栅极

CMOS门电路详解

半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor简称MOS)作为开关器件MOS管的结构和工作原理MOS管的输入、输出特性对于共源极接法电路，闪击和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离，所以栅极电路为零共源极接法电路
GeorgeWan·2020-07-04 02:52

三星全面反击？消息称三星将跳过4nm直接进军3nm

在最近，有消息称三星已经重修了工艺路线图，取消了此前用于过渡的4nm，在5nm为FinFET（鳍式场效应晶体管）后，直接上马3nmGAAFET(环绕栅极晶体管
科技美学·2020-07-04 00:00

nand flash基础——基本操作

当需要读取一个cell时，在栅极（gate）上需要提供一个Vread电压（0V），在其他的cell上加上一个Vpass,r电压，通常
bsbhenry·2020-07-01 19:55

MOS管基本认识（快速入门）

1.三个极的判定G极(gate)—栅极，不用说比较好认S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边2.N沟道与P
-jiyuee-·2020-07-01 17:28

MOS管原理用法

先上一张图一、一句话MOS管工作原理NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V,其他电压，看手册）就可以了。
anlx27·2020-07-01 17:39

NMOS和PMOS使用总结

MOS管应用电压的极性和我们普通的晶体三极管相同，N沟道的类似NPN晶体三极管，漏极D接正极，源极S接负极，栅极G正电压时导电沟道建立，N沟道MOS管开始工作,同样P道的类似PNP晶体三极管，漏极D接负极
李宜君·2020-06-29 22:29

3.3V与5V的电平转换

TR1、TR2为分立的NMOS三极管，S为源极，D为漏极，G为栅极。Rp为上拉电阻，一个连接在S与VDD1之间；另一个连接D与VDD2之间。G端连接VD
霁风AI·2020-06-29 22:07

CMOS,TTL门电路多与输入端如何处理

一、CMOS门电路CMOS门电路一般是由MOS管构成，由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。
贝壳er·2020-06-29 19:54

芯片制造工艺中的衡量指标

目录一、芯片厂商二、制程2.1最小栅极宽度（栅长）2.2制程越小越好2.320nm制程的技术问题2.410nm制程的技术问题三、FinFET四、半导体工艺的衡量指标五、参考资料六、延伸阅读这篇博客主要解决两个问题
npc666666·2020-06-29 04:55

MOS管工作动画原理图详解

MOS管工作动画原理图详解绝缘型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅极为金属铝，故又称为MOS管。
沧月九流·2020-06-29 03:55

MOS这类精密电子元件在使用时应当要注意些什么？

尽管在制作过程中采用了一定的措施进行保护，但是并不能从根本上排除这类问题出现的诱因，所以在使用的时候应当注意以下问题：1、因为在安全使用的环境中，MOS管厂家中的线路设计规定不超过MOS管厂家的耗散功率，另外也不能超过最大漏极电压、栅极源极电压以及最大安全通过电流
罗晓钰·2020-06-28 15:52

在设计PCB时如何增强防静电ESD功能

来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层；损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极；CMOS器件中的触发器锁死；短路反偏的PN结；短路正向偏置的
大飞飞飞飞飞飞·2020-06-28 10:40

计算机图形学（一） 图形系统综述

一、视频显示设备CRT1、电子枪的结构，如图：2、控制荧光屏的亮度控制栅极加正电压，电子束大量通过，屏幕变亮3、光点电子束打到屏幕上形成一个光团，光点的物理直径为光点亮度下降到最大亮度60%时的直径4、
weixin_33860528·2020-06-28 06:29

stm32f407 输出pwm波

1.pwm：脉冲宽度调制是一种模拟控制方式，其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。
dg胡子·2020-06-27 04:46

【模拟电路】MOS管的相关知识

2保护措施1）栅极并联电阻MOS管的g−dg-dg−d和g−sg-sg−s之间的绝缘电阻很高，并且绝缘层很薄，栅极很容易积累电荷，击穿绝缘
Kindavid·2020-06-26 22:04

DDR3基本概念1 - 存储单元结构和原理

红色的为wordline，连接了同一行的所有的存储电容的transistor的栅极。DDR只能选中其中一
tbzj_2000·2020-06-26 18:00

ir2110s驱动工作原理

美国IR公司的IR2110芯片是一种双通道、栅极驱动、高压高速功率器件的单片式集成驱动模块。
sinat_21139313·2020-06-26 10:41

MOS管

先上一张图一、一句话MOS管工作原理NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V,其他电压，看手册）就可
itopos·2020-06-23 16:15

