管的耐压对导通电阻的影响：MOS管的耐压水平由芯片的电阻率和厚度决定，而MOS管是多数载流子导电器件，芯片电阻率直接影响器件的导通电阻。通常MOS管的导通电阻随耐压的2.4~2.6次方增加。如1000V耐压是30V耐压的33.3倍，而同样大的芯片的导通电阻将变成3
weixin_43747182·2020-07-08 21:40

MOS管寄生二极管方向判断，看完醍醐灌顶

1、MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。
weixin_43747182·2020-07-08 21:39

一文教你检测MOS管好坏的五大诀窍

MOS管因导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，价格便宜等优点在电子行业深受人们的喜爱与追捧，随着电子行业飞跃式的发展，MOS管的需求量也越来越大,就在此时一批批MOS管生产厂家如雨后春笋般涌现到我们的眼前
weixin_43747182·2020-07-08 21:39

详解MOS管工作原理，原理图，了如指掌

绝缘型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅极爲金属铝，故又称爲MOS管。
weixin_43747182·2020-07-08 21:39

心血分享-MOS管开关电源选择及原理应用

一般情况下普遍用于高端驱动的MOS管，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。
weixin_43747182·2020-07-08 21:39

解析MOS管的详细参数，看完这篇你就全都懂了

NMOS管的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V,其他电压，看手册）就可以了。
weixin_43747182·2020-07-08 21:38

MOSFET规格书参数详解

测试条件：在Vgs=0V，栅极和源极不给电压。影响：超过的话会让MOSFET损坏。说明：ID的漏电流。测试条件：在Vgs=0V，在漏极和源极两端给48V的电压。影响：漏电流越大功耗越大。
weixin_30337251·2020-07-08 13:32

场效应管理解笔记（N沟道结型场效应管）

场效应管的源级对应三极管的发射级（e），栅极对应基级（b），漏极对应集电极（c）。场效应管的截止区对应三级管的截止区，恒流区对应饱和区，可变电阻区对应放大区。
T男孩·2020-07-08 07:27

区分PMOS管和NMOS管的巧妙记忆方法

MOS管的管脚有三个：源极S（source）、栅极G（Gate）和漏极（Drain），但是实际工程应用中，经常无法区分PMOS管和NMOS管、各管脚的位置以及它们各自导通的条件。
ProgressingForever·2020-07-08 07:46

什么是VMOS功率场效应管，工作原理是什么

VMOS功率场管的外形和内部结构示意图如图1所示，图1(b)为P沟道VMOS管栅极做成V形槽状，使得栅极表面和氧化膜表面的面积较大，有利于大电流控制，栅极仍然与漏、源极是绝缘的，因此VMOS管也是绝缘栅场效应管
shendeguang·2020-07-08 05:23

MOS管电压开关电路原理-KIA MOS管

MOS管在开关电路中的使用关键词：电压MOS管开关电路MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。
树卡花·2020-07-08 02:13

MOS管开关电路详解

MOS管主要是由Metal（金属）、Oxide（氧化物）、Semiconductor（半导体）通过特殊工艺制成和三极管（电流控制电流型器件）相比，MOS管（电压控制电流型器件）具有栅极驱动基本不需要
madmanazo·2020-07-07 23:16

FET场效应晶体管扫盲

FET有三个电极分别是栅极（Gate）、源极（Source）和漏极（Drain）。小贴士：双极性晶体管，全称双极
码农u号·2020-07-07 21:58

NMOS or PMOS?

MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。
Ruler.·2020-07-07 20:50

MOS管的使用方法

1、三个极的判定栅极（G）：中间抽头源极（S）：两条现相交漏极（D）：单独引线2、沟道判定N沟道：箭头指向G极。使用时，D极接输入，S极接输出。P沟道：箭头背向G极。使用时，S极接输入，D极接输出。
snmplink·2020-07-07 19:06

场效应管是个什么东西?原理作用都是什么?

2.场效应管工作原理就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏
chenjiaying0226·2020-07-07 05:43

MOS管(场效应管)工作原理，就是这么简单

MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。
ab6326795·2020-07-07 02:49

前脸霸气！国产全新7座中型SUV曝光，预计10万左右

嘉悦X8前脸犹如獠牙的“直瀑式”立体格栅极
有车以后·2020-07-07 00:00

MOS的了解和使用

1.三个极的判定G极(gate)—栅极，不用说比较好认S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边2.N沟道与P
QTRPio·2020-07-06 23:27

场效应管（FET）知识点释义

按照结构、原理可以分为：．接合型场效应管．MOS型场效应管这张图片一目了然★接合型场效应管（结型FET）原理N通道接合型场效应管如图所示，以P型半导体的栅极从两侧夹住N型半导体的结构。
碎碎思·2020-07-06 23:23

3.深入浅出：结型场效应管原理应用——参考《模拟电子技术基础》清华大学华成英主讲

结型场效应管内部结构可以这样记忆：1.源极对应三极管的发射极，都是电子的来源，英文为source；2.栅极对应三极管基极，英文是gate，意思是门，有开关的作用，控制GS的电压，就能控制场效应管工作的状态
人生苦短我搞硬件·2020-07-06 22:10

