栅极

MOS管防护电路解析

功率MOS管保护电路主要有以下几个方面：1）防止栅极di/dt过高：由于采用驱动芯片，其输出阻抗较低，直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断，有可能造成功率管漏源极间的电压震荡，或者有可能造成功率管遭受过高的
Risehuxyc·2023-12-16 01:52

浅析不同NAND架构的差异与影响

NAND闪存原理上是一个CMOS管，有两个栅极，一个是控制栅极(ControlGate),一个是浮栅(FloatingGate).浮栅的作用就是存储电荷，而浮栅与沟道之间的氧化层(OxideLayer)
古猫先生·2023-12-15 18:06

台积电谈2nm的实现方式

台积电：未来十年的CMOS器件技术平面MOSFET的栅极长度(Gatelength：Lg)缩放限制在大约25nm，因为单表面栅极（singlesurfacegat
公众号:肉眼品世界·2023-12-15 08:54

【硬件】深入浅出讲解MOS管的栅极电阻

欢迎关注【玩转单片机与嵌入式】公号，回复关键字获取更多免费视频和资料回复【加群】，【单片机】、【STM32】、【硬件知识】、【硬件设计】、【经典电路】、【论文】、【毕业设计】、【3D封装库】、【PCB】、【电容】、【TVS】、【阻抗匹配】、【资料】、【终端电阻】、【Keil】、【485】、【CAN】、【振荡器】、[USBCAN]、【PCB】、【智能手环】、【智能家居】、【智能小车】、【555】、【
玩转单片机与嵌入式·2023-12-15 03:15

MOS管的静电击穿问题

MOS管基础知识了解：G极(gate)—栅极，不用说比较好认S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边一般静电击穿有两种
The Kite·2023-12-04 22:31

观海微电子---基础电子元器件--场效应管

NMOS的特性：Vgs大于一定的值就会导通，既相当于栅极加电压S、D相通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动
9亿少女的噩梦·2023-12-01 20:02

带米勒钳位的隔离驱动SiLM5350系列 工作原理、特性参数、封装形式

描述：SiLM5350系列是单通道隔离驱动器，该系列可提供高达10A的驱动能力，具有不同配置的单通道隔离式栅极驱动器系列产品。SLMi5350S提供分离输出，可分别控制上升和下降时间。
Hailey深力科·2023-12-01 20:38

【模电】绝缘栅型场效应管

绝缘栅型场效应管N沟道增强型MOS管工作原理特性曲线与电流方程N沟道耗尽型MOS管P沟道MOS管VMOS管  绝缘栅型场效应的栅极与源极、栅极、漏极之间均采用SiO2SiO\tiny2SiO2绝缘层隔离
妖兽喽·2023-11-30 23:03

【翻译】开关应用中功率MOSFET的栅极驱动

本文是一份MOSFET器件特性和栅极驱动指南。
Distance_90·2023-11-29 23:05

一种新的基于物理的AlGaN/GaN HFET紧凑模型

对于非饱和操作，建立了两个接入区和栅极下方I-V特性的非线性分析模型。所得方程通过边界处的电压和电流连续性连接在一起。证明了该模型与商业模拟
幻象空间的十三楼·2023-11-29 07:55

关于铝镓氮（AlGaN）上p-GaN的高选择性、低损伤蚀刻

我们通过精确控制p-GaN层的蚀刻深度，同时对底层AlGaN势垒造成较小蚀刻损伤，对于恢复接入区域中的高密度电子是必要的，这是p-GaN栅极HEMT制造中较关键的工
Insist_1122·2023-11-28 07:46

SI2325DS-T1-GE3详情参数

Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）6V，10V不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）1.2欧姆@500mA，10V不同Id时的Vgs（th）（最大值）4.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷
weixin_44218980·2023-11-26 23:43