Intel 5年内量产纳米线/纳米带晶体管！搭档3nm？

在近日的国际超大规模集成电路会议上，Intel首席技术官、Intel实验室总监MikeMayberry就畅谈了未来的晶体管结构研究，包括GAA环绕栅极、2DMBCFET多桥-通道场效应管纳米片结构，乃至最终摆脱
itwriter·2020-06-23 09:00

MOS管 电源防反接

若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，
WSCH_Prophet·2020-06-22 07:56

MOS管

N管S接地，G接控制，D接电流节点1.MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流
WRBWRBWRB1234·2020-06-22 07:55

GD3100笔记

GD3100，完整型号为MC33GD3100属于先进的IGBT栅极驱动器，量产于2018-8-13号前。
柯铭凯·2020-06-21 12:49

基于单片机的直流电机控制PWM调速代码开源(含仿真)

基于单片机的直流电机控制与仿真（PWM）脉冲宽度调制脉冲宽度调制是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变
℡四叶草～·2020-06-21 01:04

关于安全栅(shan)

只有一个地方读“山”，也是国内的物理学家在100多年前开创的，这个地方非常小众非常狭窄专业，就是电子工业里面的电子管的“栅极”，这个电子管当然也包括了电子管变形的显像管。
因思道客·2020-06-20 22:20

芯片制造22nm制程是什么含义

然后在P型硅表面生长一层很薄的二氧化硅绝缘层，并在二氧化硅表面及两个N型区各安置一个电极，形成栅极g，源
Chauncey_wu·2020-06-20 22:23

IC行业常见用语

yeungchie/ActiveDevices有源器件MOSFETMetal-Oxide-SemicoductorField-EffectTransistor金属-氧化物-半导体场效应晶体管Channel沟道Gate栅极
YEUNGCHIE·2020-06-12 21:00

MOS 预夹断到底是什么

https://www.cnblogs.com/yeungchie/MOS管就像一个开关，栅极(Gate)决定源极(Souce)到漏极(Drain)的沟道(Channel)是开还是关。
YEUNGCHIE·2020-06-06 19:00

干货分享|i.MX6UL画底板之前，你需要这份Checklist——飞凌嵌入式

系统上电时序PMIC_ON_REQ引脚的电流驱动能力太弱，开发板中使用的是场效应管控制上电时序，该场效应管的栅极下拉电阻阻值应大于100K，否则可能会导致管子无法打开（一般现象为核心板灯不亮，
ZXCZB123·2020-06-06 15:04

飞凌小课堂丨i.MX6UL画PCB之前，强烈推荐这份Checklist

系统上电时序PMIC_ON_REQ引脚的电流驱动能力太弱，开发板中使用的是场效应管控制上电时序，该场效应管的栅极下拉电阻阻值应大于100K，否则可能会导致管子无法打开（一般现象为核心板灯不亮，串口没
LHMC123·2020-05-27 15:57

HIP4082电机驱动电路详解

栅极电阻一般串联一个10欧左右的电阻，GS级之间
万树不会古冬u·2020-04-12 17:41

分立半导体AO3423

该AO3423采用先进的沟槽技术提供了优秀的研发DS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V。这装置适合于用作负载开关或以PWM应用程序。这是ESD保护。
一米阳光888·2020-03-30 11:27

梦幻七维

巨型虫洞级、跨越星系级、自修复型、智能超量时空飞船，闪耀着静谧、淡蓝栅极、半明透亮微金属毫光，以光速静默闪驰在浩瀚的第三阶梯3.5维度的半圆宇宙中
三荷听雨声·2020-03-28 21:04

坏兽代行星杯三栅极男巫向初动combo的阶段性总结

起手1.金星+星杯+任意一怪兽(即combo前段不需要用到剑士苏生效果)＝防火墙+三栅极+防火墙三栅极头上一个链接蜘蛛，两个防火墙均未用过效果，并总共抽四卡2.金星/妖精+明融(即combo前段需要用到剑士苏生效果
尼特书呆魔术师·2020-03-10 09:24

降低开关直流电源对电网的抗干扰的方法

虽然调整触发脉冲的跳变沿和加大栅极的电阻等可以降低dv/dt，但这会加大开关损耗和降低整个装置的效率，需求从开关电源的各
南坡海瑞·2020-02-29 03:25

CMOS管和双极晶体管的区别

N通道接合型场效应管如图所示，以P型半导体的栅极从两侧夹住N型半导体的结构。将PN接合面上外加反向电压时所产生的空乏区域用于电流控制。N型结晶区域的两端加上直流电压时，电子从源极流向漏极。
罗晓钰·2020-02-25 02:36