MOSFET结构及其工作原理详解

MOSFET的工作原理MOSFET的原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体），FET（FieldEffectTransistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层
zzw--开发小农·2020-07-06 18:30

MOS管参数每一个参数详解-收藏版

MOSFET是电压型驱动器材,驱动的进程即是栅极电压的建立进程,这是经过对栅源及栅漏之间的电容充电来完成的,下面将有此方面的详细论述.gfs:跨导.是指漏极输出电流的改变量与栅源电压改变量之比,是栅源电压对漏极电流操控才能巨细的测量
树卡花·2020-07-06 18:19

MOS管引脚G、S、D分别解析-KIA MOS管

MOS管引脚定义G：gate栅极；S：
树卡花·2020-07-06 18:19

MOS管开关电路

MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。
oshan2012·2020-07-06 17:21

MOS管的介绍与简单应用

MOS管在硬件设计中经常使用到，下面是N型MOS管，包括栅极G，源极S，漏级D。
Gl-Young·2020-07-06 17:26

场效应管工作原理

一：场效应管是利用回路的电场效应来控制输出回路的一种半导体器件由于它仅靠半导体的多数载流子导电，又称单极性晶体管，效应管分为N沟道型和P沟道型d：漏极s：源极g：栅极结形场效应管工作原理：为使N沟道型场效应管正常工作
ffittiff·2020-07-06 16:45

MOSFET、IGBT的结构与工作原理详解

它用一块P型硅半导体材料作衬底，在其面上扩散了两个N型区，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层，最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）
飞由于度·2020-07-06 15:40

关于SSD寿命问题的探讨

NAND闪存原理上是一个CMOS管，有两个栅极，一个是控制栅极(ControlGate),一个是浮栅(FloatingGate).浮栅的作用就是存储电荷，而浮栅与沟道之间的氧化层(OxideLayer)
古猫先生·2020-07-06 13:03

三极管和MOS管驱动电路的正确用法

有NPN型三极管和PNP型三极管两种，符号如下：图1左NPN型三极管，右PNP型三极管MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。
张家顺子·2020-07-06 12:03

栅极驱动参数对IGBT开通的影响

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率
刘纳尔多到底有多多·2020-07-06 11:28

传输门为什么是P/N双MOS结构

P/N双MOS可以保证输出端OUT跟输入端IN端保持一致(IN理想高低电平是Vdd和0)，就算有级联也不会出现信号失真的情况如果是单PMOS，Vin=0，在栅极电压为0时，输出电平Vout就会变成0+Vt
崽象肚里能撑船·2020-07-06 05:08

MOS管入门----只谈应用，不谈原理

三个极怎么判定G极(gate)—栅极，不用说比较好认S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边N沟道还是P沟道箭头指向
撒哈拉的初学者·2020-07-05 12:59

COMS电路

1.MOS管源极S(Source)S(Source)S(Source)漏极D(Drain)D(Drain)D(Drain)栅极G(Gate)G(Gate)G(Gate)工作有三个区：可变电阻区、恒流区、
七月的和弦·2020-07-05 10:22

一个有趣的自锁开关电路

电路原理分析:电路上电后,由于IRF5305(P型MOSFET)栅极经R1上拉,处于高电位,IRF5305处于截止状态,当按下轻触开关S1,5V电源经R1,R2,R3,C1与R5分压得到一个能使Q2导通的电压
longzhishen·2020-07-04 22:55

CMOS和TTL集成门电路多余输入端如何处理？

一、CMOS门电路CMOS门电路一般是由MOS管构成，由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。
kevinhg·2020-07-04 20:22

MOS器件的重要特性——15个为什么？

【答】E-MOSFET的阈值电压就是使半导体表面产生反型层（导电沟道）所需要加的栅极电压。
gtkknd·2020-07-04 16:19

MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图

如下图所示：以N型管为例，2端为控制端，称为“栅极”；3端通常接地，称为“源极”；源极电压记作Vss，1端接正电压，称为“漏极”，漏极电压记作VDD。要使1端与3端导通，栅极2上要加高电平。
gdaswater·2020-07-04 16:10

nor flash和nand flash的区别

一、存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理相同，主要
恩来贺·2020-07-04 15:06

cmos门电路基础

举一个简单的例子，增强型就相当于是一个饮水机，你开一下，水出来一下，当你不开的时候，是没有水的，那么反映到mos管里面就是，你给栅极（GATE）一个足够的电压，源极和漏极之间就有电流，不然呢，就没有电流
Kafen Wong·2020-07-04 06:02

CMOS门电路详解

半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor简称MOS)作为开关器件MOS管的结构和工作原理MOS管的输入、输出特性对于共源极接法电路，闪击和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离，所以栅极电路为零共源极接法电路
GeorgeWan·2020-07-04 02:52

三星全面反击？消息称三星将跳过4nm直接进军3nm

在最近，有消息称三星已经重修了工艺路线图，取消了此前用于过渡的4nm，在5nm为FinFET（鳍式场效应晶体管）后，直接上马3nmGAAFET(环绕栅极晶体管
科技美学·2020-07-04 00:00

nand flash基础——基本操作

当需要读取一个cell时，在栅极（gate）上需要提供一个Vread电压（0V），在其他的cell上加上一个Vpass,r电压，通常
bsbhenry·2020-07-01 19:55
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