STM32F103采用通用定时器方法输出PWM波形

PWM介绍二、STM32定时器实现PWM波形输出介绍三、代码实现四、输出效果五、总结六、参考一、PWM介绍PWM——脉冲宽度调制脉冲宽度调制是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置
clyrjj·2023-11-25 15:49

《炬丰科技-半导体工艺》3D集成技术：现状及应用发展

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：3D集成技术：现状及应用发展编号：JFKJ-21-748作者：炬丰科技摘要正如ITRS路线图所预测的那样，仅靠缩小晶体管栅极尺寸主导的半导体产业发展将无法克服未来集成电路制造的性能和成本问题
hlkn2020·2023-11-25 01:12

计算机组成原理-存储系统-主存储器(芯片)和CPU连接

目录一、SRAM和DRAM芯片DRAM：栅极电容存储信息SRAM：双稳态触发器存储信息区别编辑二、ROM芯片三、主存于CPU的连接位扩展法字扩展法字位同时扩展法译码器四、双端口RAM和多模块存储器4.1
CyAuroras·2023-11-22 02:25

MOSFET开关管的结构以及在MATLAB中的连接

MOSFETMOSFET：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金属半场效应晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）；它是由金属(M)层的栅极隔着氧化层
秃头宝贝。·2023-11-16 17:08

TPS61088RHLR升压芯片

芯片引脚图根据芯片手册设计原理图1脚是VCC内部稳压的输出引脚2脚EN是芯片的使能引脚高电平时芯片工作低电平时芯片关机3脚FSW和4,5,6,7SW引脚可以设置芯片的开关频率8脚是BOOT引脚可以为MOSFET栅极驱动器提供电源
Aurora Smith·2023-11-15 03:46

FAN73832MX 350mA-650mA 高压600V 能驱动MOSFET和IGBT 半桥栅极驱动IC

FAN73832MX是一款半桥、栅极驱动IC，带关断和可编程死区时间控制功能，能驱动MOSFET和IGBT，工作电压高达+600V。
Hailey深力科·2023-11-14 11:11

MOSFET和IGBT栅极驱动器TLP250H(D4-TP1,F)电路的基本原理

TLP250H是IGBT和功率MOSFET栅极驱动的理想
Hailey深力科·2023-11-14 11:40

60V、低 IQ、双通道LTC3892MPUH-2、LTC3892HUH-2、LTC3892IUH-2、LTC3892IUH两相同步降压型 DC/DC 控制器

栅极驱动电压可设置在5V至10V的范围内，以允许使用逻辑或标准电平FET并较大限度地提升效率。上管栅极驱动器中的内部开关免除了增设外部自举二极管的需要。
Mandy_明佳达电子·2023-11-13 08:20

AlGaN/GaN HFET 五参数模型

来源：IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES（15年）摘要—我们引入了AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFET）漏极电流Id（Vgs，Vds）的解析表达式，该表达式是其栅极和漏极电压的函数
幻象空间的十三楼·2023-11-12 14:14

NAND FLASH 原理

.360doc.com/content/12/0522/21/21412_212888167.shtml闪存保存数据的原理:与DRAM以电容作为存储元件不同，闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极
服务器技术研究·2023-11-12 11:09

如何利用MOS管设计一个LED亮度可调电路

首先大家可以看下下面的MOS管亮度可调的演示视频如何利用MOS管设计一个LED亮度可调电路这个电路大致电路图如下MOS管的栅极放了一个电容，当按按键1的时候，电源通过R1给电容充电，，MOS管栅极的电压慢慢增大
小鱼教你模数电·2023-11-11 22:59

电路设计_MOS管在电源控制中的应用

MOS是通过控制栅极和源极之间的电压差（Vgs）来实现导通和截止的。下图是N沟道MOS管。Vgs
万象君_1024·2023-11-11 22:58

MOS管的工作原理以及设计理念

如图下是MOS的结构图，栅极代号是“G”，作用是控制脚，它在结构上表现在电容的一极，氧化物对应电容的介质，在NMOS半导体P结相当于电容的另一极，在PMOS半导体N结相当于电
逐梦之程·2023-11-11 22:56