赛灵思XCV400-5BG432I规格书

Virtex逻辑元件数量:10800输入/输出端数量:316I/O工作电源电压:2.5V最小工作温度:-40C最大工作温度:+100C安装风格:SMD/SMT封装/箱体:BGA-432商标:Xilinx栅极数量
冰VIVI66·2020-02-24 13:41

详细解读7nm制程，看半导体巨头如何拼了老命为摩尔定律延寿

所谓的XXnm指的是集成电路的MOSFET晶体管栅极的宽度，也被称为栅长。栅长越短，则可以
黑客红客白帽子·2020-02-02 16:32

MOS管AO3402使用方法

(1).判断栅极GMOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS管发烧严峻，易热损坏MOS管GS间存在一定电容
一米阳光888·2020-02-01 04:22

三星攻克3nm工艺关键GAA技术，将领先台积电于2022年规模量产

1月3日，据韩媒BusinessKorea报道，三星电子已经成功攻克了3nm和1nm工艺所使用的GAA（GAA即Gate-All-Around，环绕式栅极）技术，正式向3nm制程迈出了重要一步，预计将于
itwriter·2020-01-06 20:00

吉利推出新帝豪百万纪念版

扁平波纹形镀铬辐条装饰的前进气格栅极具特色，熏黑处理的下进气口、和条状LED日行
VIP买车网·2020-01-04 23:03

嵌入式：基本电路总结

https://blog.csdn.net/cheer_me/article/details/82731123https://v.qq.com/x/page/d07127pdjek.htmlNmos管，只要栅极电压大于开关电压
九九叔·2020-01-01 21:10

进军2nm 中科院研发世界首个自对准栅极的叠层垂直纳米环栅晶体管

作者：宪瑞目前全球最先进的半导体工艺已经进入7nm，下一步还要进入5nm、3nm节点，制造难度越来越大，其中晶体管结构的限制至关重要，未来的工艺需要新型晶体管。来自中科院的消息称，中国科学家研发了一种新型垂直纳米环栅晶体管，它被视为2nm及以下工艺的主要技术候选，意义重大。从Intel首发22nmFinFET工艺之后，全球主要的半导体厂商在22/16/14nm节点开始启用FinFET鳍式晶体管，一
itwriter·2019-12-10 15:00

N沟MOS管与P沟MOS管的区别，助厂家更好选择MOS管！

区别一：导通特性N沟MOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。而PMOS的特性，V
游倪君·2019-11-01 18:48

IC/FPGA笔试/面试题分析（十）CMOS门电路

如何识别MOS管的三个极，例如G（栅极），D（漏极），S（源极）：（MOS管原理）？MOS管何时导通？如何画一个PNOS或一个NM
李锐博恩·2019-09-09 16:19

AO4462详细介绍

AO4462详细介绍一般说明A04462采用先进的沟槽技术，可提供出色的低噪声和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或PWM应用。源引线被分开以允许与源的开尔文连接，其可用于绕过管道中的源。
qq5c8758016da07·2019-08-30 15:51

Flash(NandFlash&NorFlash)基本原理

Flash基本原理及分类1.1、基本存储单元存储数据基本的元件：浮栅场效应管                                  图1.1 浮栅场效应管的基本结构图存储时，信息存放在浮置栅极中
AMDDMA·2019-08-12 23:02

BUCK降压电路空载问题

最近做BUCK降压电路，采用单片机+驱动电路来控制主电路BUCK电路我首先想到的就是上管P沟道的形式，（图中封装是N沟道的，手动修改），然后用二极管续流，因为P沟道MOS管是门极小于栅极导通，这样易于驱动
dbfy666·2019-04-14 18:53

如何判断场效应晶体管方向，学会这几步轻松搞定

1.场效应晶体管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而场效应晶体管是电压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。
weixin_43747182·2019-03-29 12:55

GANFET 仿真例子

机械汇总以备查看01:关注器件厚度，提取沟道电荷密度和帽层厚度的关系02检查击穿电压作为L的结果，漏电流和栅极电压的IV特性IdVd03终于出现结构图了，IdVd04界面电荷05IdVg极化电荷随厚度变化规律有没有本征应力
Cherylzzx·2019-02-21 17:53

GANFET 仿真例子

机械汇总以备查看01:关注器件厚度，提取沟道电荷密度和帽层厚度的关系02检查击穿电压作为L的结果，漏电流和栅极电压的IV特性IdVd03终于出现结构图了，IdVd04界面电荷05IdVg极化电荷随厚度变化规律有没有本征应力
Cherylzzx·2019-02-21 17:53
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