硬件基础元器件【1.电阻篇】

文章目录1电阻1.1电阻的作用1.2电阻选型要点1.3电阻的主要使用场景1.3.1上、下拉电阻上下拉电阻作用阻值选择原则1.3.2MOS管栅极驱动电阻1.3.3电源反馈电阻1.3.4晶振并联电阻1.3.50
卯木丶·2023-11-10 18:25

open drain和push pull

MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，常用做开关元件；G：gate栅极，S：source源极；D：drain漏极；  工作原理：NMOS的
ForDream321·2023-11-09 20:46

半导体测试 | 半导体器件可靠性怎么测试？测试方法有哪些？

半导体可靠性测试项目1.外观检查2.高温反向偏压3.高温栅极偏压4.热冲击5.振动6.机械冲击7.无偏高加速应力试验8.高压釜试验9.高加速应力试验10.高温高湿反向偏压11.高温存
纳米软件Namisoft·2023-11-09 18:48

半导体器件中的背栅

目录MOSFET结构背栅背栅与栅极背栅是用来控制sub极的吗MOSFET结构背栅结构通常用于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）等半导体器件。这种结构可以帮助控制器件的阈值电压和提高器件性能。
幻象空间的十三楼·2023-11-08 00:44

“第六十天”

SRAM和DRAM：DRAM：动态RAM（随机存期存储器），是使用栅极电容存储信息的；SRAM：静态RAM，是使用双稳态触发器存储信息的。
人间乄惊鸿客·2023-11-06 09:05

氮化镓功率HEMT的表征与建模

IEEETRANSACTIONSONINDUSTRYAPPLICATIONS)GaNhigh-electron-mobilitytransistor(HEMT)GaN高电子迁移率晶体管  该模型包括一个电压相关电流源Ids、两个电压相关电容Cgd和Cds、一个电压无关栅极
幻象空间的十三楼·2023-11-04 07:16

电子管是什么？

一、电子管的构造电子管通常由灯丝、阴极、控制栅极、阳极和外壳等部分组成。灯丝是电子管的加热器，它通常由一个螺旋状的钨丝组成，通电后会产生热量，使阴极受热并释放出自由电子。
淘晶驰AK·2023-11-01 10:55

怎么用万用表检测场效应管的好坏？

场效应管（AO4435）带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G（栅极），D（漏极），S（源极）。
Sofie_6804·2023-10-31 16:34

三极管和场效应管测量

若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。
夏天来了85·2023-10-31 13:00

【无标题】

一、电路符号MOS管分为G（栅极）、S（源极）、D（漏极）三极，在图中S极有两条线，D极只有一条线。1.1NMOS和PMOS下图中，左侧是PMOS，右侧是NMOS。箭头向外是P，朝内是N。
余生皆假期-·2023-10-31 02:41

FOC系列（二）----继续学习DRV8301芯片

一、程序框图  跟随上篇博客咱们继续往下看，下面是芯片内部的程序框图：1.1BUCK电路1.2内部各电源1.3SPI通信、栅极驱动器和时序控制器1.4MOSFET驱动电路1.5电流采样放大电路  数据手册只是给出了这一部分框图
致虚守静~归根复命·2023-10-28 14:33

场效应管器件

场效应管简称FET,有三级：源极(S)、漏极(D)、栅极（G）；可以实现电压控制电流源；“源极和漏极之间的漏极电流Id，由栅极的负电压进行控制”。
孔镜观栏·2023-10-28 09:58

【模拟CMOS集成电路设计】第三章，单级放大电路

：PMOS做二极管负载（负载mos无体效应）：NMOS做二极管负载：电流源做负载的共源级：有源负载的共源级（电流复用）：工作在线性区的mos为负载的共源极：带源极负反馈的共源极：源极跟随器（共漏）：共栅极
我感觉。·2023-10-27 18:35

SCT52240STDR双路 4A/4A 高速MOSFET/IGBT栅极驱动器, 可并联输出

SCT52240是是一款宽供电电压、双通道、高速、低测栅极驱动器，包括功率MOSFET，IGBT。单个通道能够提供高达4A拉电流和4A灌电流的轨到轨驱动能力，并实现轨到轨输出。
Yyq13020869682·2023-10-26 21:50

MOS管特性及其几种常用驱动电路详解，电子工程师手把手教你

它的工作原理基于半导体材料的能带理论，通过调节栅极电压来控制沟道
宇凡微·2023-10-26 10:24

深力科电子/J30H10K 100A 30V 电动工具专用N沟道MOS管

J30H10K以低栅极电荷提供出色的RDS（ON）。广泛应用于电源切换应用,硬开关和高频电路,不间断电源,白色小家电,电动工具等各种领域。。
Hailey深力科·2023-10-21 14:53

AMEYA360-罗姆ROHM马来西亚工厂新厂房竣工

RWEM此前主要生产二极管和LED等小信号产品，新厂房建成后计划生产隔离栅极驱动器(模拟IC的重点产品之一)。隔离栅极驱动器是用来对IGBT和SiC等功率半导体进行合宜驱动的IC
皇华ameya·2023-10-19 19:14

AMEYA360：ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款超高速驱动GaN器件的栅极驱动器IC“BD2311NVX-LB”。
皇华ameya·2023-10-19 19:07

高速低侧栅极驱动电路低侧驱动IC

国硅（新洁能旗下子公司）NSG4426低侧驱动芯片，双通道2A高速低侧栅极驱动电路NSG4426，pin对pin直接替换IR4426NSG4427，pin对pin直接替换IR4427NSG4428，pin
Li18682077991·2023-10-17 13:37

一文带你认识高速低侧栅极驱动器 FAN3111ESX 带你深入了解其特点及应用

FAN3111ESX一款低端驱动器产品，是外部DC2至5V参考输入、单通道同相输出、1.4A峰值灌电流、1.4A源电流低端栅极驱动器。
Hailey深力科·2023-10-17 13:35

MOS管快速入门到精通

MOS管快速入门到精通参考链接：https://zhuanlan.zhihu.com/p/4103713931.三个极的判定G极(gate)—栅极，不用说比较好认S极(source)—源极，不论是P沟道还是
a1809032425·2023-10-16 18:41

麒零8000S到底是7纳米还是14纳米？一切都因台积电玩坏了工艺命名

在16纳米之前，芯片制造企业是以栅极间距来认定芯片工艺的，不过随着通过栅极间距逐渐达到极限，芯片制造企业就无法单纯通过缩短栅极间距来提升芯片性能了，为此引入了FinFET技术。
柏颖漫谈·2023-10-16 15:06

3.2主存储器的基本组成

SRAM和DRAMStaticRandomAccessMemory，即静态RAMDynamicRandomAccessMemory，即动态RAMSRAM用于Cache、DRAM用于主存DRAM芯片：使用栅极电容存储信息
小旺不正经·2023-10-16 09:28

GaN器件使用注意—GaN技术文档总结

器件概述二、器件的热设计三、GaN器件的测量注意六、GaN的spice模型使用九、GaN元件的PCB布局十、EZDrive电路十二、门极驱动电路设计一、GaN器件概述1、工作原理类似于MOSFET，在栅极和源极之间电压超过开启电压的时候
电气小能手·2023-10-15 10:02

增强型GaN器件的驱动电路

文章目录1.增强型GaN器件的驱动电压要求2.增强型GaN器件驱动的可靠性问题2.1.米勒导通问题2.2.自举驱动时栅极过电压问题2.3.动态导通电阻退化问题3.增强型GaN器件的驱动技术引用1.增强型
工具箱贰号·2023-10-15 10:58
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